线圈部件的制作方法

本发明涉及线圈部件。

背景技术：

以往，作为线圈部件，存在日本特开2013-62459号公报(专利文献1)所记载的线圈部件。在专利文献1中记载了共模噪声滤波器，该共模噪声滤波器至少具有：第一绝缘层，其包含玻璃和无机填料并在内部具有多个气孔；一对线圈导体，它们对置配置于该第一绝缘层的表面和背面；以及氧化物磁性体层，其配置于配置有该一对线圈导体的第一绝缘层的上方和下方。在专利文献1所记载的共模噪声滤波器中，在配置有一对线圈导体的第一绝缘层与氧化物磁性体层之间，配置有包含玻璃和无机填料并在内部具有多个气孔的第二绝缘层。

专利文献1：日本特开2013-62459号公报

然而，在专利文献1所记载的共模噪声滤波器中，配置于配置有一对线圈导体的第一绝缘层的上方和下方的氧化物磁性体层，分别具有在其间夹设各两层包含玻璃成分的绝缘层的结构。由于采用了这种结构，从而使由与第一绝缘层不同的材料构成的氧化物磁性体层的烧制收缩行为更接近第一绝缘层，由于能一体同时烧制所以形成为有利的结构。

然而，并不是说仅向氧化物磁性体层之间插入包含玻璃成分的绝缘层就可以了，在包括线圈导体的第一、第二绝缘层的烧制收缩行为接近夹设有包含玻璃的绝缘层的氧化物磁性体层的烧制收缩行为时，不得不以第一、第二绝缘层所包括的线圈导体的比例，对包含玻璃成分的绝缘层的设置场所、体积进行调整，然而，在该文献中并未提及这点。特别是在通过镀敷的方法来制作线圈导体的情况下，线圈导体在烧制时几乎不收缩，因此对于向氧化物磁性体层插入的包含玻璃成分的绝缘层，若不采用更适当的配置或体积，则会因烧制收缩行为的差异而产生产品的破裂、缺损。

本申请发明人潜心研究，结果发现需要以绝缘层所包括的线圈导体的比例，使包含玻璃成分的绝缘层相对于绝缘层的设置场所、体积变化。

技术实现要素：

为此，本发明的课题在于提供能够抑制产品产生破裂、缺损的线圈部件。

为了解决上述课题，本发明的线圈部件具备：

沿层叠方向按顺序层叠的第一外侧磁性体、第一外侧绝缘体、第一内侧磁性体、内侧绝缘体、第二内侧磁性体、第二外侧绝缘体以及第二外侧磁性体；

线圈，其设置于上述内侧绝缘体内；以及

内部磁性体，其在上述内侧绝缘体内设置于上述线圈的内周侧，并被连接于上述第一内侧磁性体和上述第二内侧磁性体，

上述第一外侧绝缘体和上述第二外侧绝缘体的体积A、上述内侧绝缘体的体积B、上述线圈的体积C、上述内部磁性体的体积D、以及上述第一外侧磁性体、上述第一内侧磁性体、上述第二内侧磁性体和上述第二外侧磁性体的体积E之间的关系满足：

在0.05B≤C≤0.2B时，若取A+B+C+D+E＝1，

则0.05≤A≤0.07、并且、0.2≤B≤0.4、并且、0.01≤C≤0.08、并且、0.03≤D≤0.05、并且、0.71≥E≥0.4。

根据本发明的线圈部件，能够抑制产品产生破裂、缺损。

另外，在线圈部件的一个实施方式中，优选上述关系满足0.055≤A≤0.068、并且、0.25≤B≤0.35、并且、0.015≤C≤0.04、并且、0.03≤D≤0.05、并且、0.65≥E≥0.492。

根据上述实施方式，能够进一步抑制产品产生破裂、缺损。

另外，在线圈部件的一个实施方式中，该线圈部件具备：

沿层叠方向按顺序层叠的第一外侧磁性体、第一外侧绝缘体、第一内侧磁性体、内侧绝缘体、第二内侧磁性体、第二外侧绝缘体以及第二外侧磁性体；和

线圈，其设置于上述内侧绝缘体内，

上述第一外侧绝缘体和上述第二外侧绝缘体的体积A、上述内侧绝缘体的体积B、上述线圈的体积C、以及上述第一外侧磁性体、上述第一内侧磁性体、上述第二内侧磁性体和上述第二外侧磁性体的体积E之间的关系满足：

