技术总结
本实用新型涉及一种半导体器件，包括：衬底、位于所述衬底上的GaN缓冲层和位于所述GaN缓冲层上的ScAlN势垒层，所述ScAlN势垒层包括源极区域、漏极区域和栅极区域，所述源极区域与漏极区域上设有n型接触层。本实用新型所提供的半导体器件，能够有效增大二维电子气的浓度，并降低器件产生微裂纹的风险，增加了器件的可靠性和良率的同时又提高了器件的性能。
技术研发人员：倪贤锋;范谦;何伟
受保护的技术使用者：苏州汉骅半导体有限公司
技术研发日：2018.06.15
技术公布日：2019.01.11