专利名称：低热膨胀电路板和多层布线电路板的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体元件可高可靠简易安装在其上的低热膨胀电路板和多层布线电路板。
随着近来电子设备小型化和高性能的趋势，构成电子设备的半导体器件和用于安装器件的多层印刷布线板需要小型化，高性能和高可靠性。为满足这些需求，引线(pin)插入安装正被表面安装所替代，近年来，所谓的裸片安装的表面安装技术正在研究之中，其中裸半导体器件直接装配在印刷线路板上。用于裸片安装的芯片并不封装，通常用所谓底层填料材料的封装树脂来密封。底层填料材料的主要目的是分散由线路板与半导体元件之间热膨胀系数不同所产生的应力。因此底层材料应保持甚至高温下一定的弹性模量。从此观点来看，热固性树脂通常用作底层填料材料。
底层填料材料(通常热固性树脂)一般浇涛在粘接到电路板的半导体元件下的间隙中，接着后固化。然而，传统工艺存在一些问题例如效率低，后固化时间长、可修复性差。因此需要研制可高可靠性地易于安装半导体元件于其上的电路板。
本发明的目的是提供半导体元件可简易、高可靠安装于其上的低热膨胀电路板和多层布线电路板。
通过低热膨胀电路板完成上述目的，低热膨胀电路板包括具有充当芯的Ni-Fe基合金箔或钛箔的绝缘层；在其两侧的布线导体；和在安装半导体元件的一侧(以下简称安装侧)的粘合树脂层。
也可通过具有整体层叠多个低热膨胀电路板的多层布线电路板来完成目的，每个低热膨胀电路板包括具有充当芯的Ni-Fe基合金箔或钛箔的绝缘层在其两侧的布线导体；和在其安装侧的粘合树脂层。
为开发满足上述目的的电路板，本发明人进行了广泛的研究。考虑到半导体元件会增加体积，主要针对电路板自身的热膨胀系数的降低。结果发现，使用具有充当芯的Ni-Fe基合金箔或钛箔的绝缘层，电路板热膨胀系数接近半导体元件的热膨胀系数，从而减低由电路板和半导体元件之间热膨胀系数的差别所产生的应力，可高可靠地安装裸片。此外发现，当预先在电路板安装侧提供粘合树脂层，可特别容可特别容易地安装并封装半导体元件。在由多个此低热膨胀电路板构成的多层布线电路板同样具有裸片安装的简易和高可靠性。
最好粘合树脂层主要包括热塑性树脂或具有由分子式(Ⅰ)表示的结构的聚碳二酰亚胺
其中R表示二价有机基团；n表示2-200的一个整数。
这个情况下，树脂层重加热时易软化，从而一旦已安装在其上的半导体元件可容易地脱离。换言之，电路线具有优良的可修复性。
图1为本发明低热膨胀电路板的例子的剖面图；图2为铜包覆聚酰亚胺层的剖面图；图3为表示本发明低热膨胀电路板的制备剖面图。
图4为本发明低热膨胀电路板的母体剖面图。
图5为本发明低热膨胀电路板的母体剖面图。
图6为本发明低热膨胀电路板的剖面图。
图7为本发明多层布线电路板的例子的剖面图。
图8为暂时在其上粘附粘合树脂层的图6的低热膨胀电路板的剖面图。
图9为在其粘合层的孔洞中具有焊接凸缘的图8的低热膨胀电路板剖面图。
图10为本发明的多层布线电路板制备的剖面图。
图11为具有电极和在其上形成粘合层的本发明低热膨胀电路板的平面图。
图12为具有粘附到那里的焊接球的硅片的平面图。
本发明低热膨胀电路板的例子如图1所示。低热膨胀电路板1包括具有充当芯的Ni-Fe基合金箔或钛箔2的绝缘层3；在其两侧的布线导体(即，电路)4；和在其安装侧的粘合树脂层5。电路板1具有通孔1a，其内壁覆盖有镀覆形成的铜沉积层6，与在两侧的布线导体(电路)电连接。
作为绝缘层3的芯的Ni-Fe基合金箔2(或钛箔2)，其作用是抑制绝缘层3和布线导体4的热膨胀，从而降低作为整体的电路板1的热膨胀。因此，芯2应具有足够小的热膨胀系数。
Ni-Fe基合金箔的热膨胀系数根据成分而变化。合适Ni含量范围为31wt％-50wt％，最佳为31wt％-45wt％。Ni含量如在31-50wt％范围以外，箔片的热膨胀系数高，难以抑制作为一个整体的电路板的热膨胀。