在0.05B≤C≤0.2B时，若取A+B+C+E＝1，

则0.06≤A≤0.08、并且、0.2≤B≤0.4、并且、0.01≤C≤0.08、并且、0.73≥E≥0.44。

根据本发明的线圈部件，能够抑制产品产生破裂、缺损。

另外，在线圈部件的一个实施方式中，优选上述关系满足0.065≤A≤0.075、并且、0.2≤B≤0.3、并且、0.02≤C≤0.035、并且、0.715≥E≥0.59。

根据上述实施方式，能够进一步抑制产品产生破裂、缺损。

另外，在线圈部件的一个实施方式中，该线圈部件具备：

沿层叠方向按顺序层叠的第一外侧绝缘体、第一内侧磁性体、内侧绝缘体、第二内侧磁性体以及第二外侧绝缘体；和

线圈，其设置于上述内侧绝缘体内，

上述第一外侧绝缘体和上述第二外侧绝缘体的总的体积A、上述内侧绝缘体的体积B、上述线圈的体积C、以及上述第一内侧磁性体和上述第二内侧磁性体的总的体积E之间的关系满足：

在0.2B＜C≤0.7B时，若取A+B+C+E＝1，

则0.05≤A≤0.25、并且、0.15≤B≤0.25、并且、0.032≤C≤0.18、并且、0.77≥E≥0.33。

根据本发明的线圈部件，能够抑制产品产生破裂、缺损。

另外，在线圈部件的一个实施方式中，上述关系满足0.1≤A≤0.2、并且、0.175≤B≤0.225、并且、0.037≤C≤0.16、并且、0.69≥E≥0.42。

根据上述实施方式，能够进一步抑制产品产生破裂、缺损。

另外，在线圈部件的一个实施方式中，

优选上述第一外侧绝缘体的体积A1、上述第二外侧绝缘体的体积A2、上述线圈的比上述内侧绝缘体的上述层叠方向的中心面靠上述第一外侧绝缘体侧的体积C1、上述线圈的比上述内侧绝缘体的上述层叠方向的中心面靠上述第二外侧绝缘体侧的体积C2之间的关系满足：

C1与C2不同，A1：A2＝C2：C1。

根据上述实施方式，即便在线圈的体积C1与C2不同的情况下，也能够抑制第一内侧磁性体与内侧绝缘体之间的剥离、和第二内侧磁性体与内侧绝缘体之间的剥离这两种剥离。

另外，在线圈部件的一个实施方式中，优选上述线圈的比上述内侧绝缘体的上述层叠方向的中心面靠上述第一外侧绝缘体侧的圈数、与上述线圈的比上述内侧绝缘体的上述层叠方向的中心面靠上述第二外侧绝缘体侧的圈数不同。

根据上述实施方式，通过使线圈的圈数在第一外侧绝缘体侧和第二外侧绝缘体侧不同，能够任意变更线圈部件的特性。

根据本发明的线圈部件，能够抑制产品产生破裂、缺损。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式的线圈部件的立体图。

图2是线圈部件的剖视图。

图3是线圈部件的分解立体图。

图4是对线圈部件的各部件的体积的计算进行说明的说明图。

图5是表示本发明的线圈部件的第二实施方式的剖视图。

图6是表示本发明的线圈部件的第三实施方式的剖视图。

图7是表示本发明的线圈部件的第四实施方式的剖视图。

图8是表示本发明的线圈部件的第五实施方式的剖视图。

图9是表示本发明的线圈部件的第六实施方式的剖视图。

附图标记说明：

1…层叠体；2、2A～2C…线圈；2a…初级线圈；2b…次级线圈；10、10A～10E…线圈部件；11…第一内侧磁性体12…第二内侧磁性体；13…内侧绝缘体；13a…绝缘层；13b…孔；14…内部磁性体；14a…外周面；21～24…第一～第四线圈导体层；25…连接导体；41～44…第一～第四外部电极；51、52…第一、第二外侧磁性体；61、62…第一、第二外侧绝缘体；70…中心面。

具体实施方式

以下，通过图示的实施方式对本发明详细地进行说明。其中，本发明的线圈部件和各构成要素的形状、配置等并不限定于以下说明的实施方式和图示的结构，能够在不脱离本发明的要旨的范围内进行设计变更。

(第一实施方式)

图1是表示本发明的第一实施方式的线圈部件的立体图。图2是线圈部件的剖视图。图3是线圈部件的分解立体图。如图1～图3所示，线圈部件10具备：层叠体1、设置于层叠体1的内部的线圈2、以及设置于层叠体1的表面的第一～第四外部电极41～44。

线圈部件10为共模扼流线圈。但是，本实施方式的线圈部件并不限定于共模扼流线圈，也可以为具备单一线圈的线圈部件。线圈部件10例如搭载于个人计算机、DVD播放器、数码相机、电视(TV)、手机、汽车用电子设备(Car electronics)等电子设备。

