4]图9为本发明低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法步骤3的剖面图；
[0035]图10为本发明低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法步骤4的剖面图；
[0036]图11为本发明低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法步骤5的剖面图。
【具体实施方式】
[0037]为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
[0038]请参阅图6，并结合图7-图11，本发明提供一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤:
[0039]步骤1、提供一基板10，于所述基板10上沉积非晶质状态的硅膜，形成非晶硅薄膜30 ο
[0040]具体的，首先在所述基板上沉积一缓冲层20，所述非晶硅薄膜30沉积于所述缓冲层20上，通过化学气相沉积工艺沉积所述缓冲层20及非晶硅薄膜30。
[0041]所述所述缓冲层20的材料为氮化硅、或氧化硅、或氮化硅与氧化硅的组合。
[0042]步骤2、采用光刻工艺将所述非晶硅薄膜30蚀刻成预定图案；
[0043]步骤3、采用激光照射工艺对所述形成有预定图案的非晶硅薄膜30进行照射，将非晶硅转化为多晶硅，形成多晶硅薄膜30a ;
[0044]具体的，首先对形成有非晶硅薄膜30的基板10进行清洗，然后采用准分子激光照射工艺，将准分子激光照射于非晶硅薄膜30，不断加热到非晶硅薄膜30熔解为止，熔解后的硅，按照能量及温度的高低重新结晶，形成分子结构在一颗晶粒中的排列整齐而有方向的多晶硅薄膜30a，该多晶硅薄膜30a为图案化的多晶硅薄膜30a。
[0045]步骤4、将杂质注入所述多晶硅薄膜30a中，形成有源区30b ;
[0046]具体的，所述步骤4中注入的杂质为P型杂质、或N型杂质；所述有源区30b包括待形成漏极的漏极区及待形成源极的源极区；将杂质注入步骤设于激光照射工艺之后，可以有效防止氢爆。
[0047]步骤5、于所述有源区30b上形成栅极绝缘膜40。
[0048]具体的，首先对形成有有源区30b的基板10进行清洗；进一步的，步骤6、在所述栅极绝缘膜40上依次形成栅极、层间绝缘膜，在所述层间绝缘膜及栅极绝缘膜上与所述待形成漏极的源极区、待形成源极的漏极区相对应的位置形成过孔，在所述过孔上形成源极、漏极。
[0049]综上所述，本发明提供一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，通过先对非晶硅薄膜上进行图案化处理，再通过激光照射工艺将图案化的非晶硅薄膜转化图案化的多晶硅薄膜，然后向图案化的多晶硅薄膜内注入杂质，形成有源区，最后在有源区上形成栅极绝缘膜，缩短了从形成多晶硅薄膜到形成栅极绝缘膜之间的工艺流程和滞留时间，减小了影响有源区质量的环境因素和流程因素，制作过程中不会发生氢爆，提高了低温多晶硅薄膜晶体管制程的良率。
[0050]以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: 步骤1、提供一基板(10)，于所述基板(10)上沉积非晶质状态的硅膜，形成非晶硅薄膜(30)； 步骤2、采用光刻工艺将所述非晶硅薄膜(30)蚀刻成预定图案； 步骤3、采用激光照射工艺对所述形成有预定图案的非晶硅薄膜(30)进行照射，将非晶硅转化为多晶硅，形成多晶硅薄膜(30a); 步骤4、将杂质注入所述多晶硅薄膜(30a)中，形成有源区(30b); 步骤5、于所述有源区(30b)上形成栅极绝缘膜(40)。
2.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤I中还包括在所述基板上形成缓冲层(20)，所述非晶硅薄膜(30)沉积于所述缓冲层(20)上。
3.如权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述缓冲层(20)材料为氮化硅、或氧化硅、或氮化硅与氧化硅的组合。
4.如权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤2中采用化学气相沉积工艺形成所述缓冲层(20)及非晶硅薄膜(30)。
5.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤3还包括激光照射之前对形成有非晶硅薄膜(30)的基板(10)进行清洗。
6.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤5还包括形成栅极绝缘膜(40)之前对形成有有源区(30b)的基板(10)进行清洗。
7.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤4中注入的杂质为P型杂质或N型杂质。
8.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤3中的激光照射工艺为准分子激光照射工艺。
9.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤4中所述有源区(30b)包括待形成漏极的漏极区及待形成源极的源极区。
10.如权利要求9所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法还包括: 步骤6、在所述栅极绝缘膜(40)上依次形成栅极、层间绝缘膜、源/漏极。
【专利摘要】本发明提供一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(10)，于基板(10)上沉积非晶质状态的硅膜，形成非晶硅薄膜(30)；步骤2、采用光刻工艺将所述非晶硅薄膜(30)蚀刻成预定图案；步骤3、采用激光照射工艺对形成有预定图案的非晶硅薄膜(30)进行照射，将非晶硅转化为多晶硅，形成多晶硅薄膜(30a)；步骤4、将杂质注入多晶硅薄膜(30a)中，形成有源区(30b)；步骤5、于有源区(30b)上形成栅极绝缘膜(40)；该方法能够缩短从形成多晶硅薄膜到形成栅极绝缘膜之间的工艺流程和滞留时间，减小影响有源区质量的环境因素和流程因素，且不会造成氢爆，提高了低温多晶硅薄膜晶体管制程的良率。
【IPC分类】H01L21-28, H01L21-336
【公开号】CN104599973
【申请号】CN201410842446
【发明人】李子健
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2014年12月30日