本实用新型涉及功率晶体管技术领域，具体地，涉及一种气密性好的功率晶体管引线框架。
背景技术：
功率晶体管是一种控制电流的半导体器件，功率晶体管可以把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。目前，现有的功率晶体管主要采用环氧模塑料封装，但是由于塑封料存在较高的吸湿性，而器件在生产和测试过程中，不可避免的要经过高温和高湿环境，潮气膨胀后会造成内部应力过大，形成分层、金线断裂等后果，而且由于塑封料与Si、Cu等其他材质膨胀系数的差异，也很容易在较大的剪切应力下形成分层，从而导致绝缘体的气密性不足，进而导致水或者酸碱液进入，致使功率晶体管出现电性能失效的现象或存在失效隐患，不安全。
技术实现要素：
针对现有技术的不足，本实用新型公开一种气密性好的功率晶体管引线框架，其包括：
安装板；
功率晶体管芯片安装板，其连接安装板，功率晶体管芯片安装板具有通孔，通孔两端分别下沉扩孔；
功率晶体管芯片，其设置于功率晶体管芯片安装板，功率晶体管芯片位于通孔的一侧；
引脚，其连接功率晶体管芯片安装板，引脚电连接功率晶体管芯片。
根据本实用新型的一实施方式，上述安装板具有安装孔。
根据本实用新型的一实施方式，上述安装孔为凸字形。
根据本实用新型的一实施方式，上述通孔横截面为工字形。
根据本实用新型的一实施方式，上述功率晶体管芯片的型号为MOSFET、SCR、FRD、SBD或BJT。
根据本实用新型的一实施方式，上述引脚包括第一引脚、第二引脚及第三引脚，第一引脚与第三引脚通过连接板连接第二引脚。
本实用新型的有益效果为：本实用新型的气密性好的功率晶体管引线框架在功率晶体管芯片安装板上设置横截面为工字形的通孔，有效增加环氧塑封料封装功率晶体管的气密性，使功率晶体管的结构更加稳定，同时，也令功率晶体管在承受应力上的性能大幅度增加。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1为本实用新型实施例中气密性好的功率晶体管引线框架的结构示意图；
图2为本实用新型实施例中通孔的剖视图。
附图标记说明：
1、安装板；11、安装孔；2、功率晶体管芯片安装板；21、通孔；3、功率晶体管芯片；4、引脚；41、第一引脚；42、第二引脚；43、第三引脚；44、连接板。
具体实施方式
以下将以图式揭露本实用新型的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本实用新型。也就是说，在本实用新型的部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些习知惯用的结构与组件在图式中将以简单的示意的方式绘示之。
需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，在本实用新型中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，并非特别指称次序或顺位的意思，亦非用以限定本实用新型，其仅仅是为了区别以相同技术用语描述的组件或操作而已，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。
为能进一步了解本实用新型的内容、特点及功效，兹例举以下实施例，并配合附图详细说明如下：
请参照图1，其为本实用新型实施例中气密性好的功率晶体管引线框架的结构示意图。如图所示，本实用新型的气密性好的功率晶体管引线框架包括：安装板1、功率晶体管芯片安装板2、功率晶体管芯片3及引脚4。安装板1具有凸字形安装孔11，工人采用螺栓穿过安装孔21，将功率晶体管安装到预定位置。功率晶体管芯片安装板2连接安装板1，功率晶体管芯片安装板2具有通孔21，通孔21两端分别下沉扩孔，通孔21有效增加功率晶体管芯片安装板2与环氧模塑料封料的吸附性，提高封装的气密性。功率晶体管芯片3设置于功率晶体管芯片安装板2，功率晶体管芯片3位于通孔21的一侧，功率晶体管芯片3用于控制功率晶体管的正常工作。引脚4连接功率晶体管芯片安装板2，引脚4电连接功率晶体管芯片3。
优选地，安装孔11为凸字形。将安装孔11设计为凸字形，增加其与封料的接触面积，封装更牢固。
再一并参照图2，其为本实用新型实施例中通孔的剖视图。如图所示，通孔21横截面为工字形。通孔21横截面设计为工字形，有效增加环氧塑封料封装功率晶体管的气密性，使功率晶体管的结构更加稳定，不易分层。
优选地，功率晶体管芯片3的型号为IRFP150、I RFP140或I RFP260。IRFP150、I RFP140或IRFP260散热性能良好，利于封装。
进一步地，引脚4包括第一引脚41、第二引脚42及第三引脚43。第一引脚41与第三引脚43通过连接板44连接第二引脚42，第一引脚41电连接功率晶体管芯片3的基区，第二引脚42电连接功率晶体管芯片3的集电区，第三引脚43电连接功率晶体管芯片3的发射区。采用连接板44连接第一引脚41、第二引脚42及第三引脚43可有效提高功率晶体管框架的整体强度，防止其变形。
本实用新型的气密性好的功率晶体管引线框架在功率晶体管芯片安装板上设置横截面为工字形的通孔，有效增加环氧塑封料封装功率晶体管的气密性，使功率晶体管的结构更加稳定，同时，也令功率晶体管在承受应力上的性能大幅度增加。
上所述仅为本实用新型的实施方式而已，并不用于限制本实用新型。对于本领域技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原理的内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包括在本实用新型的权利要求范围之内。