层叠体1包括沿层叠方向(图中箭头Z所示)按顺序层叠的第一外侧磁性体51、第一外侧绝缘体61、第一内侧磁性体11、内侧绝缘体13、第二内侧磁性体12、第二外侧绝缘体62以及第二外侧磁性体52。在内侧绝缘体13内设置有内部磁性体14。第一外侧磁性体51位于下侧，第二外侧磁性体52位于上侧。下侧例如是向安装基板进行安装的一侧。

第一内侧磁性体11、第二内侧磁性体12、第一外侧磁性体51、第二外侧磁性体52以及内部磁性体14例如也可以包含Ni-Cu-Zn系铁素体。由此，能够提高线圈部件10的高频的阻抗特性。优选第一内侧磁性体11、第二内侧磁性体12、第一外侧磁性体51、第二外侧磁性体52以及内部磁性体14由Ni-Cu-Zn系铁素体构成。第一内侧磁性体11、第二内侧磁性体12、第一外侧磁性体51、第二外侧磁性体52以及内部磁性体14可以为相同的组成，也可以为互不相同的组成。

优选Ni-Zn-Cu系铁素体包括Fe、Ni、Zn、Cu作为主成分，并将Fe换算成Fe2O3为40～49.5mol％、将Zn换算成ZnO为5～35mol％、将Cu换算成CuO为6～13mol％、剩余部分为Ni(换算成NiO)。此外，优选Ni-Zn-Cu系铁素体可以进一步包含添加物，相对于Fe2O3+ZnO+CuO+NiO为100mol份，将Si换算成SiO2含有1.0～3.0mol份，将Mn换算成Mn3O4含有0.05～1.0mol。

第一、第二外侧绝缘体61、62和内侧绝缘体13例如由包含碱金属硼硅酸盐玻璃的玻璃构成，能够降低介电常数，减小线圈的杂散电容，提高高频特性。内侧绝缘体13是层叠多个绝缘层13a而构成的。

碱金属硼硅酸盐玻璃至少包含Si、B、K，并构成为将Si换算成SiO2为65～85mol％、将B换算成B2O3为20～30mol％、将K换算成K2O为0.5～2.0mol％。进一步优选相对于SiO2+B2O3+K2O为100mol份，将Al换算成Al2O3含有0.5～1.5mol份、将Mg换算成MgO含有1.0～3.0mol份。碱金属硼硅酸盐玻璃也可以是，制作规定比率的SiO2-B2O3-K2O玻璃，并使其含有SiO2作为填料。即，最终的Si、B、K的比率只要处于上述范围内即可。

内部磁性体14在内侧绝缘体13内设置于线圈2的内周侧，并被连接于第一内侧磁性体11和第二内侧磁性体12。更详细而言，在内侧绝缘体13的线圈2的内周侧的部分设置有沿层叠方向贯通的孔13b，内部磁性体14设置于该孔13b的内部。在与层叠方向平行的截面上，内部磁性体14的宽度从第一内侧磁性体11朝向第二内侧磁性体12连续增大。即，设置于内侧绝缘体13的内部的孔13b的内径在与层叠方向平行的方向上从第一内侧磁性体11朝向第二内侧磁性体12连续增大，依照该孔13b的内径设置有内部磁性体14。

层叠体1具有大致长方体形的形状。层叠体1的表面由第一端面111、第二端面112、第一侧表面115、第二侧表面116、第三侧表面117以及第四侧表面118构成。第一端面111和第二端面112在层叠方向相互对置地存在。第一～第四侧表面115～118与第一端面111和第二端面112大致垂直地存在。在层叠方向上，第一端面111位于下侧，第二端面112位于上侧。

层叠体1是长度L为0.80±0.10mm、宽度W为0.60±0.10mm、高度T为0.45±0.05mm的大致长方体；或者长度L为0.60±0.10mm、宽度W为0.50±0.10mm、高度T为0.35±0.05mm的大致长方体。

线圈2设置于内侧绝缘体13的内部。线圈2包括相互磁耦合的初级线圈2a和次级线圈2b。初级线圈2a和次级线圈2b被配置成沿层叠体1的层叠方向相互重合。

初级线圈2a包括相互电连接的第一线圈导体层21和第三线圈导体层23。次级线圈2b包括相互电连接的第二线圈导体层22和第四线圈导体层24。

第一～第四线圈导体层21～24沿层叠方向按顺序排列。即，构成初级线圈2a的两个线圈导体层(第一线圈导体层21和第三线圈导体层23)、与构成次级线圈2b的两个线圈导体层(第二线圈导体层22和第四线圈导体层24)沿层叠方向交替排列。第一～第四线圈导体层21～24分别设置于不同的绝缘层13a上。第一～第四线圈导体层21～24例如也可以由Ag、Ag-Pd、Cu、Ni等导电性材料构成。第一～第四线圈导体层21～24可以具有相同的组成、或者也可以具有互不相同的组成。

