存储器的制作方法

技术特征：

1.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括：

一衬底，所述衬底中形成有沿第一方向和第二方向呈阵列排布的多个有源区，且所述有源区沿所述第二方向延伸，所述衬底中还形成有至少一条隔离线，所述隔离线隔离在所述第二方向上相邻的所述有源区；

多条位线结构，位于所述衬底上，所述位线结构沿第三方向延伸且对准连接所述有源区中的源极，每条所述位线结构包括一位线导体及覆盖所述位线导体的位线隔离层；

多个存储节点接触，位于所述衬底上，每个存储节点接触对准所述有源区中的一个漏极，在所述第二方向上相邻的所述存储节点接触之间具有一开口，所述开口对准所述隔离线；及，

接触间隔，填充于所述开口中，所述接触间隔包括一第一接触间隔材料层及一第二接触间隔材料层，其中所述第一接触间隔材料层形成有孔隙，所述第二接触间隔材料层填充所述孔隙。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述开口的深宽比大于或等于5，所述开口在所述第二方向上的截面宽度为小于或等于20nm，且所述开口的深度为大于或等于150nm。

3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一接触间隔材料层和所述第二接触间隔材料层的材质的介电常数为1～10且所述第二接触间隔材料层的底面材料的材质相异于所述第一接触间隔材料层的表面材料的材质。

4.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一接触间隔材料层包括介电覆盖层及介电间隔层，所述介电覆盖层形成于所述衬底上，所述介电覆盖层覆盖所述开口，所述介电覆盖层的材质包含氮化硅与氧化硅的其中之一，所述介电间隔层形成于所述介电覆盖层上，并在所述开口中提供所述孔隙，所述介电间隔层的材质包含氧化硅与氮化硅的其中之一，并且所述介电间隔层的材质与所述介电覆盖层的材质为不相同。

5.如权利要求1～4中任一项所述的存储器，其特征在于，位于所述接触间隔两侧的所述存储节点接触的顶面低于所述接触间隔的顶面。

6.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括：

一衬底，所述衬底中形成有呈阵列排布的多个有源区，所述衬底中还形成有沿第一方向延伸的至少一条隔离线，且所述有源区沿第二方向延伸，所述隔离线隔离在所述第二方向上相邻的所述有源区；

多条位线结构，位于所述衬底上，所述位线结构沿第三方向延伸且对准连接所述有源区中的源极；

多个存储节点接触，位于所述衬底上，每个存储节点接触对准所述有源区中的一个漏极，在所述第二方向上相邻的所述存储节点接触之间具有多个开口，所述开口对准所述隔离线；及

多个接触间隔，填充于所述开口中，所述接触间隔包括一第一接触间隔材料层及一第二接触间隔材料层，其中所述第一接触间隔材料层的表面包含介电间隔层，所述介电间隔层沿着所述第二方向的截面具有V形且往所述衬底延伸的裂痕，所述第二接触间隔材料层填充由所述介电间隔层所构成的裂痕。

7.如权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述介电间隔层的裂痕深度大于或等于所述开口的深度30％。

8.如权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述介电间隔层的裂痕宽度小于或等于所述开口宽度40％。

9.如权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述介电间隔层沿着所述第二方向的截面呈V形。

10.如权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述介电间隔层的材质包含氧化硅与氮化硅的其中之一。

11.如权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述第二接触间隔材料层的材质包含氮化硅和氧化硅的其中之一，且所述第二接触间隔材料层的底面材料的材质相异于所述介电间隔层的材质。

12.如权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述第一接触间隔材料层还包括介电覆盖层，所述介电覆盖层形成于所述衬底上，所述介电覆盖层覆盖所述开口，所述介电覆盖层的材质包含氮化硅与氧化硅的其中之一，所述介电间隔层形成于所述介电覆盖层上，并且所述介电间隔层的材质与所述介电覆盖层的材质为不相同。