技术总结
本实用新型提供了一种击穿式电熔丝结构、半导体器件。通过在绝缘材料层中定义出击穿区，并使击穿区的边界位于有源区的区域范围内而不与隔离结构的边界接壤，从而可屏除绝缘材料层对应有源区边界的部分发生击穿的可能性，进而可避免由于有源区的边界缺陷而导致编程电压不稳定的问题。如此，不仅可提高击穿式电熔丝结构的编程电压的稳定性，并且由于击穿区中的绝缘材料层具备均匀品质，从而可被均匀击穿，因此可相应的提供一均匀的电流流通通道。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2018.04.04
技术公布日：2018.11.16