专利名称：集成电路封装基板的形成方法
技术领域：
本发明涉及一种集成电路封装基板的形成方法，特别是一种平面转印型集成电路封装基板的形成方法，其主要为形成一种与传统球阵式(Ball Grid Array，简称BGA)集成电路封装基板完全不同的形成方式及形成截然不同的基板结构。
现今球阵式集成电路的封装方式，大致如图3A～H所示，首先如图3A所示，为在中央形成有绝缘层70而正、背面均形成有铜箔71面的基板(双面电路板)上，经钻孔与进行通孔711电镀的步骤，其次，为如图3B所示，进行基板裁切、钻细孔的步骤，再以如图3C所示，于特定位置进行上绿漆72塞孔，并在未被绿漆72覆盖的位置进行镀金的步骤，然后为如图3D所示，于正、反面实施干膜721，据以形成正、反面线路的步骤，之后，为如图3E所示，于基板的中央部位的各通孔711进行填入导电胶73与植入晶片74的步骤，此步骤是令导电胶73渗入相应的通孔711内，以使正、反面的铜箔连通，以供做为晶片的散热片使用，而晶片74为结合于该导电胶73上方位置，然后，为如图3F、G、H所示，依序进行金线75的打金线75、开模灌胶形成覆盖晶片74的保护胶76以及于基板底面相应位置植入锡球77等步骤。
且一般封装的作业习惯上，亦为依照传统的做法，为以多个半导体封装构成如图2的长条型式，以供自动化机具取用。
但上述传统球阵式集成电路封装方法及制成，存在如下缺点(1)采用双面设计，必须进行钻孔的复杂步骤，且进行＂塞孔＂步骤的确实性不足，可能造成质量不良的问题。
(2)散热效果不佳散热必须透过导电胶传递，不仅导致工艺复杂，且导电胶填入通孔的确实性无法掌握，因此其散热效果有待改善。
(3)必须制作模具才能进行灌胶作业，由于晶片采用外突的形式，如此必须设计模具进行灌胶，无法以点胶或其他方式实施，工艺性不强。
(4)无法增加接地层构造导致欲提高封装电性能相当困难。
(5)无法制出高密度的线路由于必须使用钻孔及通孔电镀与双面使用的特性，线路密度无法提高。
(6)制成长条形式的良品率及材料利用率不理想若其1～2个晶片损坏时有时候必须将整条报废，且形成长条形的保留边料的设计，亦有材料利用率不佳的缺点。
本发明的主要目的在于提供一种工艺简单的平面转印型集成电路封装基板的形成方法。
本发明的另一目的在于提供一种散热能力良好的平面转印型集成电路封装基板的形成方法。
本发明的方法主要为形成单面线路，则可根本地克服双面塞孔所衍生的各项问题，无需填入导电胶的步骤，而表面设有散热片(金属片)，不仅可降低树脂用量而达到降低成本的功效，且还可提高散热能力并赋予良好的封装电性；其中形成单面线路方式，为在铜片上覆干膜与进行电镀形成线路，更可形成高密度与细线宽线路的效果；基板的形成方式，为以单面线路电镀、去除干膜、压合绝缘层及金属片、蚀刻铜片、单面绿漆、冲孔或挖孔、选择性附加散热片、形成挡胶圈及外护环以及植入晶片、封胶与焊接锡球等步骤。
本发明的集成电路封装基板的形成方法，其特征在于包括以下步骤a、在一铜片上作单面线路电镀，经覆干膜与电镀形成朝上突起的线路电镀层；b、去除干膜；c、依序对所述铜片上表面进行压合一绝缘层及一金属片；d、蚀刻去除位于下方的铜片，使形成的所述线路电镀层外露；e、在线路电镀层外露的区域覆盖绿漆；f、在中央进行挖孔，形成可供容纳晶片的缺口；g、在外环及对应于所述缺口外围位置形成外护环及挡胶圈；h、相应于所述缺口位置植入晶片及打线；i、对所述凹陷缺口进行封胶填平；j、对未覆盖绿漆的部位焊接锡球。
在上述的平面转印型集成电路封装基板的形成方法中，该制成的各个内含晶片的封装基板，可经检验与良品后，再经胶边连结成长条型式；而且，其中挖孔的步骤亦可由冲孔方式取代，并包括在表面附加散热片的步骤；此外，该形成线路电镀层可为镍、铜、锡等材料叠合而成；且该绝缘层可为树脂材料。
本发明与已有技术相比具有以下效果(1)线路形成方式简便本案仅形成单面线路，无传统双面电路板的钻孔及塞孔的复杂制程及塞孔确实性等问题。
(2)可获得细线路由于本案线路为朝上电镀形成，相较于传统蚀刻铜箔方式更可获致较佳的线路及更细而平直的线宽效果，可符合高密度线路的要求。
(3)散热性好晶片为与金属直接贴合，可直接提供晶片良好的散热效果，亦即无需额外的步骤即可获致散热作用。
(4)具有较佳的封装电性能结构中的金属片可充做为接地层使用，具改善封装电性的积极效果，可解决传统封装方式附加接地层的困难度及电性不佳的缺点。
(5)降低树脂使用量，可降低成本以金属片取代树脂，可大幅降低树脂用量，具有降低封装成本的效益。
(6)可制出无不良品的长条包装免除局部损坏的报废问题及减少传统长条封装的材料浪费问题。
