技术特征：
技术总结
本发明提供了一种超结IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）器件，在超结耐压层中有至少一个第一导电类型的第一种半导体区和至少一个第二导电类型的第二种半导体区，所述第二种半导体区具有比第一种半导体区更高的禁带宽度和临界击穿电场，因而所述的第二种半导体区比所述第一种半导体区更不易发生击穿；当所述第二导电类型的第二种半导体区与基区直接接触形成异质结时，或是当所述第二导电类型的第二种半导体区不与基区直接接触而是通过一个二极管与发射极连接时，体内载流子存储效应可以得到提高。与传统超结IGBT器件相比，本发明的超结IGBT器件可以获得更低的导通压降，并且其击穿电压更不容易受电荷非平衡的影响。
技术研发人员：黄铭敏
受保护的技术使用者：四川大学
技术研发日：2017.06.22
技术公布日：2017.10.20