有机电致发光元件以及制造有机电致发光元件的方法与流程

本公开涉及一种有机电致发光元件以及一种制造有机电致发光元件的方法。

背景技术：

近年来，有机电致发光元件用作发光装置的照明设备和显示设备变得广泛可用。因此，为了进一步提高照明设备和显示设备的亮度，需要一种有效地从有机电致发光元件中的发光层提取光的技术。

例如，下面的专利文献1公开了一种结构(所谓的阳极反射器结构)，其中，有机电致发光元件形成在包括第一元件的凹陷结构的底部，并且凹陷结构填充有第二元件。根据专利文献1，由于可以通过利用第一元件和第二元件之间的折射率差来反射从有机电致发光元件发射的光的一部分，所以可以提高光提取效率。

引文列表

专利文献

专利文献1：JP 2013-191533A

技术实现要素：

技术问题

然而，在上述专利文献1中公开的结构中，由于凹陷结构的水平差大，所以难以在凹陷结构的底部稳定地蒸发有机电致发光元件的有机膜。因此，在专利文献1中公开的有机电致发光元件中，经常发生诸如局部异常发光和电流泄漏等故障。

因此，本公开提出了一种新颖且改进的有机电致发光元件和一种制造有机电致发光元件的方法，其可以抑制诸如局部异常发光和电流泄漏等故障的发生。

问题的解决方案

根据本公开，提供了一种有机电致发光元件，包括：凹陷结构，其中，第一电极设置在底部，第一元件用作侧壁；第二电极，其被配置为覆盖凹陷结构的整个表面；以及有机发光层，其包含蒸发材料并夹在第二电极和凹陷结构之间。在有机发光层中，含有泄露材料的层的膜厚在凹陷结构的底部是不均匀的，并且有机发光层的整个膜厚在凹陷结构的底部是大致均匀的。

另外，根据本公开，提供了一种制造有机电致发光元件的方法，包括：形成凹陷结构，其中，第一电极设置在底部，第一元件用作侧壁；在凹陷结构上沉积含有蒸发材料的有机发光层；并且在有机发光层上形成第二电极。沉积在有机发光层中含有泄漏材料的层，使得膜厚在凹陷结构的底部处变得不均匀，并且有机发光层的膜厚在凹陷结构的底部处在整体上变得大致均匀。

根据本公开，在有机电致发光元件的有机发光层中，可以控制含有泄露材料的层的膜厚，使得电流泄露不流动，并且可以控制整个有机发光层的膜厚，使得不发生局部异常发光。

发明的有益效果

如上所述，根据本公开，可以提供一种有机电致发光元件，其中，抑制了诸如局部异常发光和电流泄漏等故障的发生。

注意，上述效果不一定是限制性的。利用或代替上述效果，可以实现本说明书中描述的任何一种效果或可以从本说明书中理解的其他效果。

附图说明

图1是示出根据本公开的第一实施方式的包括有机电致发光元件的显示设备的截面结构的示意图；

图2是示出根据该实施方式的有机发光层的膜厚分布的示例的示意图；

图3是示出根据该实施方式的有机发光层的膜厚分布的示例的示意图；

图4是放大图3的凹陷结构的底部的周边部分附近的示意图；

图5是示出根据该实施方式的有机电致发光元件的第一层结构的示意图；

图6是示出根据该实施方式的有机电致发光元件的第二层结构的示意图；

图7是示出根据该实施方式的变体的有机电致发光元件的层结构的示意图；

图8是示出根据该变体的有机发光层的膜厚分布的示例的示意图；

图9是示出根据该变体的有机发光层的膜厚分布的示例的示意图；

图10是示出蒸发含有泄漏材料的层的方法的示意图；

图11是示意性地示出用于蒸发不含有泄漏材料的层的线型蒸发源的透视图；

图12是描述蒸发不含有泄漏材料的层的方法的示意图；

图13是示出使用线型蒸发源更均匀地沉积膜厚的蒸发方法的示意图；

图14是示出使用线型蒸发源更均匀地沉积膜厚的蒸发方法的示意图；

图15是示出使用线型蒸发源更均匀地沉积膜厚的蒸发方法的示意图；

图16是示出根据本公开的第二实施方式的包括有机电致发光元件的显示设备的截面结构的示意图；

图17是示出根据该实施方式的有机发光层的膜厚分布的示例的示意图；

图18是示出根据该实施方式的有机发光层的膜厚分布的示例的示意图；

图19是示出根据该实施方式的有机发光层的膜厚分布的示例的示意图；

图20是示出根据该实施方式的有机发光层的膜厚分布的示例的示意图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图，详细描述本公开的优选实施方式。注意，在本说明书和附图中，具有基本相同的功能和结构的结构元件用相同的附图标记表示，并且省略对这些结构元件的重复说明。

注意，将按以下顺序提供描述。

1、第一实施方式

1.1、显示设备的结构

1.2、有机电致发光元件的结构

1.3、有机电致发光元件的层结构

1.4、变体

1.5、制造有机电致发光元件的方法

2、第二实施方式

2.1、显示设备的结构

2.2、有机电致发光元件的结构

3、结论

<1、第一实施方式>

[1.1、显示设备的结构]

首先，将参考图1描述包括根据本公开的第一实施方式的有机电致发光元件的显示设备的结构。图1是示出根据本实施方式的包括有机电致发光元件的显示设备的截面结构的示意图。

如图1所示，根据本实施方式的显示设备1是顶部发光系统(所谓的顶面发光系统)显示设备，其中，有机电致发光元件用作发光装置。在显示设备1中，多个有机电致发光元件以矩阵形式位于驱动衬底上的预定区域中，并且每个有机电致发光元件用作像素。

具体地，根据本实施方式的显示设备1包括衬底11、栅电极12、栅极绝缘膜13、半导体层14、层间绝缘膜15、具有漏电极17A和源电极17B的薄膜晶体管、第一电极21和具有有机发光层10和第二电极22的有机电致发光元件。此外，通过由保护层33覆盖，来保护有机电致发光元件。注意，薄膜晶体管通过形成在第一平坦化膜16A、第二平坦化膜16B和第三平坦化膜16C内部的接触插头18连接到有机电致发光元件。

另外，有机电致发光元件设置在凹陷结构30内，其中，第一元件31用作侧壁，凹陷结构30填充有折射率高于第一元件31的第二元件32。由于折射率的差异，这允许第一元件31和第二元件32用作光反射部分，因此通过反射从有机电致发光元件发射的光的一部分，可以提高光提取效率。

