技术特征：
技术总结
本发明提供一种浅沟槽隔离结构、半导体器件及制备方法，浅沟槽隔离结构制备包括：提供半导体衬底，定义相互垂直的横向及纵向，形成第一掩膜层，包括复数条平行排布且相对于纵向呈第一倾角的第一掩膜单元；形成第二掩膜层，包括复数个阵列排布的辅助窗口，每一行辅助窗口相对于纵向呈第二倾角等间距排布；将第一掩膜层及第二掩膜层的图案转移至半导体衬底内，形成第一浅沟槽及第二浅沟槽；形成阻挡层，继续刻蚀形成第一浅沟槽隔离结构及第二浅沟槽隔离结构。通过上述方案，本发明改善了FIN结构的不对称性，使器件结构在相邻的浅沟槽隔离结构之间形成时具有相同的深度，改善了电场强度的差异问题，改善填充材料时导致填充层内部出现填充孔洞的现象。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：睿力集成电路有限公司
技术研发日：2017.12.01
技术公布日：2018.04.20