技术总结
本发明提供了一种浮栅制备方法，所述浮栅制备方法包括：提供一衬底，在所述衬底上沉积氧化层；在所述衬底上制作浅槽隔离，所述浅槽隔离的表面高于所述氧化层的表面；在所述氧化层和所述浅槽隔离上沉积多晶硅层；对所述多晶硅层进行第一次热退火，修复多晶硅层沉积中形成的空洞；对所述多晶硅层进行离子注入；对所述多晶硅层进行第二次热退火，对注入的离子激活并且再次修复所述多晶硅层沉积中的空洞；以及化学机械研磨所述多晶硅层使得多晶硅层的表面与浅槽隔离表面持平以形成浮栅形成浮栅。在本发明提供的浮栅制备方法中，经过两次热退火后可以修复多晶硅内的空洞，减少研磨后的浮栅出现缺陷的几率，从而增加了制成的器件的可靠性。
技术研发人员：张超然;周俊;李赟
受保护的技术使用者：武汉新芯集成电路制造有限公司
技术研发日：2018.05.28
技术公布日：2018.09.18