此外，在第二元件32上，例如，设置密封材料层34、光学调整层35和对置衬底36，以便保护有机电致发光元件或显示设备1。

衬底11是显示设备1的支撑体。衬底11可以是例如任何类型的玻璃衬底、诸如硅衬底等半导体衬底、任何类型的树脂衬底等。另外，衬底11可以是透明衬底或可弯曲柔性衬底。在衬底11上，驱动电路包括控制有机电致发光元件的发光的薄膜晶体管。

栅电极12设置在衬底11上的可选区域中。栅电极12可以包含例如铝(Al)、多晶硅等金属。注意，栅电极12连接到图1中未示出的扫描电路。

栅极绝缘膜13设置在衬底11的整个表面上，以便覆盖栅电极12。栅极绝缘膜13可以包含例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等。

半导体层14设置在栅极绝缘膜13上。半导体层14可以包含例如非晶硅、多晶硅、氧化物半导体等。另外，半导体层14的部分区域掺杂有p型或n型杂质，并形成漏极区域和源极区域(未示出)。此外，在漏极区域和源极区域之间以及栅电极12上方的半导体层14的区域中形成沟道区域(未示出)。因此，在衬底11上设置底栅型薄膜晶体管。注意，薄膜晶体管具有图1中的底栅型结构，毋庸置疑，可以采用顶栅型结构。

层间绝缘膜15设置在半导体层14上。层间绝缘膜15可以包含例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)等。另外，层间绝缘膜15设置有接触孔。漏电极17A和源电极17B可以通过为层间绝缘膜15提供的接触孔连接到半导体层14。注意，例如，漏电极17A和源电极17B可以包含诸如铝(Al)等金属。

第一平坦化膜16A、第二平坦化膜16B和第三平坦化膜16C设置在形成在衬底11上的诸如薄膜晶体管等驱动电路上，并通过覆盖来平坦化驱动电路。第一平坦化膜16A、第二平坦化膜16B和第三平坦化膜16C可以包括例如聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、酚醛清漆树脂等的有机绝缘膜、或氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)等的无机绝缘膜。

接触插头18设置在第一平坦化膜16A、第二平坦化膜16B和第三平坦化膜16C内，并且电连接薄膜晶体管和有机电致发光元件。薄膜晶体管可以经由接触插头18控制有机电致发光元件的发光。例如，接触插头18可以包含诸如铜(Cu)等金属。

第一电极21用作有机电致发光元件的阳极，并且设置在凹陷结构30的底部，其中，第一元件31用作侧壁。第一电极21可以形成为具有诸如铝(Al)、铝合金、铂(Pt)、金(Au)、铬(Cr)或钨(W)等金属的光反射电极。另外，第一电极21可以形成为具有透明导电材料(例如，氧化铟锌)的透明电极。在第一电极21是透明电极的情况下，可以在第一电极21和衬底11之间提供包含诸如Al、Ag、Pt、Au、Cr或W等金属的光反射层。例如，第一电极21具有100nm至300nm的厚度。

有机发光层10是在施加电场时发光的层以及主要包含蒸发有机材料的层。具体地，在有机发光层10中，当施加电场时，从第一电极21向有机发光层10注入空穴，并且从第二电极22向有机发光层10注入电子。注入的空穴和电子在有机发光层10内重新结合，以形成激子，并且当发光材料被激子的能量激发时，产生荧光或磷光。

另外，有机发光层10包括用于每个功能的多个层。根据本实施方式的有机电致发光元件的特征在于有机发光层10的特定层的膜厚分布。稍后将描述有机发光层10的详细结构。

第二电极22用作有机电致发光元件的阴极，并且设置在有机发光层10上。第二电极22具有透光性，并且可以由具有小功函数的材料形成为透明电极。第二电极22可以包含例如氧化铟锌、镁(Mg)、银(Ag)或其合金。例如，第二电极22具有3nm至200nm的厚度。

另外，第二电极22可以包括多层膜。具体地，第二电极22可以形成为包含钙(Ca)、钡(Ba)、锂(Li)、铯(Cs)、铟(In)、镁(Mg)或银(Ag)的第一层的、以及包含镁(Mg)、银(Ag)或其合金的第二层的层压膜。

保护层33设置在第二电极22上，并防止水分进入有机发光层10。保护层33可以用具有例如高光学透明度和低渗透性的材料形成为1μm至8μm。保护层33可以包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧化铝(AlOx)、氧化钛(TiOx)或其组合。

第一元件31设置在第三平坦化膜16C上，并将有机电致发光元件分成相应像素。例如，第一元件31形成为具有倾斜部分的大致平行六面体形状(即，锥形形状)。因此，包括第一元件31的凹陷结构30具有向衬底11的相对侧打开的结构(即，倒锥形形状)。第一元件31包括具有比第二元件32更低的折射率的低折射率材料，并且例如，可以包括诸如聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂或酚醛清漆树脂等有机绝缘膜、或诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiON)等无机绝缘膜等。

第二元件32设置在保护层33上，以便填充包括第一元件31的凹陷结构30。第二元件32包含折射率高于第一元件31的高折射率材料，并且例如，可以包括诸如聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂或酚醛清漆树脂等透明有机绝缘膜、诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(Si1-xNx)、氮氧化硅(SiON)等透明无机绝缘膜等。由于这允许第一元件31和第二元件32相对于从有机电致发光元件发射的光用作光反射部分，因此可以提高从有机电致发光元件提取光的效率。

密封材料层34是粘合衬底11和对置衬底36的粘合层。密封材料层34可以是例如UV可固化树脂或热固性树脂。具体地，将密封材料层34施加到第二元件32上并粘合到对置衬底36，然后通过紫外线或热固化，以粘合衬底11和对置衬底36。

光学调整层35是设置在对置衬底36的表面上的滤色器或黑矩阵。光学调整层35可以利用滤色器来分色有机电致发光元件中产生的光并提取光。另外，光学调整层35可以通过吸收由相应像素之间的互连线反射的不必要的外部光等来提高显示设备1的对比度。

通过用密封材料层34粘合到衬底11，对置衬底36密封有机电致发光元件，以保护有机电致发光元件和显示设备1。对置衬底36可以是例如具有高光学透明度的衬底，例如，玻璃衬底和树脂衬底。

[1.2、有机电致发光元件的结构]

随后，将参考图2至图4，更具体地描述根据本实施方式的有机电致发光元件的结构。图2和图3是放大图1的有机电致发光元件的示意图，并且示出了有机发光层的膜厚分布的示例。图4是放大图3的凹陷结构30的底部的周边部分附近的示意图。