以下结合附图及实施例进一步说明本发明的具体步骤及目的。
附图简要说明
图1是本发明的方法步骤示意图。
图2是将数块晶片封装制成长条形式的俯视图。
图3是传统封装方法步骤的示意图。
本发明的平面转印型集成电路封装基板的形成步骤，大致如图1A～I所示，依次为单面线路形成、去膜压合、蚀铜、单面绿漆、冲孔或挖孔、选择性加入散热片、制出挡胶圈及外护环、晶片组装封胶以及植入锡球等步骤所组成，其中，单面线路形成的步骤，如图1A所示，为在一铜片10上经覆盖干膜11后，再依次对未覆盖干膜11的位置进行多层电镀而形成朝上突起的形成为各式细线路的电镀层12(此电镀层可依次进行镀镍、镀铜及镀锡等方式施行，形成镍铜锡层)，据以在铜片10上形成单面线路，此形成线路的转印式步骤即较传统的蚀刻形成线路的方式更可获得稳定的线路品质与得到更细的线宽，而在图1B的＂去膜压合″的步骤中，为去除前述干膜11后，再依次压合一绝缘层20(可为树脂材料)以及一金属片30，然后为进行如图1C的蚀刻去除前述位于底面的铜片10的＂蚀铜＂步骤，其后，为在图1D的＂单面绿漆＂的步骤中，对前述蚀刻去除铜片10的部位进行涂布绿漆35的步骤，而在此上绿漆的步骤中，仅覆盖住非接点的线路部位，仅露出欲进行植入锡球与打线的接点区域，而后，为如图1E所示，进行冲出或挖开形成缺口31的步骤，此缺口31为形成供容纳晶片的区域，而在图1F中，为在上表面压合或粘合适当厚度的散热片32，在图1G中，为形成位于该缺口31外围的胶质挡胶圈34以及围绕在外围位置的胶质外护环33，最后，则如图1H所示，于该缺口31内装入晶片40、金线41，经点胶而形成可覆盖住晶片40的保护胶50，而先前形成的挡胶圈34在此时即有止挡保护胶50朝外渗出的作用，最后则为在图1I的底面外露的电镀层区域焊接锡球60后，即完成整个封装基板的制作及组装晶片的作业。
前述经组装晶片完成后的各个晶片外包装并不如传统方式直接形成如图2的长条型式，而是通过裁切形成个别单独的晶片封装，经测试为良品后，再排列成如图2的长条型式，并在外围以胶边连结成长条型，如此，则可确保各晶片均为良品，即无部份晶片损坏所衍生的整条报废的过度浪费现象，且由于其连结成长条型，为以胶质材料连结，更可解决传统形成方式的边料亦为金属材料所衍生的材料利用率不佳的缺点。
前述图1B的压合金属片30后，金属片30与线路电镀层12之间仅隔着薄厚度的绝缘层20而已，据此，该金属片30做为接地层时，即有改善封装电性及提高散热能力的具体效果外，且此填入的金属片30的封装型态，亦有取代BT树脂而大幅降低树脂使用量的降低成本的功效，而在图1G的预先在内部冲出形成缺口31的型态，亦使其封胶作业仅需点胶而无传统方式的开模灌胶所衍生的不便性。
权利要求
1·一种集成电路封装基板的形成方法，其特征在于包括以下步骤a、在一铜片上作单面线路电镀，经覆干膜与电镀形成朝上突起的线路电镀层；b、去除干膜；c、依序对所述铜片上表面进行压合一绝缘层及一金属片；d、蚀刻去除位于下方的铜片，使形成的所述线路电镀层外露；e、在线路电镀层外露的区域覆盖绿漆；f、在中央进行挖孔，形成可供容纳晶片的缺口；g、在外环及对应于所述缺口外围位置形成外护环及挡胶圈；h、相应于所述缺口位置植入晶片及打线；i、对所述凹陷缺口进行封胶填平；j、对未覆盖绿漆的部位焊接锡球。
2·根据权利要求1所述的集成电路封装基板的形成方法，其特征在于所述制成的各个内含晶片的封装基板，经检验后，再经胶边连结成长条型式。
3·根据权利要求1所述的集成电路封装基板的形成方法，其特征在于所述挖孔的步骤亦可由冲孔方式取代，并包括在表面附加散热的步骤。
4·根据权利要求1所述的集成电路封装基板的形成方法，其特征在于所述形成线路电镀层为镍、铜、锡等材料叠合而成。
5·根据权利要求1所述的集成电路封装基板的形成方法，其特征在于所述绝缘层为树脂材料。
全文摘要
一种平面转印型集成电路封装基板的形成方法,包括在铜片上为形成单面线路的镀镍铜、去除干膜与压合绝缘层及压合金属片、蚀刻去除铜片、单面覆绿漆、冲孔或挖孔、选择性附加散热片、形成挡胶圈及外胶环以及植晶打线、封胶、植锡球等步骤。其可降低基板成本、提高散热能力、获致细线路;且各基板于工艺上为先单片裁切,经除去不良品后,再形成胶边使数块基板连接成长条形,免除因局部晶片损坏而致使整条报废之忧。
文档编号H01L21/50GK1190792SQ97100718
公开日1998年8月19日 申请日期1997年2月12日 优先权日1997年2月12日
发明者林定皓 申请人:华通电脑股份有限公司