技术特征：
技术总结
本发明提供了一种沟槽型功率器件及其制作方法。所述沟槽型功率器件的制作方法包括：在第一N型外延层表面制作氧化层，并在所述氧化层形成注入窗口；利用所述注入窗口进行P型注入，并在所述第一N型外延层形成P型埋层；在所述第一N型外延层表面形成第二N型外延层，其中所述第二N型外延层覆盖所述P型埋层；对所述第二N型外延层进行刻蚀，并在所述P型埋层的内侧和外侧分别形成主结沟槽和场限环沟槽；对所述沟槽进行P型注入，并在所述沟槽侧壁形成P型注入区域，其中所述主结沟槽和所述场限环沟槽的侧壁的P型注入区域与所述第二N型外延层分别形成所述沟槽型功率器件的主结和场限环。
技术研发人员：罗灿
受保护的技术使用者：罗灿
技术研发日：2017.07.12
技术公布日：2017.11.03