技术总结
本发明公开了一种光电耦合器封装电镀工艺，其特征在于包括下列步骤：(1)固晶；(2)第一次高温烘烤固化；(3)焊线；(4)点胶；(5)第二次高温烘烤固化；(6)白胶封装；(7)第三次高温烘烤固化；(8)残胶切除；(9)镀锡作业；(10)黑胶封装；(11)第四次高温烘烤固化；(12)最后对产品引脚进行弯折成型。在此工艺下制成的光电耦合器，镀层覆盖率能达到99.9％以上，不良基本杜绝，极大的提高了生产效率及产品质量稳定性。
技术研发人员：孙凤义;高康;黄伟鹏
受保护的技术使用者：珠海市大鹏电子科技有限公司
技术研发日：2017.12.22
技术公布日：2018.06.12