半导体器件的制作方法

技术特征：

技术总结
一种半导体器件可以包括：基板，包括单元阵列区域和TSV区域；绝缘层，设置在基板上并在TSV区域上具有凹陷区域；电容器，在单元阵列区域的绝缘层上；虚设支撑图案，设置在TSV区域的绝缘层上并且当在平面图中看时与凹陷区域交叠；以及TSV电极，穿过虚设支撑图案和基板。

技术研发人员：李洋熙;朴钟爀;申忠燮;吴孝真;尹普彦;尹一永
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2018.07.12
技术公布日：2019.01.22