钛箔包括商业上用的纯钛箔和钛合金箔。钛合金由作为主成分的Ti和如Al、V、Cr、Mn、Sn和Zr的其它金属组成。这些钛箔的热膨胀系数约为8.8-9.0ppm/℃，具有低比重(约4.5)和良好耐蚀的特性。
芯的厚度最佳为10-300μm。厚度小于10μm，难以抑制整个电路板的热膨胀。如厚度超过300μm，降低了箔片的加工性能，而制备电路板或多层布线电路板必要的通孔镀覆可靠性减低。
在具有作为芯的Ni-Fe基合金箔或钛箔的电路板每侧形成的布线导体的电连接通过通孔镀覆的公知技术来完成。
形成绝缘层3的材料并不特别限定及包括例如有机高聚合物。合适有机高聚合物包括聚酰亚胺树脂如聚酰亚胺和聚醚酰亚胺、聚醚砜树脂、环氧树脂、酚醛树脂和芳酰胺树脂，最佳为聚酰亚胺树脂。
没有限定，铜通常用作构成布线导体(电路)4的金属材料。其它金属如金和银也可采用。
并未特别限定在低膨胀电路板1安装侧的粘合树脂层5的材料。合适的树脂包括热固性树脂如环氧树脂、热塑性树脂如聚醚酰亚胺和苯氧基树脂，和聚碳二酰亚胺。尤其是，由于重加热易于软化使已装在其上的半导体元件容易脱离，从表面安装的可修复性观点而言热塑性树脂和聚碳二酰亚胺最佳。
并不特别限定上述的聚碳二酰亚胺，包括具有分子式(Ⅰ)表示结构的那些(材料)
其中R表示二价有机基团；n表示2-100的正整数，最佳为5-50。
由公知技术合成的上述聚碳二酰亚胺为低收湿性的粘合树脂。例如，在L.M.Alberino,et al.,J.Appl.Polym.sci.,Vol.21,pp1999(1977)、JP-A-2-292316和JP-A-4-275359(词“JP-A”表示“未经审查出版日本专利申请”)中披露公开的，利用在有机溶剂中催化剂的存在有机二异氰酸酯反应，进行碳二酰亚胺反应合成聚碳二酰亚胺。有机二异氰酸酯的特定但非限定的例子是2,4-亚苄基二异氰酸酯、2,6-亚苄基二异氰酸酯、1-甲氧苯基-2,4-二异氰酸酯、4,4’-二苯甲烷二异氰酸酯、3,3’-二甲基-4,4’-二苯甲烷二异氰酸酯、3,3’-二甲氧基-4,4’-二苯甲烷二异氰酸酯、4,4’-二苯基醚二异氰酸酯、3,3’-二甲基-4,4’-二苯基醚二异氰酸酯、和O-亚苄基二异氰酸酯。这些二异氰酸酯化合物可单独使用(提供均聚物)或作为两个或多个混合物使用(提供共聚物)。
有机二异氰酸酯可通过包括相应二胺与碳酰氯、二苯基碳酸酯、羰基二咪唑等反应的工艺得到，工艺包括二羧酸的Curtius重排或相应尿烷的热分解方法，如G.Greber,et al.,Angew Int Ed.,Vol.7.No.12,P.941(1968)，和V.L.K.Valli,et al.,J.Orgchem.,Vol.60,P.257(1995)中所披露公开的。
作为原材料的双胺并不限定，最佳包括芳香双胺例如2,2-双(4-氨基苯氧基苯基)丙烷、2,2-双(4-氨基苯氧基苯基)六氟丙烷、1,3或1,4-双(4-氨基苯氧基)苯、2,4-或2,6-二氨基甲苯、二氨基二苯甲烷、4,4’-二氨基-2,2’-二甲基联苯，和4,4’-二氨基-2,2’-双(三氟甲基)联苯。它们可单独使用或作为两种或多种混合物使用(提供共聚物)。
并不特别限定二异氰酸酯在其中反应的溶剂，溶剂包括卤代烃，例如四氯乙烯、1,2-二氯乙烷和氯仿；酮，例如丙酮、丁酮、甲基·异丁基酮和环己酮；和环醚，例如四氢呋喃和二恶烷。它们可单独使用或使用其两个或多个的混合物。
并不特别限定碳二酰亚胺反应的催化剂，催化剂包括phosphorene oxide，如1-phenyl-2-phosphorene-1-oxide,3-methyl-2-phosphorene-1-oxide,1-ethyl-2-phosphorene-1-oxide，和3-ethyl-2-phosphorene-1-oxide，和对应的3-phosphoreneoxides。