第一～第四线圈导体层21～24具有从上方观察时在平面上卷绕成螺旋状的螺旋图案(Spiral pattern)。第一～第四线圈导体层21～24的中心轴从上方观察时对齐。即，第一～第四线圈导体层21～24沿层叠方向重叠。通过具有这种结构，能够任意变更线圈部件10的特性。

第一线圈导体层21的第一端21a被向螺旋图案的外周侧引出，第一线圈导体层21的第二端21b位于螺旋图案的内周侧。同样，第二线圈导体层22具有第一端22a和第二端22b，第三线圈导体层23具有第一端23a和第二端23b，第四线圈导体层24具有第一端24a和第二端24b。第一线圈导体层21的第一端21a从第二侧表面116的靠第一侧表面115侧暴露。第二线圈导体层22的第一端22a从第二侧表面116的靠第三侧表面117侧暴露。第三线圈导体层23的第一端23a从第四侧表面118的靠第一侧表面115侧暴露。第四线圈导体层24的第一端24a从第四侧表面118的靠第三侧表面117侧暴露。

第一线圈导体层21的第二端21b与第三线圈导体层23的第二端23b借助贯通绝缘层13a的连接导体25而电连接。同样，第二线圈导体层22的第二端22b与第四线圈导体层24的第二端24b借助贯通绝缘层13a的连接导体25而电连接。这样，线圈2由第一～第四线圈导体层21～24和连接导体25构成。

应予说明，在图1～图3所示的线圈部件10中，初级线圈2a和次级线圈2b分别由两个平面线圈构成，但也可以将初级线圈2a和次级线圈2b的至少一者由一个或者三个以上的平面线圈构成。另外，在图1～图3所示的线圈部件10中，线圈2包括四层线圈导体层，但线圈2包括至少一层线圈导体层即可。另外，在图1～图3所示的线圈部件10中，全部线圈导体层的形状相同，但也可以至少一个线圈导体层的形状与其他线圈导体层的形状不同。

第一～第四外部电极41～44例如也可以由Ag、Ag-Pd、Cu、Ni等导电性材料构成。第一～第四外部电极41～44可以具有相同的组成、或者也可以具有互不相同的组成。第一～第四外部电极41～44例如能够将导电性材料涂覆于层叠体1的表面并进行烧结而形成。

第一外部电极41设置于第二侧表面116的靠第一侧表面115侧。第一外部电极41的一端延伸至第一端面111，第一外部电极41的另一端延伸至第二端面112。换言之，第一外部电极41以コ形形成于层叠体1的表面。第一外部电极41与第一线圈导体层21的第一端21a电连接。

同样，第二外部电极42设置于第二侧表面116的靠第三侧表面117侧，并与第二线圈导体层22的第一端22a电连接。第三外部电极43设置于第四侧表面118的靠第一侧表面115侧，并与第三线圈导体层23的第一端23a电连接。第四外部电极44设置于第四侧表面118的靠第三侧表面117侧，并与第四线圈导体层24的第一端24a电连接。

对第一外侧绝缘体61和第二外侧绝缘体62的总的体积A、内侧绝缘体13的体积B、线圈2的体积C、内部磁性体14的体积D、以及第一外侧磁性体51、第一内侧磁性体11、第二内侧磁性体12和第二外侧磁性体52的总的体积E之间的关系进行说明。该关系满足：在0.05B≤C≤0.2B时，若取A+B+C+D+E＝1，则0.05≤A≤0.07、并且、0.2≤B≤0.4、并且、0.01≤C≤0.08、并且、0.03≤D≤0.05、并且、0.71≥E≥0.4。即，在A、B、C、D为最小值时，E为最大值，在A、B、C、D为最大值时，E为最小值。

在本实施方式中，第一外侧绝缘体61的体积与第二外侧绝缘体62的体积大致相同。换言之，第一外侧绝缘体61的厚度与第二外侧绝缘体62的厚度大致相同。另外，第一外侧磁性体51的体积与第二外侧磁性体52的体积大致相同，彼此的厚度也大致相同。并且，第一内侧磁性体11的体积与第二内侧磁性体12的体积大致相同，彼此的厚度也大致相同。

