半导体功率器件及其制作方法与流程

技术总结
本发明提供一种半导体功率器件及其制作方法。所述半导体功率器件包括有源区、位于所述有源区外围的分压区域及位于所述分压区域外围的划片道，所述划片道包括硅基体、形成于所述硅基体表面的沟槽、及形成于所述沟槽内侧的所述硅基体表面的N型注入区。

技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：深圳市晶特智造科技有限公司
技术研发日：2017.12.18
技术公布日：2018.06.01