1.一种光半导体装置，其特征在于，包括：
基座；
光电半导体芯片，设置于该基座上；以及
封装件，覆盖该光电半导体芯片于该基座上，并包含：
耐紫外光透光接着剂；及
多个耐紫外光透光粒子，混合于该耐紫外光透光接着剂中；
其中，该些耐紫外光透光粒子在该封装件的重量百分比大于50％，该些耐紫外光透光粒子与该耐紫外光透光接着剂的折射率差距小于0.02，
且该些耐紫外光透光粒子的紫外光耐久度优于该耐紫外光透光接着剂。
2.如权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，各耐紫外光透光粒子的粒径小于40纳米。
3.如权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，该耐紫外光透光接着剂的材料为硅胶或氟素高分子胶体，该硅胶为甲基系胶体、苯基系胶体、或甲基苯基复合胶体，
其中该耐紫外光透光粒子为石英玻璃粒子或硼玻璃粒子、或其组合，
其中该些耐紫外光透光粒子在该封装件的重量百分比大于或等于70％，该耐紫外光透光粒子的光穿透率大于等或于90％。
4.如权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，该基座具有容置槽，该光电半导体芯片设置于该容置槽内，该封装件填在该容置槽内且覆盖及连接该光电半导体芯片。
5.如权利要求4所述的光半导体装置，其特征在于，该封装件从该容置槽突出并形成透镜。
6.一种光半导体装置，其特征在于，包括：
基座；
光电半导体芯片，设置于该基座上并配置来发出峰值为λ纳米波长的光线；以及
封装件，覆盖该光电半导体芯片于该基座上，并包含：
耐紫外光透光接着剂；及
多个耐紫外光透光粒子，混合于该耐紫外光透光接着剂中；
其中，该些耐紫外光透光粒子在该封装件的重量百分比大于50％，且该些耐紫外光透光粒子的粒径小于λ/4。
7.如权利要求6所述的光半导体装置，其特征在于，该些耐紫外光透光粒子与该耐紫外光透光接着剂的折射率差距小于0.02，该些耐紫外光透光粒子的紫外光耐久度优于该耐紫外光透光接着剂。
8.如权利要求6或7所述的光半导体装置，其特征在于，该些耐紫外光透光粒子的粒径的中位数小于λ/10。
9.如权利要求6或7所述的光半导体装置，其特征在于，各耐紫外光透光粒子的粒径小于40纳米。
10.如权利要求6或7所述的光半导体装置，其特征在于，该耐紫外光透光接着剂的材料为硅胶或氟素高分子胶体，该硅胶为甲基系胶体、苯基系胶体、或甲基苯基复合胶体，
其中该耐紫外光透光粒子为石英玻璃粒子或硼玻璃粒子，或其组合，
其中该些耐紫外光透光粒子在该封装件的重量百分比大于或等于70％，该耐紫外光透光粒子的光穿透率大于等或于90％。
11.如权利要求10所述的光半导体装置，其特征在于，该光电半导体芯片为紫外光发光二极管芯片。
12.如权利要求6或7所述的光半导体装置，其特征在于，该基座具有容置槽，该光电半导体芯片设置于该容置槽内，该封装件填在该容置槽内且覆盖及连接该光电半导体芯片。
13.如权利要求12所述的光半导体装置，其特征在于，该封装件从该容置槽突出并形成透镜。
14.一种光半导体装置的封装件，其特征在于，包括：
耐紫外光透光接着剂；以及
多个耐紫外光透光粒子，混合于该耐紫外光透光接着剂中；
其中，该些耐紫外光透光粒子在该封装件的重量百分比大于50％，该些耐紫外光透光粒子与该耐紫外光透光接着剂的折射率差距小于0.02，且该些耐紫外光透光粒子的紫外光耐久度优于该耐紫外光透光接着剂。
15.如权利要求14所述的封装件，其特征在于，该耐紫外光透光接着剂的材料为硅胶或氟素高分子胶体，该硅胶为甲基系胶体、苯基系胶体、或甲基苯基复合胶体，该耐紫外光透光粒子为石英玻璃粒子或硼玻璃粒子，或其组合，该些耐紫外光透光粒子在该封装件的重量百分比大于或等于70％，该耐紫外光透光粒子的光穿透率大于或等于90％。
16.如权利要求14或15所述的封装件，其特征在于，各耐紫外光透光粒子的粒径小于40纳米。