一种低方阻的复合透明导电薄膜及全固态电致变色器件的制作方法

本实用新型涉及导电薄膜技术领域，具体涉及一种低方阻的复合透明导电薄膜及全固态电致变色器件。

背景技术：

全固态电致变色玻璃的主要结构是玻璃基板、离子阻挡层、第一导电层、复合功能层和第二导电层。其电学模型基本可以等效为电容-电阻串联模型的充放电行为，所以电阻对其变色时间（即充放电时间）影响很大。在电致变色领域中，电致变色器件的响应时间跟透明导电层（目前多用ITO）的方阻具有正相关的关系。降低透明导电层的方阻可以有效缩短变色时间，并缓解变色过程中的不均匀现象。

目前市场上常用的金属氧化物导电薄膜，如ITO玻璃、AZO玻璃和FTO等，都存在方阻偏高的问题，其中导电性较好的ITO，目前其方阻也只能降到5~10Ω左右。但是在某些应用场合，如静态显示和汽车领域，这样的方阻影响之下的变色时间还是偏慢。

技术实现要素：

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种低方阻的复合透明导电薄膜，有效的提高薄膜本身的导电性，具体技术方案如下：

一种低方阻的复合透明导电薄膜，包括透明导电氧化物层，以及设置在透明导电氧化物层表面的多个平行排布或交叉呈网状排布的金属线，多个金属线并联连接。

优选地，所述金属线的线宽为1~2000μm。

优选地，相邻所述金属线的间距为0.5~100mm。

优选地，所述金属线的电阻率为10^-7Ω•M以下。

优选地，所述金属线与透明导电氧化物层之间通过导电胶连接。

本实用新型还提供一种全固态电致变色器件，包括电致变色玻璃层以及设置在该电致变色玻璃层上的复合透明导电薄膜。

由以上技术方案可知，本实用新型为提高传统透明导电薄膜的导电性，在透明导电薄膜上设置金属线，并将该种复合透明导电膜应用到全固态电致变色器件中，可以很好地降低电致变色器件中两个导电层的方阻，进而加速其变色过程。

附图说明

图1为本实用新型全固态电致变色器件的主视图，示出了复合透明导电薄膜；

图2为本实用新型全固态电致变色器件的侧视图；

图3为本实用新型中金属线的一种布置方式；

图4为本实用新型中金属线的另一种布置方式。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例，对本实用新型进行详细说明，在详细说明本实用新型各实施例的技术方案前，对所涉及的名词和术语进行解释说明，在本说明书中，名称相同或标号相同的部件代表相似或相同的结构，且仅限于示意的目的。

如图1和2所示，所述复合透明导电薄膜10包括一个透明导电氧化物层11，以及设置在透明导电氧化物层表面的金属线12。

所述金属线12的作用是降低导电层的方阻，从而提供导电性，为了达到上述效果，需要将多个金属线进行并联。

图3示出了金属线的一种布置方式，包括多个平行排布的金属线，图4示出了另一种布置方式，包括互相交叉呈网状排布的金属线。

所述金属线12的直径为1~2000μm，优选5~200μm，其中平行排布相邻的两根金属线，间距为0.001~100mm，优选0.1~100mm。金属线的电阻率须低至10-⁷Ω•M以下，优选银丝。

假设银丝直径d为10μm，平行排布相邻的两根金属线间距为200μm，平铺在1m*1m的复合透明导电薄膜表面，共5000根金属线。银的电阻率为1.65*10-8Ω•M。根据电阻的计算公式 R = (ρ*L)/S，其中S为金属线的横截面积，S = π* r2，每一根金属线的电阻为52.5Ω，5000根金属线的并联电阻为0.01Ω。

其他条件不变，平行排布相邻的两根金属线间距为1000μm，共1000根金属线，其并联电阻为0.05Ω。

直径在10μm以下的物体，人眼很难观察到。所以该方法基本不会影响玻璃基板的透过率。

在金属线12与透明导电氧化物层11之间通过导电胶13连接，这样即便金属网格断裂，也不会对整体的电阻产生过大的影响。

本实用新型还提供一种全固态电致变色器件，包括电致变色玻璃层20以及设置在该电致变色玻璃层上的复合透明导电薄膜10，可以很好地降低电致变色器件中两个导电层的方阻，进而加速其变色过程。

以上所述实施方式仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的范围进行限定，在不脱离本实用新型设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本实用新型的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本实用新型的权利要求书确定的保护范围内。