技术特征：
技术总结
本发明涉及一种功率半导体装置，包括基底(6)；布置在基底(6)上并与基底(6)导电连接的功率半导体部件(11)；导电负载电流端子元件(5，5′，5″)；基底布置于其上的冷却装置(2)；以及分别具有压力元件(4a)和弹性变形元件(4b)的压力装置(4)，压力元件(4a)可在基底的法线(N)方向上移动，所述弹性变形元件(4b)布置在压力元件(4a)和指定的负载电流端子元件(5，5′，5″)之间，其中压力元件(4a)通过弹性变形元件(4b)将指定的负载电流端子元件压在基底的导电接触区域(6a′)上，从而产生导电压力接触。本发明提供了一种功率半导体装置(1，1′)，其负载电流端子元件(5，5′，5″)以可靠的方式导电连接到基底(6)。
技术研发人员：马库斯·贝克;亚历山大·施耐德;哈特穆特·库拉斯;帕特里克·格拉施尔;克里斯蒂安·蔡勒
受保护的技术使用者：赛米控电子股份有限公司
技术研发日：2017.08.23
技术公布日：2018.03.06