在根据本实施方式的有机电致发光元件中，在有机发光层10中含有泄露材料的层10A的膜厚在凹陷结构30的底部是不均匀的，并且整个有机发光层10的膜厚在凹陷结构30的底部是大致均匀的。注意，含有泄露材料的层10A例如是空穴注入层、空穴传输层等。

具体地，如图2所示，根据本实施方式的有机电致发光元件在凹陷结构30的底部的周边部分处不形成含有泄露材料的层10A，而是在凹陷结构30的底部的周边部分处使含有泄露材料的层10A断开。

在凹陷结构30中形成的有机电致发光元件中，由于有机发光层10的膜厚分布的不对称性，所以发生电流泄漏，并且所产生的泄露电流在有机发光层10的膜厚很厚的方向上流动。因此，在根据本实施方式的有机电致发光元件中，通过使含有极大地影响电流泄漏的泄露材料的层10A的膜厚分布不均匀，可以抑制电流泄漏。

例如，在图2所示的结构中，通过在凹陷结构30的底部的周边部分处使含有泄露材料的层10A断开，即使在发生电流泄漏的情况下，也可以防止泄露电流在凹陷结构30的底部从含有泄露材料的层10A泄漏。

另一方面，通过在有机发光层10中形成不含有泄漏材料的层10B，使得膜厚在凹陷结构30的底部的周边部分处变厚，使整个有机发光层10的膜厚在凹陷结构30的底部大致均匀。这是因为在整个有机发光层10的膜厚不均匀的情况下，第一电极21和第二电极22局部接近，使得过电流流动，并且可能发生异常发光。在根据本实施方式的有机电致发光元件中，为了抑制电流泄漏，使含有泄露材料的层10A的膜厚在凹陷结构30的底部处不均匀。因此，根据本实施方式的有机电致发光元件中，使整个有机发光层10的膜厚是大致均匀的，以防止由于抑制电流泄漏而发生诸如异常发光等另一故障。

另外，第一电极21设置在凹陷结构30的底部的中心部分处，并且与作为凹陷结构30的侧壁的第一元件31隔开。因此，不向凹陷结构30的底部的周边部分施加电场。有机发光层10的整个膜厚是大致均匀的；然而，含有泄露材料的层10A与不含有泄露材料的层10B之间的膜厚比在凹陷结构30的底部的周边部分处改变，从而与在凹陷结构30的底部的中心部分处相比，更可能发生诸如异常发光等故障。因此，通过在凹陷结构30的底部的中心部分处设置第一电极21，以便与凹陷结构30的侧壁隔开，来防止施加电场，可以进一步抑制诸如异常发光等故障的发生。

另外，如图3所示，在根据本实施方式的有机电致发光元件中，可以形成含有泄露材料的层10A，使得在凹陷结构30的底部的周边部分和中心部分之间的膜厚不同。更具体地，在根据本实施方式的有机电致发光元件中，可以形成含有泄露材料的层10A，使得凹陷结构30的周边部分的膜厚变得比在的底部的中心部分处的膜厚更薄。

根据图3所示的结构，通过在凹陷结构30的底部的周边部分处使含有泄露材料的层10A的膜厚变薄，即使在发生电流泄漏的情况下，也可以抑制泄露电流从凹陷结构30的底部泄漏到倾斜部分侧。

另外，在图3所示的结构中，通过使在凹陷结构30的底部处的整个有机发光层10的膜厚大致均匀(与图2所示的结构类似)，可以抑制异常发光等故障的发生。此外，通过将第一电极21设置为与作为凹陷结构30的侧壁的第一元件31隔开，可以进一步抑制诸如异常发光等故障的发生。

此外，在图3所示的结构中，可以如下所示设置含有泄露材料的层10A的膜厚和不含有泄露材料的层10B的膜厚。

具体地，如图4所示，在凹陷结构30的底部处，假设在中心部分处含有泄露材料的层10A的膜厚是La1，在周边部分处含有泄露材料的层10A的膜厚是La2，在中心部分处有机发光层10的整个膜厚(即，含有泄露材料的层10A和不含有泄漏材料的层10B的膜厚之和)是Lb1，并且在周边部分处有机发光层10的整个膜厚是Lb2。此时，在有机发光层10中，可以沉积含有泄露材料的层10A和不含有泄露材料的层10B，以满足(La2/La1)<(Lb2/Lb1)的关系。

这是因为即使有机发光层10的整个膜厚在凹陷结构30的底部完全地(例如，大约几纳米)不均匀，如果从凹陷结构30的底部的中心部分到周边部分的有机发光层10的整个膜厚的变化小于含有泄露材料的层10A中的变化，则也可以预期上述效果。即，如果在凹陷结构30的底部处的有机发光层10的整个膜厚的不均匀性小于含有泄露材料的层10A的膜厚的不均匀性，则认为，根据本实施方式的有机电致发光元件能够抑制电流泄漏等。

注意，上述膜厚是通过在垂直于凹陷结构的底部的方向上的预定位置处测量含有泄露材料的层10A和不含有泄露材料的层10B的膜厚而获得的值。为了便于说明，图4在不同位置示出La1和Lb1，毋庸置疑，这些是在相同位置处测量的膜厚。另外，毋庸置疑，La2和Lb2也是在相同位置处测量的膜厚。

因此，根据本实施方式的有机电致发光元件，能够抑制局部异常发光、电流泄露等故障的发生。

注意，为了进一步抑制泄露电流，更优选的是，含有泄露材料的层10A在凹陷结构30的底部的周边部分处断开，如图2所示。然而，为了更容易地制造有机电致发光元件，优选的是，在周边部分处含有泄露材料的层10A的膜厚比在凹陷结构30的底部的中心部分处的膜厚更薄，如图3所示。

[1.3、有机电致发光元件的层结构]

随后，参考图5和图6，将描述根据本实施方式的有机电致发光元件的层结构。图5是示出根据本实施方式的有机电致发光元件的第一层结构的示意图，并且图6是示出根据本实施方式的有机电致发光元件的第二层结构的示意图。

首先，参考图5，将描述根据本实施方式的有机电致发光元件的第一层结构。

如图5所示，第一层结构包括第一电极21、设置在第一电极21上的空穴注入层110、设置在空穴注入层110上的空穴传输层120、设置在空穴传输层120上的发光层130、设置在发光层130上的电子传输层140、设置在电子传输层140上的电子注入层150和设置在电子注入层150上的第二电极22。

