1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底上的GaN缓冲层和位于所述GaN缓冲层上的ScAlN势垒层，所述ScAlN势垒层包括源极区域、漏极区域和栅极区域，所述源极区域与漏极区域上设有n型接触层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述GaN缓冲层与所述ScAlN势垒层之间设有InGaN或者GaN导电层。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述GaN缓冲层与所述ScAlN势垒层之间设有AlN间隔层。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述ScAlN势垒层的厚度为5nm-50nm。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极区域上设有栅极，所述n型接触层上分别设有与所述源极区域与漏极区域对应的源极和漏极。