另一方面，第一外侧磁性体51的体积(厚度)与第一内侧磁性体11的体积(厚度)虽然可以不必大致相同，但是更优选大致相同。第二外侧磁性体52的体积(厚度)与第二内侧磁性体12的体积(厚度)的关系也同样。

在此，对各部件的体积的测定方法进行说明。如图4所示，慢慢研磨线圈部件10的第二端面112(LW面)，并从与第二端面112正交的箭头S1方向(层叠方向)观察。而且，如图3所示，从上面观察线圈导体层、连接导体、内部磁性体，并使用显微镜所附带的测长功能等对各部件的面积进行测定。应予说明，外侧绝缘体、外侧磁性体、内侧磁性体的面积使用使层叠体1的长度L和宽度W相乘而得的值。

接下来，研磨线圈部件10的第四侧表面118(LT面)直至层叠体的宽度W方向的正中央附近，并从与第四侧表面118正交的箭头S3方向对线圈导体层、连接导体、内部磁性体、外侧绝缘体、外侧磁性体、内侧磁性体、内部磁性体各自的厚度进行测定。之后，使所得到的各部件的面积与厚度相乘，通过计算求出各自的体积。应予说明，内部磁性体的面积从第一内侧磁性体朝向第二内侧磁性体连续增大，因此利用第一内部磁性体侧的面积和第二内部磁性体侧的面积、以及高度进行计算来求出体积。

内侧绝缘体的厚度是如下求出的，即：首先，与外侧绝缘体、外侧磁性体、内侧磁性体同样，使层叠体1的长度L和宽度W相乘而得出面积，使该面积与在研磨面测定出的高度相乘而求出体积，并从该值中减去线圈导体层和内部磁性体的体积而求出。

根据上述线圈部件10，在线圈2的体积C为内侧绝缘体13的体积B的5％以上且20％以下的情况下，从烧制收缩行为的观点来看，通过在磁性体11、12、51、52间夹设第一、第二外侧绝缘体61、62，来缓和内侧绝缘体13与磁性体11、12、51、52的烧制收缩行为的差异。即，通过形成为上述那样的A、B、C、D、E的体积比率，能够抑制产品产生破裂、缺损。特别是，能够抑制产生内侧绝缘体13与第一内侧磁性体11和第二内侧磁性体12之间的破裂、缺损。

并且，优选满足0.055≤A≤0.068、并且、0.25≤B≤0.35、并且、0.015≤C≤0.04、并且、0.03≤D≤0.05、并且、0.65≥E≥0.492。由此，能够进一步抑制产品产生破裂、缺损。特别是，进一步抑制内侧绝缘体13与第一内侧磁性体11和第二内侧磁性体12之间的剥离，从而抑制水分浸入。因此，绝缘层13a在高温高湿条件下的绝缘性提高，能够降低在初级线圈2a与次级线圈2b的线圈导体层之间产生短路的可能性。

接下来，对线圈部件10的制造方法进行说明。

如图2和图3所示，在第一外侧磁性体51之上按顺序层叠第一外侧绝缘体61和第一内侧磁性体11。并且，将通过镀敷而设置有各线圈导体层21～24的多个绝缘层13a按顺序层叠于第一内侧磁性体11之上。由此，将内部设置有线圈2的内侧绝缘体13层叠于第一内侧磁性体11之上。

之后，从内侧绝缘体13的上方朝向下方照射激光，设置沿上下贯通内侧绝缘体13的孔13b。孔13b除了激光以外也可以通过机械加工而形成。

之后，向该孔13b填充内部磁性体14，在内侧绝缘体13之上按顺序层叠第二内侧磁性体12、第二外侧绝缘体62以及第二外侧磁性体52，形成层叠体1。然后，烧制层叠体1，在层叠体1设置外部电极41～44，制造线圈部件10。

(第二实施方式)

图5是表示本发明的线圈部件的第二实施方式的剖视图。第二实施方式与第一实施方式在线圈的上下部分的体积比率、第一外侧绝缘体61的体积(厚度)并不与第二外侧绝缘体62的体积(厚度)大致相同这点不同。以下，对该不同的结构进行说明。其他结构为与第一实施方式相同的结构，标注与第一实施方式相同的附图标记并省略其说明。

如图5所示，在第二实施方式的线圈部件10A中，线圈2A的比内侧绝缘体13的层叠方向的中心面70靠第一外侧绝缘体61侧的体积C1(以下，称为线圈2A的靠下部分的体积C1)、与线圈2A的比内侧绝缘体13的层叠方向的中心面70靠第二外侧绝缘体62侧的体积C2(以下，称为线圈2A的靠上部分的体积C2)不同。即，线圈2A的下靠部分的圈数与线圈2A的靠上部分的圈数不同。

