1.一种浮栅制备方法，其特征在于，所述浮栅制备方法包括：
提供一衬底，在所述衬底上沉积氧化层；
在所述衬底上制作浅槽隔离，所述浅槽隔离的表面高于所述氧化层的表面；
在所述氧化层和所述浅槽隔离上沉积多晶硅层；
对所述多晶硅层进行第一次热退火，修复多晶硅层沉积中形成的空洞；
对所述多晶硅层进行离子注入；
对所述多晶硅层进行第二次热退火，对注入的离子激活并且再次修复所述多晶硅层沉积中的空洞；以及
平坦化处理所述多晶硅层使得多晶硅层的表面与浅槽隔离表面持平以形成浮栅。
2.如权利要求1所述的浮栅制备方法，其特征在于，制备所述浅槽隔离的步骤包括：
在所述氧化层表面沉积一辅助层；
干法刻蚀所述辅助层、所述氧化层和所述衬底以形成沟槽，然后在所述沟槽内填充氧化物，再对所述氧化物通过化学机械研磨进行平坦化处理；
去除所述辅助层，形成所述浅槽隔离。
3.如权利要求1所述的浮栅制备方法，其特征在于，在所述衬底上沉积的氧化层的材质包括氧化硅。
4.如权利要求1所述的浮栅制备方法，其特征在于，在所述衬底上沉积的氧化层的厚度为80埃～120埃。
5.如权利要求1所述的浮栅制备方法，其特征在于，在所述氧化层上沉积所述多晶硅层的方法包括：在600摄氏度～650摄氏度下，使用化学气相沉积方法沉积所述多晶硅层。
6.如权利要求1所述的浮栅制备方法，其特征在于，第一次热退火和第二次热退火的条件均是在氮气环境下，氮气升温到1000摄氏度～1080摄氏度。
7.如权利要求6所述的浮栅制备方法，其特征在于，第一次热退火和第二次热退火的时间为20秒～30秒。
8.如权利要求1所述的浮栅制备方法，其特征在于，向所述多晶硅层注入的离子包括磷元素离子。
9.如权利要求8所述的浮栅制备方法，其特征在于，所述多晶硅层注入磷元素离子后的掺杂度为1E15/cm2～5E15/cm2。
10.如权利要求1所述的浮栅制备方法，其特征在于，研磨后形成的所述浮栅的高度为200埃～600埃。