在图5中，有机发光层10表示空穴注入层110、空穴传输层120、发光层130、电子传输层140和电子注入层150。此外，含有泄露材料的层10A是空穴注入层110和空穴传输层120(含有泄漏材料的层10A)，不含有泄露材料的层是发光层130、电子传输层140和电子注入层150(不含有泄漏材料的层10B)。注意，第一电极21和第二电极22如图1中所述，因此，在此处省略了描述。

空穴注入层110和空穴传输层120具有提高从第一电极21向发光层130注入空穴的效率的功能。例如，空穴注入层110形成为1nm至20nm的光学膜厚，并且例如，空穴传输层120形成为10nm至200nm的光学膜厚。

作为用于空穴注入层110和空穴传输层120的化合物，可以使用汽油、苯乙烯胺、三苯胺、卟啉、三亚苯、氮杂三亚苯、四氰基醌二甲烷、三唑、咪唑、恶二唑、聚芳基烷、苯二胺、芳胺、恶唑、蒽、芴酮、腙、二苯乙烯或其衍生物。

用于空穴注入层110和空穴传输层120的特定化合物的示例可以包括α-萘基苯基苯二胺(α-NPD)、卟啉、金属四苯基卟啉、金属萘酞菁、六氰基氮杂三亚苯(HAT)、7,7,8,8-四氰基喹啉并二甲烷(TCNQ)、7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟醌二甲烷(F4-TCNQ)、四氰基-4,4,4-三(3-甲基苯基)苯基氨基)三苯胺、N,N,N',N'-四(对-甲苯基)对苯二胺、N,N,N',N'-四苯基-4,4'-二氨基联苯、N-苯基咔唑、4-二-对-甲苯基氨基芪等。

发光层130具有提供空穴-电子重组的位置并促使发光材料发光的功能。具体地，发光层130包含空穴传输材料、电子传输材料和两种电荷传输材料中的至少一种或多种，作为寄主材料，并且还包含荧光或磷光发光材料，作为掺杂剂材料。例如，发光层130形成为5nm至50nm的光学膜厚。

寄主材料的示例可以包括苯乙烯基衍生物、蒽衍生物、并四苯衍生物、咔唑衍生物、芳族胺衍生物、菲咯啉衍生物、三唑衍生物、喹啉金属络合物、菲咯啉衍生物等。

另外，作为掺杂剂材料(发光材料)，可以使用公知的荧光材料和磷光材料。公知的荧光材料的示例可以包括苯乙烯基苯染料、恶唑染料、二萘嵌苯染料、香豆素染料和吖啶染料、芳烃材料，例如，蒽衍生物、并四苯衍生物、并五苯衍生物和衍生物、吡咯甲烷骨架化合物或金属络合物、喹吖啶酮衍生物、氰基亚甲基吡喃衍生物、苯并噻唑化合物、苯并咪唑化合物、金属螯合喔星化合物等。

公知的磷光材料的示例可以包括含有选自钌、铑、钯、银、铼、锇、铱、铂和金中的至少一种金属的有机金属络合物。公知的磷光材料的示例可以包括具有作为中心金属的贵金属元素(例如，Ir)等的Ir(ppy)3的络合物、Ir(bt)2·acac3等的络合物以及PtOEt3等的络合物。

电子传输层140具有提高向发光层130注入电子的效率的功能。电子传输层140形成为例如10nm至200nm的光学膜厚。

用于电子传输层140的化合物的示例可以包括上述三(8-喹啉)铝(Alq3)、具有含氮芳环的化合物等。用于电子传输层140的特定化合物的示例可以包括三(8-喹啉)铝(Alq3)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)和红菲咯啉(Bphen)。

另外，电子传输层140可以包括多个层，并且可以包括掺杂有碱金属元素或碱土金属元素的层。例如，电子传输层140可以包括通过相对于相关层的总质量以0.5质量％至15质量％使上述含有Alq3、BCP或Bphen的层掺杂有诸如锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等碱金属元素以及诸如镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)和钡(Ba)等碱土金属元素而获得的层。

电子注入层150具有提高从第二电极22注入电子的效率的功能。电子注入层150形成为例如0.1nm至10nm的光学膜厚。

用于电子注入层150的化合物的示例可以包括氟化锂(LiF)、氯化钠(NaCl)、氟化铯(CsF)、氧化锂(Li2O)、氧化钡(BaO)等。注意，电子注入层150是任何层，并且根据需要提供。

接下来，将参考图6描述根据本实施方式的有机电致发光元件的第二层结构。

如图6所示，第二层结构包括第一电极21、设置在第一电极21上的空穴注入层110、设置在空穴注入层110上的空穴传输层120、设置在空穴传输层120上的红色发光层130R、设置在红色发光层130R上的发光分离层160、设置在发光分离层160上的蓝色发光层130B和绿色发光层130G、设置在绿色发光层130G上的电子传输层140、设置在电子传输层140上的电子注入层150、以及设置在电子注入层150上的第二电极22。

第二层结构与第一层结构的不同之处在于，包括作为发光层的红色发光层130R、蓝色发光层130B和绿色发光层130G，并且包括发光分离层160。根据第二层结构，可以同时发射属于可见光波长带的从红色到蓝色的宽波长的光。注意，其他相应层与第一层结构中的那些层相似，因此，在此处省略了描述。

在图6中，含有泄露材料的层10A是空穴注入层110和空穴传输层120中的至少一个，不含有泄露材料的层10B是红色发光层130R、发光分离层160、蓝色发光层130B、绿色发光层130G、电子传输层140和电子注入层150。

红色发光层130R包含红色发光材料，并且当从空穴传输层120注入的空穴和从发光分离层160注入的电子组合时，发射红光。具体地，红色发光层130R包含空穴传输材料、电子传输材料和两种电荷传输材料中的至少一种或多种，作为寄主材料，并且还包含荧光或磷光红色发光材料，作为掺杂剂材料。例如，可以通过相对于相关层的总质量以30质量％使4,4-双(2,2-二苯基联苯)联苯(DPVBi)与2,6-双[(4'-甲氧基二苯基氨基)苯乙烯基]-1,5-双氰基萘(BSN)掺杂来形成红色发光层130R。

发光分离层160具有调整空穴和电子注入红色发光层130R、蓝色发光层130B和绿色发光层130G中的功能。具体地，发光分离层160包含空穴传输材料、电子传输材料和两种电荷传输材料中的至少一种或多种，并且通过调整空穴和电子注入各种颜色的发光层，可以调整各种颜色之间的发光平衡。基于各种颜色的发光层的材料和各种颜色之间的所需发光平衡来选择包含在发光分离层160中的材料，并且可以通过适当地使用公知的空穴传输材料、电子传输材料和两种电荷传输材料中的任何一种，来形成发光分离层160。