若具体叙述，则线圈2A的靠下部分包括第一线圈导体层21和第二线圈导体层22。线圈2A的靠上部分包括第三线圈导体层23和第四线圈导体层24。第一线圈导体层21的圈数少于第三线圈导体层23和第四线圈导体层24的圈数，线圈2A的靠下部分的体积C1小于线圈2A的靠上部分的体积C2。

而且，第一外侧绝缘体61的体积A1、第二外侧绝缘体62的体积A2、线圈2A的靠下部分的体积C1、以及线圈2A的靠上部分的体积C2之间的关系满足A1：A2＝C2：C1。即，第一外侧绝缘体61的体积A1(厚度)大于第二外侧绝缘体62的体积A2(厚度)。

根据上述线圈部件10A，在线圈2A的靠下部分的体积小于线圈2A的靠上部分的体积的情况下，在内侧绝缘体13的上下部分产生烧制收缩行为的差异。这样，在线圈2A的体积较小的内侧绝缘体13的靠下部分，变得接近内侧绝缘体13的烧制收缩行为，因此增加位于接近内侧绝缘体13的靠下部分的位置处的第一外侧绝缘体61的体积。由此，能够使内侧绝缘体13的靠下部分的烧制收缩行为接近第一外侧磁性体51、第一外侧绝缘体61、第一内侧磁性体11的总的烧制收缩行为，从而能够抑制内侧绝缘体13与第一内侧磁性体11之间的剥离。

应予说明，虽通过使线圈2A的上下部分的圈数不同，而使线圈2A的上下部分的体积不同，但也可以使线圈2A的上下部分的厚度、线宽不同，而使线圈2A的上下部分的体积不同。

(第三实施方式)

图6是表示本发明的线圈部件的第三实施方式的剖视图。第三实施方式与第一实施方式在未设置内部磁性体这点不同。以下，对该不同的结构进行说明。其他结构为与第一实施方式相同的结构，标注与第一实施方式相同的附图标记并省略其说明。

如图6所示，在第三实施方式的线圈部件10B中，未设置第一实施方式的内部磁性体14。对第一外侧绝缘体61和第二外侧绝缘体62的总的体积A、内侧绝缘体13的体积B、线圈2的体积C、以及第一外侧磁性体51、第一内侧磁性体11、第二内侧磁性体12和第二外侧磁性体52的总的体积E之间的关系进行说明。该关系满足：在0.05B≤C≤0.2B时，若取A+B+C+E＝1，则0.06≤A≤0.08、并且、0.2≤B≤0.4、并且、0.01≤C≤0.08、并且、0.73≥E≥0.44。即，在A、B、C为最小值时，E为最大值，在A、B、C为最大值时，E为最小值。

根据上述线圈部件10B，通过形成为上述那样的A、B、C、E的体积比率，与上述第一实施方式同样，能够抑制产品产生破裂、缺损。特别是，能够抑制产生内侧绝缘体13与第一内侧磁性体11和第二内侧磁性体12之间的破裂、缺损。

并且，优选该关系满足0.065≤A≤0.075、并且、0.2≤B≤0.3、并且、0.02≤C≤0.035、并且、0.715≥E≥0.59。由此，与上述第一实施方式同样，能够进一步抑制产品产生破裂、缺损。特别是，进一步抑制内侧绝缘体13与第一内侧磁性体11和第二内侧磁性体12之间的剥离，从而抑制水分浸入。因此，绝缘层13a在高温高湿条件下的绝缘性提高，能够降低在初级线圈2a与次级线圈2b的线圈导体层之间产生短路的可能性。

(第四实施方式)

图7是表示本发明的线圈部件的第四实施方式的剖视图。第四实施方式与第三实施方式在线圈的上下部分的体积比率、第一外侧绝缘体61的体积(厚度)并不与第二外侧绝缘体62的体积(厚度)大致相同这点不同。以下，对该不同的结构进行说明。其他结构为与第三实施方式相同的结构，标注与第三实施方式相同的附图标记并省略其说明。

如图7所示，在第四实施方式的线圈部件10C中，线圈2A的比内侧绝缘体13的层叠方向的中心面70靠第一外侧绝缘体61侧的体积C1(以下，称为线圈2A的靠下部分的体积C1)、与线圈2A的比内侧绝缘体13的层叠方向的中心面70靠第二外侧绝缘体62侧的体积C2(以下，称为线圈2A的靠上部分的体积C2)不同。即，线圈2A的靠下部分的圈数与线圈2A的靠上部分的圈数不同。

