顶层金属连接层及其制作方法、焊盘结构和半导体器件与流程

技术特征：

技术总结
本发明提供一种顶层金属连接层及其制作方法、焊盘结构和半导体器件，该焊盘结构包括阵列分布、彼此独立的绝缘柱，以及形成在所述绝缘柱之间一体结构的导电焊盘形成的顶层金属连接层。本发明能够提高半导体器件的可靠性和电学性能。

技术研发人员：刘昌宇;邓咏桢;梁肖;杜亮;贾雪梅
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2018.05.18
技术公布日：2018.10.16