蓝色发光层130B包含蓝色发光材料，并且当从发光分离层160注入的空穴和从绿色发光层130G注入的电子组合时，发射蓝光。具体地，蓝色发光层130B包含空穴传输材料、电子传输材料和两种电荷传输材料中的至少一种或多种，作为寄主材料，并且还包含荧光或磷光蓝色发光材料，作为掺杂剂材料。例如，可以通过相对于相关层的总质量以2.5质量％使DPVBi与4,4'-双[2-{4-(N,N-二苯基氨基)苯基}乙烯基)联苯(DPAVBi)掺杂来形成蓝色发光层130B。

绿色发光层130G包含绿色发光材料，并且当从蓝色发光层130B注入的空穴和从电子传输层140注入的电子组合时，发射绿光。具体地，绿色发光层130G包含空穴传输材料、电子传输材料和两种电荷传输材料中的至少一种或多种，作为寄主材料，并且还包含荧光或磷光绿色发光材料，作为掺杂剂材料。例如，可以通过相对于相关层的总质量以5质量％使DPVBi与香豆素6掺杂来形成绿色发光层130G。

在根据本实施方式的有机电致发光元件中，有机发光层10的层结构不受特别限制，只要含有泄漏材料的层10A的膜厚在凹陷结构30的底部不均匀并且有机发光层10的整个膜厚在凹陷结构30的底部大致均匀。根据本实施方式的有机电致发光元件的层结构可以是除了上述第一和第二层结构之外的另一层结构。

[1.4、变体]

随后，将参考图7至图9描述根据本实施方式的变体的有机电致发光元件。图7是示出根据本变体的有机电致发光元件的层结构的示意图。

如图7所示，本变体是具有以下结构(所谓的串联结构)的有机电致发光元件：其中，包括发光层(蓝色发光层130B和黄色发光层130Y)的多个发光单元层叠，在其间插入电荷产生层170。

具体地，根据本变体的有机电致发光元件包括第一电极21、设置在第一电极21上的空穴注入层110、设置在空穴注入层110上的第一空穴传输层121、设置在第一空穴传输层121上的蓝色发光层130B、设置在蓝色发光层130B上的第一电子传输层141、设置在第一电子传输层141上的电荷产生层170、设置在电荷产生层170上的第二空穴传输层122、设置在第二空穴传输层122上的黄色发光层130Y、设置在黄色发光层130Y上的第二电子传输层142、设置在第二电子传输层142上的电子注入层150、以及设置在电子注入层150上的第二电极22。

在图7中，含有泄露材料的层是电荷产生层170(含有泄露材料的层10D)，并且不含有泄露材料的层是空穴注入层110、第一空穴传输层121、蓝光发射层130B、第一电子传输层141(不含有泄露材料的层10C)、第二空穴传输层122、黄色发光层130Y、第二电子传输层142和电子注入层150(不含有泄漏材料的层10E)。

注意，第一电极21、第二电极22、空穴注入层110、蓝色发光层130B和电子注入层150如上所述，因此，在此处省略了描述。另外，第一空穴传输层121和第二空穴传输层122与空穴传输层120基本相似，第一电子传输层141和第二电子传输层142与电子传输层140基本相似，因此，在此处省略了描述。

黄色发光层130Y包含黄色发光材料，并且当从第二空穴传输层122注入的空穴和从第二电子传输层142注入的电子组合时，发射黄光。具体地，黄色发光层130Y包含空穴传输材料、电子传输材料和两种电荷传输材料中的至少一种或多种，作为寄主材料，并且还包含荧光或磷光黄色发光材料，作为掺杂剂材料。例如，可以通过相对于相关层的总质量以5质量％使N,N'-二咔唑基-4,4'-联苯(CBP)与三(苯喹啉)铱(Ir(bzq)3)掺杂来形成黄色发光层130Y。

当电场施加到有机电致发光元件时，电荷产生层170具有向设置在阴极侧的第二空穴传输层122注入空穴并将电子注入设置在阳极侧的第一电子传输层141内的功能。

具体地，电荷产生层170包括设置在阳极侧的N层和设置在阴极侧的P层。N层的示例可以包括碱金属、碱土金属或作为给电子金属的稀土金属，或这些金属的金属化合物或有机金属络合物等。P层的示例可以包括具有受体性质的有机化合物，例如，氮杂三亚苯衍生物，例如，六氰基氮杂苯并菲(HAT)、氧化物半导体，例如，氧化钼(MoO3)等。另外，P层还可以包括用于上述空穴注入层110的空穴注入材料。

随后，将参考图8和图9，具体描述具有上述层结构的有机电致发光元件的结构。图8和图9是示出根据本变体的有机发光层的膜厚分布的示例的示意图。

根据本变体的有机电致发光元件具有串联结构，并且含有泄露材料的层10D是电荷产生层170。因此，如图8和图9所示，根据本变体的有机电致发光元件具有以下结构：其中，含有泄漏材料的层10D夹在不含有泄漏材料的层10C和10E之间。

同样，在根据本变体的有机电致发光元件中，在有机发光层10中含有泄露材料的层10D的膜厚在凹陷结构30的底部处是不均匀的，并且整个有机发光层10的膜厚在凹陷结构30的底部处是大致均匀的。

具体地，如图8所示，在根据本变体的有机电致发光元件中，含有泄露材料的层10D未形成在凹陷结构30的周边部分，而是在凹陷结构30的周边部分处断开。因此，根据本变体的有机电致发光元件可以抑制泄露电流流动。

另外，在根据本变体的有机电致发光元件中，通过在有机发光层10中形成不含有泄漏材料的层10C、10E中的至少一个，使得膜厚在凹陷结构30的周边部分处变厚，使整个有机发光层10的膜厚在凹陷结构30处大致均匀。因此，由于第一电极21和第二电极22之间的距离可以保持恒定，所以根据本变体的有机电致发光元件可以抑制诸如异常发光等故障的发生。

另外，如图9所示，在根据本变体的有机电致发光元件中，可以形成含有泄露材料的层10D，使得在凹陷结构30的周边部分和中心部分之间膜厚不同。更具体地，在根据本变体的有机电致发光元件中，可以形成含有泄露材料的层10D，使得在周边部分的膜厚比在凹陷结构30的中心部分处的膜厚更薄。根据图9所示的结构，通过使含有泄露材料的层10D的膜厚在凹陷结构30的周边部分处更薄，根据本变体的有机电致发光元件可以抑制泄露电流流动。