如此合成的聚碳二酰亚胺由于收湿性非常低，其可靠性高。而且由于其介电常数低至3.0或更小，适合于高频。此外由于溶剂去除后在室温下存放，其储放性能良好。因此电路板无需低温下运输或存放，可极简便地处理。此外聚碳二酰亚胺可具有根据用于焊接的焊料而任意调节的玻璃转化温度(Tg)。
如下所述制备图1所示的低热膨胀电路板。如聚酰亚胺母体清漆的绝缘层形成材料涂到预定厚度的铜箔4a上，干燥，并允许在氮气环境中规定温度下酰亚胺化规定的时间，形成预定厚度的聚酰亚胺层3a，如图2所示。如图3所示，用钻、冲孔器等经预定厚度的Ni-Fe基合金箔(或钛箔)2在预定位置(对应图1的通孔1a)制备通孔2a，具有图2所示的聚酰亚胺层3a的铜箔4a经聚酰亚胺粘合层3b通过加热加压粘附在箔片2的每一侧，得到图4所示的低热膨胀双面板，其中聚酰亚胺层3a和聚酰亚胺粘合层3b形成绝缘层3。用钻等经双面板在对应箔片2的通孔2a的位置上形成通孔1a，通孔1a的直径比通孔2a的略小，如图5所示。通过1a的内壁涂覆预定厚度的铜，形成沉积层6，而通过例如在每一侧蚀刻铜箔4a形成预定布线图案，形成电路4，从而制备图6所示的低热膨胀电路板1A。在绝缘层3的两侧的电路4经沉积层6电连接。
形成粘合树脂层5的树脂材料例如热塑性树脂溶于有机溶剂，树脂液直接涂在低热膨胀电路板1A的安装侧，加热干燥，得到其安装侧上具有粘合树脂层5的低热膨胀电路板1，如图1所示。
粘合树脂层5的形成并不限定上述方法。例如，可通过将分离膜如硅氧烷处理聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜上单独形成的粘合树脂层5用热压和剥离PET膜方法转移到绝缘层3来形成。粘合树脂层5可位于图1所示的安装侧任一部分或安装侧的整个表面。
图7表示本发明多层电路板的例子，包括经粘合层7层叠的三个低热膨胀电路板1A，粘合树脂层5位于安装侧。其它部分结构与图1的低热膨胀电路板1一样，相同部分给出电路板1所用的相同符号或标号。标号8表示焊料制成的电连接每一相邻电路板1A的导体。
形成粘合层7的粘合剂包括聚酰亚胺粘合剂、环氧粘合剂、聚酰亚胺一环氧混合粘合剂、和聚醚酰亚胺粘合剂，最佳为聚酰亚胺粘合剂。
例如，如下所述制备图7所示的多层电路板。低热膨胀电路板1A以上述相同方法制备。制备每个具有开口9a的聚酰亚胺粘合层9，每个聚酰亚胺粘合层起到粘合层7的作用。如图8所示，聚酰亚胺粘合层9利用其开口9a在电路板1A的电路4规定位置上(通过焊接形成导体8的位置)暂时粘附于低热膨胀电路板1A的上侧。如图9所示，开口9a通过丝网印刷填满焊剂，加热熔化焊剂形成焊剂凸起10。图10所示，两块均具有粘合层9和焊剂凸起10的低热膨胀电路板1A和一块既无粘合层9也无焊剂凸起10的作为顶电路板的低热膨胀电路板1A在规定位置层叠并热压结合成一个整体。如此每个聚酰亚胺粘合层9成为粘合层7(参见图7)，每个焊剂凸起10成为导体8(参见图7)。最后，在顶电路板1A上以上述相同方法形成粘合树脂层5，得到图7所示的多层电路板。
除用丝网印刷形成外，可用其它方法形成焊剂凸起10。例如，利用焊药附着焊剂球，使之软熔形成凸起10。
为粘接半导体元件，可通过丝网印刷或利用焊剂球提前在低热膨胀电路板1或多层电路板的安装侧形成焊剂凸起10。通过这种处理，无需在半导体元件形成焊剂凸起，简化了安装步骤。
由于绝缘层包含作为芯的Ni-Fe基合金箔或钛箔，电路板自身的热膨胀系数接近于半导体元件(硅)。因此，电路板与安装于其上的半导体元件之间不会产生明显的应力，通过底层填料材料无需考虑应力释放，只要保持实际粘接强度即使高温下底层填料材料的弹性模量降低也不要紧。而且，安装侧的粘合树脂层极易安装并封装半导体元件。
粘合树脂层主要包括热塑性树脂或具有分子式(Ⅰ)表示结构的聚碳二酰亚胺，由于粘合树脂层重加热时易软化，电路板显现出良好的可修复性，从而已安装的半导体元件容易脱离。