若具体叙述，则线圈2A的靠下部分包括第一线圈导体层21和第二线圈导体层22。线圈2A的靠上部分包括第三线圈导体层23和第四线圈导体层24。第一线圈导体层21的圈数少于第三线圈导体层23和第四线圈导体层24的圈数，线圈2A的靠下部分的体积C1小于线圈2A的靠上部分的体积C2。而且，第一外侧绝缘体61的体积A1、第二外侧绝缘体62的体积A2、线圈2A的靠下部分的体积C1、以及线圈2A的靠上部分的体积C2之间的关系满足A1：A2＝C2：C1。即，第一外侧绝缘体61的体积A1(厚度)大于第二外侧绝缘体62的体积A2(厚度)。

根据上述线圈部件10C，在线圈2A的靠下部分的体积小于线圈2A的靠上部分的体积的情况下，在内侧绝缘体13的上下部分产生烧制收缩行为的差异。这样，在线圈2A的体积较小的内侧绝缘体13的靠下部分，变得接近内侧绝缘体13的烧制收缩行为，因此增加位于接近内侧绝缘体13的靠下部分的位置处的第一外侧绝缘体61的体积。由此，能够使内侧绝缘体13的靠下部分的烧制收缩行为接近第一外侧磁性体51、第一外侧绝缘体61、第一内侧磁性体11的总的烧制收缩行为，从而能够抑制内侧绝缘体13与第一内侧磁性体11之间的剥离。此外，虽通过使线圈2A的上下部分的圈数不同，而使线圈2A的上下部分的体积不同，但也可以使线圈2A的上下部分的厚度、线宽不同，而使线圈2A的上下部分的体积不同。

(第五实施方式)

图8是表示本发明的线圈部件的第五实施方式的剖视图。第五实施方式与第一实施方式在未设置内部磁性体这点、线圈的体积比率、未设置第一、第二外侧磁性体这点不同。以下，对该不同的结构进行说明。其他结构为与第一实施方式相同的结构，标注与第一实施方式相同的附图标记并省略其说明。

如图8所示，在第五实施方式的线圈部件10D中，未设置第一实施方式的内部磁性体14和第一、第二外侧磁性体51、52。线圈2B的圈数多于第一实施方式的线圈2的圈数，线圈2B相对于内侧绝缘体13的体积比率大于第一实施方式的线圈2相对于内侧绝缘体13的体积比率。第一外侧绝缘体61和第二外侧绝缘体62位于层叠方向的最外侧。第一内侧磁性体11和第二内侧磁性体12的厚度大于第一实施方式的厚度。

对第一外侧绝缘体61和第二外侧绝缘体62的总的体积A、内侧绝缘体13的体积B、线圈2B的体积C、以及第一内侧磁性体11和第二内侧磁性体12的总的体积E之间的关系进行说明。该关系满足：在0.2B＜C≤0.7B时，若取A+B+C+E＝1，则0.05≤A≤0.25、并且、0.15≤B≤0.25、并且、0.032≤C≤0.18、并且、0.77≥E≥0.33。即，在A、B、C为最小值时，E为最大值，在A、B、C为最大值时，E为最小值。

根据上述线圈部件10D，在线圈2B的体积C超过内侧绝缘体13的体积B的20％并且为70％以下的情况下，从烧制收缩行为的观点来看，通过使第一、第二外侧绝缘体61、62远离内侧绝缘体13，来缓和内侧绝缘体13与磁性体11、12的烧制收缩行为的差异。即，线圈2B的体积C增大，使内侧绝缘体13的体积B减小，内侧绝缘体13的烧制收缩行为变小。由此，内侧绝缘体13的烧制收缩行为变得接近磁性体11、12的烧制收缩行为，因此通过使第一、第二外侧绝缘体61、62的位置远离内侧绝缘体13，来调整内侧绝缘体13与磁性体11、12的烧制收缩行为。

即，通过形成为上述那样的A、B、C、E的体积比率，能够抑制产品产生破裂、缺损。特别是，能够抑制在内侧绝缘体13与第一内侧磁性体11和第二内侧磁性体12之间产生破裂、缺损。

并且，优选该关系满足0.1≤A≤0.2、并且、0.175≤B≤0.225、并且、0.037≤C≤0.16、并且、0.69≥E≥0.42。由此，能够进一步抑制产品产生破裂、缺损。特别是，进一步抑制内侧绝缘体13与第一内侧磁性体11和第二内侧磁性体12之间的剥离，从而抑制水分浸入。因此，绝缘层13a在高温高湿条件下的绝缘性提高，能够降低在初级线圈2a与次级线圈2b的线圈导体层之间产生短路的可能性。