另外，类似地，在根据本变体的有机电致发光元件中，假设在中心部分处含有泄露材料的层10D的膜厚是La1，在周边部分处含有泄露材料的层10D的膜厚是La2，在中心部分处有机发光层10的整个膜厚(即，含有泄露材料的层10D和不含有泄露材料的层10C、10E的膜厚之和)是Lb1，在周边部分处有机发光层10的整个膜厚为Lb2，如上所述。此时，可以沉积有机发光层10，以便满足(La2/La1)<(Lb2/Lb1)的关系。

据此，即使有机发光层10的整个膜厚在凹陷结构30的底部完全地(例如，大约几纳米)不均匀，根据本变体的有机电致发光元件可以抑制电流泄漏等。

因此，同样，在根据本变体的有机电致发光元件中，可以类似地抑制诸如局部异常发光和电流泄漏等故障的发生。

注意，已经在上述变体中进行了描述，假设含有泄露材料的层是电荷产生层170，本变体不限于前述内容。例如，含有泄露材料的层可以是空穴注入层110、空穴传输层120以及电荷产生层170这三层。

[1.5、制造有机电致发光元件的方法]

接下来，将参考图10至图15描述根据本实施方式的制造显示设备1的方法。例如，可以使用以下方法制造根据本实施方式的显示设备1。

首先，通过制备包含上述材料的衬底11并在衬底11上执行预定的沉积和图案化处理，形成包括薄膜晶体管的驱动电路。随后，通过旋涂法、狭缝涂布法等，在驱动电路的整个表面上形成第一平坦化膜16A。随后，通过使用光刻法等图案化成预定形状，来在第一平坦化膜16A中构成开口，并且在开口中形成接触插头18。类似地，形成第二平坦化膜16B和第三平坦化膜16C，并形成接触插头18和第一电极21。

接下来，在其上已形成第一电极21的衬底11上，通过溅射方法、化学气相沉积(CVD)方法等，沉积氮氧化硅(SiON)等的无机绝缘膜，作为第一元件31。随后，通过光刻法和干法蚀刻法，将沉积的第一元件31图案化为预定的凹陷结构30。

随后，通过气相沉积方法，将有机发光层10沉积在其上已形成凹陷结构30的第一元件31上。在此处，有机发光层10的相应层沉积在膜厚分布中，如上所述。稍后将描述沉积具有上述膜厚分布的相应层的方法。接下来，通过溅射法等在有机发光层10上沉积含有氧化铟锌等的第二电极22。

另外，在沉积第二电极22之后，通过CVD方法等形成保护层33，并且通过溅射方法、CVD方法等沉积折射率高于第一元件31的氮化硅(Si1-xNx)，以用第二元件32填充凹陷结构30。此外，使用粘胶树脂粘合衬底11和其上已形成光学调整层35的对置衬底36，作为密封材料层。注意，在第二元件32是具有比第一元件31高的折射率的透明有机树脂的情况下，通过旋涂法通过沉积第二元件32可以用第二元件32填充凹陷结构30。

通过如上所述的步骤，可以制造根据本实施方式的显示设备1。

在此处，将参考图10描述蒸发含有泄漏材料的层10A的方法。图10是描述蒸发含有泄漏材料的层10A的方法的示意图。

如图10所示，通过使用旋转蒸发方法，可以沉积含有泄露材料的层10A，使得在凹陷结构30的周边部分处的膜厚比如上所述在中心部分处的膜厚更薄。

具体地，使用蒸发材料通过其各向同性地扩散的点型蒸发源3旋转作为蒸发目标的衬底11的同时，沉积衬底11。此时，设置点型蒸发源3和衬底11之间的位置关系，使得由衬底11的法线和连接点型蒸发源3和衬底11的中心的直线形成的角度A.变得大于凹陷结构30的锥角。由于通过在这种条件下进行蒸发来使蒸发材料被凹陷结构30的水平差阻挡，所以沉积含有泄漏材料的层10A，使得在凹陷结构30的周边部分处的膜厚比在中心部分处的膜厚更薄。

另外，通过设置点型蒸发源3和衬底11之间的位置关系，使得角度A变大，以使得含有泄露材料的层10A进一步不太可能在凹陷结构30的周边部分处蒸发，还可以形成以下结构：其中，含有泄露材料的层10A在凹陷结构30的周边部分处断开。

随后，将参考图11和图12描述蒸发不含有泄漏材料的层10B的方法。图11是示意性地示出用于蒸发不含有泄漏材料的层10B的线型蒸发源的透视图，图12是描述蒸发不含有泄漏材料的层10B的方法的示意图。

如图11和图12所示，通过在使用线型蒸发源5重复往复运动的同时蒸发不含有泄漏材料的层10B，沉积在凹陷结构30的周边部分处的膜可以比在中心部分处的膜厚更厚，如上所述。因此，可以使得组合了含有泄露材料的层10A和不含有泄露材料的层10B的有机发光层10的膜厚整体上大致均匀。

具体地，线型蒸发源5具有一种结构，其中，在细长元件的纵向方向上设置多个蒸发源51。通过在使这种线型蒸发源5和衬底11在与线型蒸发源5的纵向方向垂直的方向上往复运动的同时，进行蒸发，要沉积的不含有泄露材料的层10B的膜厚可以沉积为在凹陷结构30的周边部分处较厚。

例如，如图12所示，在线型蒸发源5相对于衬底11上的凹陷结构30位于右侧的情况下，不含有泄漏材料的层10B在凹陷结构30的左侧的第一元件31和第一电极21上沉积得更厚。另一方面，在线型蒸发源5相对于衬底11上的凹陷结构30位于左侧的情况下，不含有泄漏材料的层10B在凹陷结构30的右侧的第一元件31和第一电极21上沉积得更厚。通过以往复方式在一个方向上重复这种沉积，不含有泄漏材料的层10B可以在衬底11上的凹陷结构30上沉积，使得在底部的周边部分处的膜厚比在中心部分处更厚。

在使衬底11和线型蒸发源5相对地往复运动的情况下，可以移动衬底11和线型蒸发源5中的任一个。然而，为了抑制作为蒸发目标的衬底11中发生故障，更优选的是，固定衬底11并移动线型蒸发源5。

注意，同样在使用涂覆方法的情况下，可以沉积不含有泄漏材料的层10B，使得在周边部分处的膜厚变得比在凹陷结构30的中心部分处更厚。这是因为，由于表面张力在凹陷结构30的周边部分起作用，所以施加的沉积溶液的弯月面促使执行沉积，使得膜厚在周边部分处比在凹陷结构30的中心部分处更厚。