粘接半导体元件的焊剂凸起提前形成在本发明的低热膨胀电路板，无需在要安装的半导体元件形成焊剂凸起，从而进一步简化安装步骤。
本发明的低热膨胀电路板和多层电路板适合于多片组件的基板。
参考例子现更详细地说明本发明，应理解本发明并不认作那里所限定的。如果没有其它方式注释，所有百分比为重量百分比。
例子1聚酰亚胺母体清漆(在N-甲基吡咯烷酮中P-苯撑双胺与3,3’,4,4’-联苯基-四羧酸二酐反应得到聚酰胺酸清漆)涂覆在18μm厚铜箔4a，干燥，400℃氮气气氛中1小时加热，形成厚度20μm的聚酰亚胺层3a(参见图2)。
用直径0.3mm的钻在规定位置制备孔2a，制得有孔2a的50μm厚42合金箔2(Ni:42％；Fe:58％；热膨胀系数4.5ppm/℃)，通过200℃ 40kg/cm2压力下热压1小时，经聚酰亚胺粘合层3b(SPB-035A,Nippon steel chemical co.,Ltd生产)，其铜箔向外，上述制备的铜/聚酰亚胺层叠粘合于箔片2的每一侧(参见图3)，得到低热膨胀双面板，其中聚酰亚胺层3a和聚酰亚胺粘合层3b形成绝缘层3(参见图4)。用直径0.2mm钻在对应箔片2的孔2a的位置上经双面板制备通孔1a(参见图5)。每一通孔1a的内壁涂覆铜，形成铜沉积层6，铜箔4a每面蚀刻，形成规定图案的电路4，制备低热膨胀电路板1A(参见图6)。如此得到的低热膨胀电路板的热膨胀系数α为7.5ppm/℃。
分别地，如下所述制备的聚碳二酰亚胺液利用涂板器涂覆在分离膜(硅氧烷处理的PET膜)上，120℃干燥30分钟，干燥厚度100μm。聚碳二酰亚胺层侧通过层合机10kg/cm压力下0.2m/min速度120℃粘附于低热膨胀电路板1A(图11所示的电路板1)安装侧的预定位置，剥离分离膜，提供给电路板1安装测100μm厚粘合树脂层5(熔化温度140℃)。图11的标号11为电极。
如图12所示的带有焊剂球12(易熔焊剂；熔点183℃；球高150μm)的硅芯片13利用倒装焊剂(DB-100,Shibuya Kogyo K.K出产)150℃下粘附图11的低热膨胀电路板1，焊剂球12在220℃高温下熔化，粘附电路板1的电极11。
聚碳二酰亚胺液的制备在装有滴液漏斗的101三口烧瓶中装入400.0g(0.777mol)的2,2-双(4-氨基苯氧基苯基)六氟丙烷。5300g的二氯甲烷和344g(3.39mol)的三乙胺。滴液漏斗放入242g(1.54mol)氯甲酸苯基酯，反应容器冰浴中冷却至0℃。氯甲酸苯基酯5分钟滴完，室温下搅拌反应混合物一整夜。备有氯化钙圆柱的冷却管装于三口烧瓶，1.04g(5.40mmol,0.70mol％)的3-methyl-1-phenylphosphorene-1-oxide(碳二酰亚胺催化剂)加入瓶中。氩气置换内部气氛之后，室温下加入184克(1.70mol)的三甲基氯化硅烷，紧接着搅拌10分钟。2小时内反应温度从室温缓慢升至80℃，同时用等量的甲苯代替二氯甲烷在此温度下搅拌反应混合物4小时。IR分析确认碳二酰亚胺反应完成之后，加入205g(1.54mol)的m-甲苯基异氰酸酯，反应混合物继续在80℃搅拌1.5小时。反应混合物倒入30公斤的异丙醇，同时搅拌，如此形成的沉淀被收集，并减压干燥，得到360克(产率90％)白色粉末的聚碳二酰亚胺。所得聚合物溶于有机溶剂，数均分子量为4200，重均份子量为15000。室温下300克份聚碳二酰亚胺溶于450克甲苯，制备聚碳二酰亚胺溶液。
例子2按例子1相同方法制备低热膨胀电路板1A(无粘合树脂层5)。利用钻(直径0.2mm)在对应电路板1(参见图11)的电极11的位置上经粘合层9制备孔9a。180℃下30kg/cm2压力30分钟将粘合层9(SPB-035A,Nippon steel chemical有限公司出品)与电路板1A的正确位置粘接。通过丝网印刷将粘合层9的孔9a填满焊剂膏(Sn820RA-3AMQ,Nippon Superior K.K.出品；熔点240℃)，焊剂膏在270℃熔化，形成焊剂凸起10(参见图9)。每个均有焊剂凸起10的两个低热膨胀电路板1A和既无粘合层9也无焊剂凸起10的作为顶电路板的一个低热膨胀电路板在规定位置层叠，并通过热压结合成一个整体(参见图10)。层叠的电路板的热膨胀系数α为7.5ppm/℃。最后，按例子1相同方法在顶电路板1A上形成粘合树脂层5，制备多层电路板(参见图7)。按例子1相同方法在顶电路板1A上粘接带有焊剂球(熔点183℃)的硅芯片。
