技术总结
本实用新型揭示一种气密性好的功率晶体管引线框架，其包括安装板；功率晶体管芯片安装板，其连接安装板，功率晶体管芯片安装板具有通孔，通孔两端分别下沉扩孔；功率晶体管芯片，其设置于功率晶体管芯片安装板，功率晶体管芯片位于通孔的一侧；引脚，其连接功率晶体管芯片安装板，引脚电连接功率晶体管芯片。本实用新型的气密性好的功率晶体管引线框架在功率晶体管芯片安装板上设置横截面为工字形的通孔，有效增加环氧塑封料封装功率晶体管的气密性，使功率晶体管的结构更加稳定，同时，也令功率晶体管在承受应力上的性能大幅度增加。
技术研发人员：黄峰荣;杨斌;何秋生
受保护的技术使用者：佛山市合芯半导体有限公司
技术研发日：2018.02.05
技术公布日：2018.08.31