此外，将参考图13至图15描述使有机发光层10的整个膜厚更均匀的沉积方法。图13至图15是描述用于执行沉积的蒸发方法的示意图，使得使用线型蒸发源5使膜厚更均匀。

例如，在通过含有泄露材料的层10A在凹陷结构30的底部形成不均匀的膜厚分布之后，通过部分不含有泄露材料的层10B解决膜厚分布的不均匀性的情况下，优选的是，沉积不含有泄露材料的层10B的剩余部分，使得在凹陷结构30的底部的膜厚分布变得均匀。因此，下面将描述使用线型蒸发源5沉积具有更均匀膜厚的薄膜的蒸发方法。

为了使在凹陷结构30的底部的膜厚分布更均匀，优选的是，控制线型蒸发源5提供的蒸发源相对于衬底11的方向性。

例如，如图13所示，通过相对于衬底11在纵向方向上平均减小在线型蒸发源5的端部处的蒸发源51A、51C的方向性，并且相对于衬底11平均增加在中心部分处的蒸发源51B的方向性，可以使沉积在衬底11上的薄膜的膜厚分布更均匀。

在相对于衬底11的蒸发的方向性高的情况下，从与衬底11垂直的方向进入衬底11的蒸发材料的比例增加。在这种情况下，沉积在凹陷结构30的侧壁附近的薄膜的膜厚可能很薄。因此，为了增加从与衬底11垂直的方向以外的倾斜方向进入衬底11的蒸发材料，使用相对于衬底11的方向性低的蒸发源。另外，通过在纵向方向在线状蒸发源5的端部设置相对于衬底11的方向性较低的更大量蒸发源，可以使从倾斜方向进入衬底11的蒸发材料有助于沉积的比例更大。

另外，在纵向方向在线型蒸发源5的中心部分的蒸发源51B的平均蒸发量可以小于在端部的蒸发源51A、51C的平均蒸发量。据此，由于相对于衬底11具有低方向性并且从倾斜方向进入衬底11的蒸发材料有助于沉积的比例可以更大，因此沉积在衬底11上的薄膜的膜厚分布可以更均匀。

另外，如图14所示，可以设置线型蒸发源5的蒸发源51A、51B、51C在纵向方向上的设置，以便更详细地，在蒸发源51A、51B、51C的方向性水平上不会出现规律性。因此，线型蒸发源5可以使沉积在衬底11上的薄膜的膜厚分布更均匀。然而，平均而言，优选的是，在纵向方向在线型蒸发源5的端部的蒸发源51A、51C相对于衬底11的方向性较低，并且优选的是，如图13所示，在中心部分处的蒸发源51B相对于衬底11的方向性高。

即，通过在纵向方向上随机设置线型蒸发源5的蒸发源51A、51B、51C，使得在方向性水平上不出现规律性，可以增加进入衬底11的蒸发材料的入射方向部件的多样性。另外，通过防止在蒸发源51A、51B、51C的设置中发生规律性，可以抑制在衬底11上沉积的薄膜中发生周期性图案。

此外，如图15所示，通过在控制线型蒸发源5和衬底11之间的位置关系的同时进行沉积，可以使沉积在衬底11上的薄膜更均匀。具体地，通过在旋转的同时，在与线型蒸发源5的纵向方向垂直的方向上传输作为沉积目标的衬底11，可以使沉积在衬底11上的薄膜更均匀。由于该沉积方法使得蒸发材料能够从更多方向进入衬底11，因此可以使沉积在衬底11上的薄膜的膜厚分布更均匀。注意，毋庸置疑，可以在与纵向方向垂直的方向上移动线型蒸发源5(而不是衬底11)的同时，执行沉积。

通过使用如上所述的蒸发方法，可以在根据本实施方式的显示设备1中适当地控制含有泄露材料的层10A的膜厚分布和有机发光层10的整个膜厚分布。具体地，在凹陷结构30的底部处使含有泄露材料的层10A的膜厚分布不均匀的同时，可以在凹陷结构30的底部处使有机发光层10的整个膜厚分布大致均匀。

<2、第二实施方式>

[2.1、显示设备的结构]

接下来，将参考图16描述根据本公开第二实施方式的包括有机电致发光元件的显示设备的结构。图16是示出根据第二实施方式的包括有机电致发光元件的显示设备的截面结构的示意图。

如图16所示，根据第二实施方式的显示设备2与根据图1所示的第一实施方式的显示设备1的不同之处在于，第一电极21A设置在凹陷结构30的底部的整个表面上。另外，由于第一电极21A和接触插头18可以作为一个金属膜同时沉积在根据第二实施方式的显示设备2中，所以可以将第一平坦化膜16A、第二平坦化膜16B和第三平坦化膜16C集成为平坦化膜16。注意，在图16中，具有与图1中的参考符号相同的参考符号的部件是与图1中的部件类似的部件，并且因此，在此处省略了描述。

在根据第二实施方式的显示设备2中，可以使第一电极21A的面积大于根据第一实施方式的显示设备1中的面积，因此，有机电致发光元件的发光面积可以进一步增加。

然而，在根据第二实施方式的显示设备2中，第一电极21A延伸到凹陷结构30的周边部分，以与第一元件31接触，因此，与在根据第一实施方式的显示设备1中相比，更可能发生诸如局部异常发光等故障。因此，在优先考虑抑制诸如局部异常发光和电流泄漏等故障的发生的情况下，优选的是，采用根据第一实施方式的显示设备1的结构，并且在优先考虑放大有机电致发光元件的发光区域的情况下，优选的是，采用根据第二实施方式的显示设备2的结构。

[2.2、有机电致发光元件的结构]

随后，将参考图17至图20更具体地描述根据第二实施方式的有机电致发光元件的结构。参考图17至图20是放大图16的有机电致发光元件的示意图并且示出了有机发光层的膜厚分布的示例。

如图17至图20所示，在根据第二实施方式的有机电致发光元件中，可以采用参考图2至图9描述的根据第一实施方式的有机电致发光元件的任何结构。据此，与根据第一实施方式的有机电致发光元件类似，根据第二实施方式的有机电致发光元件可以抑制电流泄漏。

例如，如图17所示，在根据第二实施方式的有机电致发光元件中，含有泄露材料的层10A可以在凹陷结构30的底部的周边部分处断开，而不在凹陷结构30的底部的周边部分处形成含有泄露材料的层10A。另外，如图18所示，在根据第二实施方式的有机电致发光元件中，可以形成含有泄露材料的层10A，使得在周边部分处的膜厚变得比在凹陷结构30的底部的中心部分处的膜厚更薄。注意，在这种情况下，含有泄露材料的层10A例如是空穴注入层和空穴传输层。

