1.一种气密性好的功率晶体管引线框架，其特征在于，包括：
安装板(1)；
功率晶体管芯片安装板(2)，其连接所述安装板(1)，所述功率晶体管芯片安装板(2)具有通孔(21)，所述通孔(21)两端分别下沉扩孔；
功率晶体管芯片(3)，其设置于所述功率晶体管芯片安装板(2)，所述功率晶体管芯片(3)位于所述通孔(21)的一侧；
引脚(4)，其连接所述功率晶体管芯片安装板(2)，所述引脚(4)电连接所述功率晶体管芯片(3)。
2.根据权利要求1所述的气密性好的功率晶体管引线框架，其特征在于，所述安装板(1)具有安装孔(11)。
3.根据权利要求2所述的气密性好的功率晶体管引线框架，其特征在于，所述安装孔(11)为凸字形。
4.根据权利要求1所述的气密性好的功率晶体管引线框架，其特征在于，所述通孔(21)横截面为工字形。
5.根据权利要求1所述的气密性好的功率晶体管引线框架，其特征在于，所述功率晶体管芯片(3)的型号为MOSFET、SCR、FRD、SBD或BJT。
6.根据权利要求1所述的气密性好的功率晶体管引线框架，其特征在于，所述引脚(4)包括第一引脚(41)、第二引脚(42)及第三引脚(43)，所述第一引脚(41)与第三引脚(43)通过连接板(44)连接所述第二引脚(42)。