技术特征：
技术总结
本发明涉及一种用于系统级封装的硅通孔转接板，包括：第一TSV区(102)和第二TSV区(103)，位于Si衬底(101)内且上下贯通Si衬底(101)；第一隔离区(104)和第二隔离区(105)，位于第一TSV区(102)和第二TSV区(103)之间；三极管器件区(106)，位于第一隔离区(104)和第二隔离区(105)之间；互连线(107)，用于对第一TSV区(102)的第一端面、第二TSV区(103)的第一端面和三极管进行串行连接；金属凸点(108)，位于第一TSV区(102)的第二端面和第二TSV区(103)的第二端面之上。本发明提供的硅通孔转接板通过在硅通孔转接板上设置三极管作为ESD防护器件，解决了基于TSV工艺的集成电路系统级封装抗静电能力弱的问题，增强了集成电路系统级封装的抗静电能力。
技术研发人员：张捷
受保护的技术使用者：西安科锐盛创新科技有限公司
技术研发日：2017.12.15
技术公布日：2018.05.29