技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法。所述终端结构包括N型衬底、形成于所述N型衬底表面的第一P型注入区、形成于所述N型衬底及第一P型注入区表面的N型外延层、形成于所述N型外延层表面的沟槽、形成于所述沟槽表面的P型扩散区域、形成于所述沟槽底部且贯穿所述N型外延层及所述P型扩散区域的通孔、形成于所述P型扩散区表面及所述通孔孔壁的氧化硅层、及形成于所述氧化硅层及所述第一P型注入区表面且位于所述通孔及所述沟槽中的多晶硅层。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：深圳市晶特智造科技有限公司
技术研发日：2017.12.08
技术公布日：2018.05.15