一种应用于SOT26半导体封装的集成电路新型结构的制作方法

本实用新型属于集成电路封装技术领域，具体涉及一种应用于SOT26半导体封装的集成电路新型结构。

背景技术：

IC芯片的封装包括贴片式和双列直插式，其中，贴片是电子产品小型化、微型化的产物，在焊装时，它不需要过孔，焊接面和器件在一面，这样的器件形式，被叫做贴片封装。贴片封装是一类的封装技术的统一称呼，它包括多种封装形式和技术，其中有SOP(small out-line package)、SOT(small out-line transistor)、QFP(quad flat package)、BQFP(quad flat package with bumper)、PLCC(plastic leaded chip carrier)、QFN(quad flat non-leaded package)、PGA(butt joint pin grid array)、BGA(ball grid array)等等。

其中，SOT系列主要有SOT-23、SOT-223、SOT-25、SOT-26、SOT323、SOT-89等。当电子产品尺寸不断缩小时，其内部使用的半导体器件也必须变小，所以更小的半导体器件使得电子产品能够更小、更轻、更便携，相同尺寸包含的功能更多。对于半导体器件，其价值最好的体现在：PCB占用空间和封装总高度上，优化了这些参数才能在更小的PCB上更紧凑地布局。SOT封装既大大降低了高度，又显著减小了PCB占用空间。但是现有的SOT封装中，在使用过程中，由于塑封与金属的引线框之间内在的热膨胀系数失配而引起应力，严重的情况下封装体会弯曲变形到足够的程度而损害器件的功能。

技术实现要素：

因此，针对上述的问题，本实用新型提出一种应用于SOT26半导体封装的集成电路新型结构，对现有的SOT26引线框结构进行改进，使防止静态漏电流的产生，而且还能进一步加强芯片的散热效果。

为了解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是，一种应用于SOT26半导体封装的集成电路新型结构，包括基岛以及基岛上设置的芯片；所述基岛上设有用于粘接芯片的下凹平台，下凹平台位于基岛的中心位置，且下凹平台的面积大于芯片的面积；其中，下凹平台上还具有一导热带，导热带的长度至少大于芯片的长度(或者与下凹平台的长度相同)，导热带的宽度小于芯片的宽度；导热带上涂覆导热硅脂，下凹平台的其余区域(除导热带以外区域)涂覆有绝缘散热硅胶，芯片固定于粘接于绝缘散热硅胶之上。本新型将芯片固定于下凹平台上，安装时，芯片位于封装体的中心弯曲轴线上，这样芯片表面的应力就会减小，也就是说防止由于塑封与金属的引线框之间内在的热膨胀系数失配而引起的应力。

另外，现有的SOT26封装中，应力的集中点位于每个冲制引线框架底部的边缘，当冲制成形时，冲头穿过片状金属形成一个圆角，它由于摩擦力拉动材料时形成，相反，在出口面一些金属会凸，出形成毛刺，毛刺很锋利并且是应力容易集中之处，一旦出现裂纹，裂纹就会沿着粘接芯片的支撑平台边缘的毛刺向一条水汽浸入通道，这种内部裂纹比较隐蔽，无法用普通的X射线技术探测，为防止此种情况下的应力导致的损害，作为一种进一步的方案，基岛的边缘还开设有至少一个沟槽，同时，该沟槽内填充有导热硅脂，开设沟槽用以防止当应力集中于边缘毛刺时而导致裂纹的发生，填充导热硅脂不仅可保证引线框与塑封之间的气密性，还能起到一定的散热效果。

进一步的，所述导热带的宽度d2满足：0.10<d2<0.28mm(毫米)。

进一步的，所述下凹平台的深度h满足：0.05<h<0.18mm。

进一步优选的，所述导热带的长度还满足d1<1.3mm。

进一步的，该集成电路新型结构还包括电源输入脚、电源输出脚和地线脚，芯片的上表面还设有输入焊盘、输出焊盘和接地焊盘，电源输入脚通过金丝键合连接输入焊盘，电源输出脚通过金丝键合连接输出焊盘，地线脚通过金丝键合连接接地焊盘。

本实用新型采用上述方案，与现有技术相比，通过将芯片固定于下凹平台上，可大大减小塑封与金属的引线框之间内在的热膨胀系数失配而引起的芯片表面的应力；另外，在基岛的边缘开设填充有导热硅脂的沟槽，可防止当应力集中于边缘毛刺时而导致裂纹的发生，同时，填充的导热硅脂不仅可保证引线框与塑封之间的气密性，还能起到一定的散热效果。

附图说明

图1为本实用新型的实施例的集成电路新型结构的示意图一(未放置芯片)；

图2为本实用新型的实施例的集成电路新型结构的示意图二(未放置芯片)；

图3为本实用新型的实施例的集成电路新型结构的示意图三(放置芯片后)。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

作为一个具体的实例，参见图1-图3，本实用新型的一种应用于SOT26半导体封装的集成电路新型结构，包括基岛1以及基岛1上设置的芯片2；所述基岛1上设有用于粘接芯片2的下凹平台3，下凹平台3位于基岛1的中心位置，且下凹平台3的面积大于芯片2的面积，一般是下凹平台3的长和宽均大于芯片2的长宽；其中，下凹平台3上还具有一导热带4，本实施例中，导热带4的长度d1与下凹平台3的长度相同，实际制作中，导热带4的长度至少大于芯片2的长度，优选的，导热带4的长度满足d1<1.3mm。导热带4的宽度d2小于芯片2的宽度，优选的，宽度d2满足：0.10<d2<0.28mm(毫米)。导热带4上涂覆导热硅脂，下凹平台3的其余区域(除导热带4以外区域)涂覆有绝缘散热硅胶，芯片2固定于粘接于绝缘散热硅胶之上。一般的，下凹平台3的深度h 满足：0.05<h<0.18mm。本新型将芯片2固定于下凹平台3上，安装时，芯片2位于封装体的中心弯曲轴线上，这样芯片2表面的应力就会减小，从而防止由于塑封与金属的引线框之间内在的热膨胀系数失配而引起的应力。

另外，现有的SOT26封装中，应力的集中点位于每个冲制引线框架底部的边缘，当冲制成形时，冲头穿过片状金属形成一个圆角，它由于摩擦力拉动材料时形成，相反，在出口面一些金属会凸，出形成毛刺，毛刺很锋利并且是应力容易集中之处，一旦出现裂纹，裂纹就会沿着粘接芯片2的支撑平台边缘的毛刺向一条水汽浸入通道，这种内部裂纹比较隐蔽，无法用普通的X射线技术探测，为防止此种情况下的应力导致的损害，作为一种进一步的方案，参见图2，基岛1的边缘还开设有至少一个沟槽11，同时，该沟槽11内填充有导热硅脂，开设沟槽用以防止当应力集中于边缘毛刺时而导致裂纹的发生，填充导热硅脂不仅可保证引线框与塑封之间的气密性，还能起到一定的散热效果。

另外，参见图3，该集成电路新型结构还包括电源输入脚5、电源输出脚6和地线脚7，芯片22的上表面还设有输入焊盘21、输出焊盘22和接地焊盘23，电源输入脚5通过金丝键合连接输入焊盘21，电源输出脚6通过金丝键合连接输出焊盘22，地线脚7通过金丝键合连接接地焊盘23。

尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本实用新型做出各种变化，均为本实用新型的保护范围。