另外，根据第二实施方式的有机电致发光元件可以是串联型有机电致发光元件，其中，多个发光层层叠，其中，电荷产生层插入多个发光层中。在这种情况下，如图19所示，例如，在根据第二实施方式的有机电致发光元件中，含有泄露材料的层10D可以在凹陷结构30的周边部分处断开，而不在凹陷结构30的周边部分处形成。另外，如图20所示，在根据第二实施方式的有机电致发光元件中，可以形成含有泄露材料的层10D，使得在周边部分处的膜厚比凹陷结构30的中心部分处的膜厚更薄。注意，在这种情况下，例如，含有泄露材料的层10D是电荷产生层。

注意，在图17至图20中所示的任何有机电致发光元件中，在凹陷结构30的底部处的有机发光层10的整个膜厚是大致均匀的。因此，根据第二实施方式的有机电致发光元件还可以抑制局部异常发光的发生。

<3、结论>

如上所述，根据本公开的相应实施方式的有机电致发光元件可以通过使包含在有机发光层中的含有泄露材料的层的膜厚分布在凹陷结构的底部不均匀，来抑制电流泄漏。另外，根据本公开的相应实施方式的有机电致发光元件可以通过使有机发光层的整个膜厚在凹陷结构的底部大致均匀，来抑制诸如异常发光等故障的发生。

因此，根据本公开的相应实施方式的显示设备由于阳极反射器结构可以提高从有机电致发光元件提取光的效率，同时抑制由阳极反射器结构造成的在有机电致发光元件中发生故障。

上面已经参考附图，描述了本公开的优选实施方式，而本公开不限于上述示例。本领域技术人员可以在所附权利要求的范围内找到各种变更和修改，并且应该理解，这些变更和修改将自然地落入本公开的技术范围内。

此外，本说明书中描述的效果仅仅是示出性的或示例性的效果，并不是限制性的。即，利用或代替上述效果，根据本公开的技术可以从本说明书的描述中实现本领域技术人员清楚的其他效果。

另外，本技术还可以如下配置。

(1)一种有机电致发光元件，包括：

凹陷结构，其中，第一电极设置在底部，第一元件用作侧壁；

第二电极，其被配置为覆盖凹陷结构的整个表面；以及

有机发光层，其包含蒸发材料并夹在第二电极和凹陷结构之间，其中，

在有机发光层中，含有泄露材料的层的膜厚在凹陷结构的底部是不均匀的，并且有机发光层的整个膜厚在凹陷结构的底部是大致均匀的。

(2)根据(1)所述的有机电致发光元件，其中，

所述含有泄露材料的层在凹陷结构的底部的周边部分处断开。

(3)根据(1)所述的有机电致发光元件，其中，

所述含有泄露材料的层在凹陷结构的底部的周边部分和中心部分具有不同的膜厚。

(4)根据(3)所述的有机电致发光元件，其中，

所述含有泄露材料的层的膜厚在周边部分比在凹陷结构的底部的中心部分处的膜厚更薄。

(5)根据(4)所述的有机电致发光元件，其中，

在假设在中心部分处的含有泄露材料的层的膜厚为La1，在周边部分含有泄露材料的层的膜厚为La2，并且

假设在中心部分处的有机发光层的整个膜厚为Lb1，并且在周边部分处的有机发光层的整个膜厚为Lb2的情况下，

所述有机发光层满足(La2/La1)<(Lb2/Lb1)的关系。

(6)根据(1)至(5)中任一项所述的有机电致发光元件，其中，

所述含有泄露材料的层包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一个。

(7)根据(1)至(6)中任一项所述的有机电致发光元件，其中，

所述有机发光层包括层叠的多个发光层，所述多个发光层具有插入在所述多个发光层中的电荷产生层，并且

所述含有泄露材料的层至少包括电荷产生层。

(8)根据(1)至(7)中任一项所述的有机电致发光元件，其中，

所述第一电极设置在凹陷结构的底部的中心部分处，并且与凹陷结构的侧壁隔开。

(9)根据(1)至(7)中任一项所述的有机电致发光元件，其中

所述第一电极设置在凹陷结构的底部的整个表面上。

(10)根据(1)至(9)中任一项所述的有机电致发光元件，还包括：

第二元件，其设置在第二电极上并填充凹陷结构，其中，

包括在凹陷结构的侧壁中的第一元件的折射率低于第二元件的折射率。

(11)一种制造有机电致发光元件的方法，包括：

形成凹陷结构，其中，第一电极设置在底部，第一元件用作侧壁；

在凹陷结构上沉积含有蒸发材料的有机发光层；并且

在有机发光层上形成第二电极，其中，

沉积在有机发光层中含有泄漏材料的层，使得膜厚在凹陷结构的底部处变得不均匀，并且有机发光层的整体膜厚在凹陷结构的底部处变得大致均匀。

(12)根据(11)所述的制造有机电致发光元件的方法，其中，

使用点型蒸发源通过旋转蒸发来沉积含有泄漏材料的层。

(13)根据(11)或(12)所述的制造有机电致发光元件的方法，其中，

通过包括多个蒸发源的线型蒸发源来沉积除有机发光层中的含有泄漏材料的层之外的层。

(14)根据(13)所述的制造有机电致发光元件的方法，其中，

设置在线型蒸发源的中心区域中的蒸发源组具有比设置在端部区域中的蒸发源组更高的平均方向性。

(15)根据(13)或(14)所述的制造有机电致发光元件的方法，其中，

设置在线型蒸发源的中心区域中的蒸发源组具有比设置在端部区域中的蒸发源组更小的平均蒸发量。

(16)根据(13)至(15)中任一项所述的制造有机电致发光元件的方法，其中，

为线型蒸发源设置的多个蒸发源被设置成使得在方向性水平上没有规则。

(17)根据(13)至(16)中任一项所述的制造有机电致发光元件的方法，其中，

通过在旋转沉积目标的同时在与线型蒸发源的纵向垂直的方向上传输沉积目标，来沉积除有机发光层中的含有泄露材料的层之外的层。

附图标记列表

1、2 显示设备

10 有机发光层

10A 含有泄漏材料的层

10B 不含有泄漏材料的层

11 衬底

12 栅电极

13 栅极绝缘膜

14 半导体层

15 层间绝缘膜

17A 漏电极

17B 源电极

18 接触插头

21 第一电极

22 第二电极

30 凹陷结构

31 第一元件

32 第二元件

33 保护层

34 密封材料层

35 光学调整层

36 对置衬底。