(第六实施方式)

图9是表示本发明的线圈部件的第六实施方式的剖视图。第六实施方式与第五实施方式在线圈的上下部分的体积比率、第一外侧绝缘体61的体积(厚度)并不与第二外侧绝缘体62的体积(厚度)大致相同这点不同。以下，对该不同的结构进行说明。其他结构为与第五实施方式相同的结构，标注与第五实施方式相同的附图标记并省略其说明。

如图9所示，在第六实施方式的线圈部件10E中，线圈2C的比内侧绝缘体13的层叠方向的中心面70靠第一外侧绝缘体61侧的体积C1(以下，称为线圈2C的靠下部分的体积C1)、与线圈2C的比内侧绝缘体13的层叠方向的中心面70靠第二外侧绝缘体62侧的体积C2(以下，称为线圈2C的靠上部分的体积C2)不同。即，线圈2C的靠下部分的圈数与线圈2C的靠上部分的圈数不同。

若具体叙述，则线圈2C的靠下部分包括第一线圈导体层21和第二线圈导体层22。线圈2C的靠上部分包括第三线圈导体层23和第四线圈导体层24。第一线圈导体层21和第二线圈导体层22的圈数少于第三线圈导体层23和第四线圈导体层24的圈数，线圈2C的靠下部分的体积C1小于线圈2C的靠上部分的体积C2。而且，第一外侧绝缘体61的体积A1、第二外侧绝缘体62的体积A2、线圈2C的靠下部分的体积C1、线圈2C的靠上部分的体积C2之间的关系满足A1：A2＝C2：C1。即，第一外侧绝缘体61的体积A1(厚度)大于第二外侧绝缘体62的体积A2(厚度)。

根据上述线圈部件10E，在线圈2C的靠下部分的体积小于线圈2C的靠上部分的体积的情况下，在内侧绝缘体13的上下部分产生烧制收缩行为的差异。这样，在线圈2C的体积较小的内侧绝缘体13的靠下部分，变得接近内侧绝缘体13的烧制收缩行为，因此增加位于接近内侧绝缘体13的靠下部分的位置的第一外侧绝缘体61的体积。由此，能够使内侧绝缘体13的靠下部分的烧制收缩行为接近第一外侧绝缘体61、第一内侧磁性体11的总的烧制收缩行为的差异，从而能够抑制内侧绝缘体13与第一内侧磁性体11之间的剥离。应予说明，虽通过使线圈2A的上下部分的圈数不同，而使线圈2A的上下部分的体积不同，但也可以使线圈2A的上下部分的厚度、线宽不同，而使线圈2A的上下部分的体积不同。

(实施例)

接下来，对第一、第三、第五实施方式的实施例进行说明。

在线圈的体积C为内侧绝缘体的体积B的5％以上且20％以下的情况下，在第一实施方式(图2)和第三实施方式(图6)中，能够使产生破裂、缺损的产品不足5％。与此相对，在未设置第一、第三实施方式的第一、第二外侧绝缘体的情况下，产生破裂、缺损的产品变为30％以上。另外，在将第一、第三实施方式的第一、第二外侧绝缘体设置于层叠方向的最外侧的情况下(相当于图8)，产生破裂、缺损的产品变为5％以上且不足30％。

另外，在线圈的体积C超过内侧绝缘体的体积B的20％且为70％以下的情况下，在第五实施方式(图8)中，能够使产生破裂、缺损的产品不足5％。与此相对，在未设置第五实施方式的第一、第二外侧绝缘体的情况下，产生破裂、缺损的产品变为5％以上且不足30％。另外，在将第五实施方式的第一、第二外侧绝缘体设置为接近内侧绝缘体的情况下(相当于图6)，产生破裂、缺损的产品变为30％以上。

另外，在线圈的体积C超过内侧绝缘体的体积B的70％的情况下，即便未设置第一、第三、第五实施方式的第一、第二外侧绝缘体，也能够使产生破裂、缺损的产品不足5％。

应予说明，本发明并不限定于上述实施方式，能够在不脱离本发明的要旨的范围内进行设计变更。

在上述实施方式中，初级线圈和次级线圈分别由两个线圈构成，但也可以将初级线圈和次级线圈的至少一者由一个或者三个以上的线圈构成。

在上述实施方式中，作为线圈部件，使用共模扼流线圈，但也可以使用单一线圈。另外，虽线圈包括四层线圈导体层，但只要包括至少一层线圈导体层即可。