例子3按例子1相同方法制备低热膨胀电路板1A(α:7.5ppm/℃)。例子1所用的相同聚碳二酰亚胺液覆盖电路板1A安装侧的整个表面，干燥厚度80μm，干燥形成粘合树脂层5。按例子1相同方法在其上安装硅芯片。
例子4按例子1相同方法制备低热膨胀电路板，除了用50μm厚度钛箔替代42合金箔以外(热膨胀系数8.8ppm/℃)。含有聚碳二酰亚胺的100μm厚粘合树脂层5(熔化温度140℃)按例子1相同方法形成。所得低热膨胀电路板的热膨胀系α为11.0ppm/℃。按例子1相同方法在其上安装带有焊剂球的硅芯片。
比较例子1除了用传统的玻璃一环氧层压件(α:17.0ppm/℃)替代低热膨胀电路板1以外，按例1相同方法在电路板上安装硅芯片。
由于例1-4的低热膨胀电路板在其安装侧预先具有用于安装半导体元件的粘合树脂层5，可容易完成电路板和半导体元件之间空隙封闭，而无需在安装半导体元件之后进行浇铸底层填料材料工序，而此工序在传统表面安装过程是必需的。
对例1-4得到的电路板和已安装半导体元件的比较例1的电路板进行热循环测试(-65℃/125℃，每30分钟一次)，评估连接可靠性。结果，1000次循环后例1-4未发生连接失败，而1000次循环后比较例1约80％接触点发生连接失败。因此证实本发明低热膨胀电路板极易完成裸片安装，同时确保高连接可靠性。
当例1-4电路板加热至220℃，粘合树脂层熔化，可容易去除硅芯片，而不损坏电路板。所以本发明的电路板具有优良的可修复性。
虽然详细地并参考特定例描述了本发明，但很明显本领域技术人员在不脱离其精神和范围下能作出各种改变和变形。
权利要求
1．低热膨胀电路板，包括具有作为芯的Ni-Fe基合金箔或钛箔的绝缘层；在其两侧的布线导体；和安装半导体元件一侧上的粘合树脂层。
2．如权利要求1的低热膨胀电路板，其中所述粘合树脂层主要包括热塑性树脂。如权利要求1的低热膨胀电路板，其中所述粘合树脂层主要包括由分子式(Ⅰ)表示结构的聚碳二酰亚胺
3．其中R表示双价有机基团；n表示2-100的一个整数。
4．如权利要求1的低热膨胀电路板，其中所述Ni-Fe基合金箔的Ni含量为31-50wt％。
5．如权利要求1的低热膨胀电路板，其中所述芯厚度为10-300μm。
6．具有整体层叠的多个低热膨胀电路板的多层电路板，其中每个低热膨胀电路板包括具有作为芯的Ni-Fe基合金箔或钛箔的绝缘层；在其两侧的布线导体；和安装半导体元件一侧上的粘合树脂层，两侧上的布线导体经所述绝缘层的通孔电连接。
7．如权利要求6的多层电路板，其中所述粘合树脂层主要包括热塑性树脂。
8．如权利要求6的多层电路板，其中所述粘合树脂层主要包括由分子式(Ⅰ)表示结构的聚碳二酰亚胺
其中R表示双价有机基团；n表示2-100的一个整数。
9．如权利要求6的多层电路板，其中所述Ni-Fe基合金箔的Ni含量为31-50wt％。
10．如权利要求6的低热膨胀电路板，其中所述芯的厚度为10-300μm。
全文摘要
半导体元件可容易地并高可靠性地安装在其上的低热膨胀电路板1,包括:具有作为芯的Ni－Fe基合金箔或钛箔的绝缘层3;在其两侧的布线导体4;和安装半导体元件一侧上的粘合树脂层5。
文档编号H01L23/14GK1219097SQ98124579
公开日1999年6月9日 申请日期1998年10月21日 优先权日1997年10月21日
发明者井上泰史, 杉本正和, 望月周 申请人:日东电工株式会社