技术特征：
技术总结
本发明提供一种硅片清洗方法和清洗装置，硅片清洗方法包括以下步骤：在利用药液对硅片进行蚀刻后，将所述硅片浸入盛有超纯水的浸水槽内清洗；取出浸水槽中的硅片后，将硅片依次置于第N冲洗槽、第N‑1冲洗槽、…、第1冲洗槽进行清洗，在第1冲洗槽中清洗结束后，取出硅片并结束清洗；向第1冲洗槽供应清洗液并使其处于溢流状态，第1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第2冲洗槽中，以此类推，第N‑1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第N冲洗槽；N为大于1的整数。通过上述方法，能够有效清洗硅片表面的药液，降低硅片表面的药液或杂质的残留量，提高清洗效果和清洗效率，减少清洗硅片时水的消耗量。
技术研发人员：宫尾秀一
受保护的技术使用者：西安奕斯伟硅片技术有限公司
技术研发日：2019.05.31
技术公布日：2019.08.02