发光二极管及其制造方法
【专利说明】发光二极管及其制造方法
[0001]本申请是申请日为2007年9月20日、申请号为200780033885.3、发明名称为“发光二极管及其制造方法”的中国专利申请的分案申请。
技术领域
[0002]实施方案涉及发光二极管及其制造方法。
【背景技术】
[0003]通过在衬底上形成化合物半导体之后分离多个单元芯片的划片工艺来制造发光二极管(LED)。
[0004]划片工艺将是将激光辐照到衬底或化合物半导体上。在激光辐照期间，与利用激光辐照的划片区域相邻接的衬底或化合物半导体可受到损伤。
[0005]由LED的有源层产生的一部分光通过所述划片区域发射至外部。然而，光难以通过衬底或化合物半导体的被激光损伤的部分，这最终降低了 LED的光效率。
【发明内容】
[0006]技术问题
[0007]实施方案提供发光二极管(LED)及其制造方法。
[0008]实施方案提供具有改善的光效率的LED及其制造方法。
[0009]技术方案
[0010]一个实施方案提供一种制造发光二极管(LED)的方法，包括:形成半导体层；在所述半导体层上形成掩模层；使激光辐照到掩模层的划片区域上以将所述半导体层分为多个发光二极管；蚀刻所述划片区域；移除掩模层；和分离所述多个发光二极管。
[0011]一个实施方案提供一种制造发光二极管的方法，包括:在衬底上形成半导体层；在所述半导体层上形成掩模层；使激光辐照到衬底的划片区域上以将衬底分为多个发光二极管；蚀刻所述划片区域；移除掩模层；和分离所述多个发光二极管。
[0012]一个实施方案提供一种发光二极管，包括:衬底；在所述衬底上的半导体层；在所述半导体层上的电极，其中所述衬底或半导体层具有至少一个具有预定倾角的蚀刻后的侧表面。
[0013]本发明还涉及以下方案。
[0014]1.一种制造发光二极管(LED)的方法，所述方法包括:
[0015]形成半导体层；
[0016]在所述半导体层上形成掩模层；
[0017]使激光辐照到所述掩模层的划片区域上，以将所述半导体层分为多个发光二极管；
[0018]蚀刻所述划片区域；
[0019]移除所述掩模层；和
[0020]分离所述多个发光二极管。
[0021]2.根据方案I所述的方法，其中通过湿蚀刻和干蚀刻中的至少一种来实施所述划片区域的蚀刻。
[0022]3.根据方案2所述的方法，其中所述湿蚀刻使用第一蚀刻物质来实施，所述第一蚀刻物质对所述划片区域的蚀刻选择性比对所述掩模层的蚀刻选择性高。
[0023]4.根据方案3所述的方法，其中所述第一蚀刻物质包括盐酸(HCl)、硝酸(HNO3)、氢氧化钾(KOH)、氢氧化钠(NaOH)、硫酸(H2SO4)、磷酸(H3PO4)和Aluetch (4H3P04+4CH3C00H+HN03)中的至少一种，和
[0024]所述掩模层包括氮化硅(Si3N4)或二氧化硅(S12)的氧化物基材料。
[0025]5.根据方案2所述的方法，其中所述干蚀刻使用第一蚀刻物质来实施，所述第一蚀刻物质对所述划片区域的蚀刻选择性比对所述掩模层的蚀刻选择性高。
[0026]6.根据方案5所述的方法，其中所述第一蚀刻物质包括BC13、Cl2, HBr和Ar中的至少一种，和
[0027]所述掩模层包括选自由Si02、Ti0jP ITO组成的组中的氧化物基材料或选自由Cr、T1、Al、Au、Ni和Pt组成的组中的金属材料。
[0028]7.根据方案I所述的方法，其中所述掩模层通过湿蚀刻来移除，所述湿蚀刻使用第二蚀刻物质来实施，所述第二蚀刻物质对所述掩模层的蚀刻选择性比对所述半导体层的蚀刻选择性高。
[0029]8.根据方案7所述的方法，其中所述第二蚀刻物质包括缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)和氢氟酸(HF)中的至少一种。
[0030]9.根据方案I所述的方法，其中所述掩模层通过干蚀刻来移除，所述干蚀刻使用第二蚀刻物质来实施，所述第二蚀刻物质对所述掩模层的蚀刻选择性比对所述半导体层的蚀刻选择性高。
[0031]10.根据方案9所述的方法，其中所述第二蚀刻物质包括02和CF 4中的至少一种。
[0032]11.一种制造发光二极管的方法，所述方法包括:
[0033]在衬底上形成半导体层；
[0034]在所述半导体层上形成掩模层；
[0035]使激光辐照到所述衬底的划片区域上，以将所述衬底分为多个发光二极管；
[0036]蚀刻所述划片区域；
[0037]移除所述掩模层；和
[0038]分离所述多个发光二极管。
[0039]12.根据方案11所述的方法，包括在所述掩模层上形成支撑元件。
[0040]13.根据方案11所述的方法，其中使用第一蚀刻物质来实施所述划片区域的蚀亥IJ，所述第一蚀刻物质对所述划片区域的蚀刻选择性比对所述掩模层的蚀刻选择性高，
[0041]所述第一蚀刻物质包括盐酸(HC1)、硝酸(ΗΝ03)、氢氧化钾(Κ0Η)、氢氧化钠(NaOH)、硫酸(H2SO4)、磷酸(H3PO4)和 Aluetch (4H3P04+4CH3C00H+HN03)中的至少一种，和
[0042]所述掩模层包括氮化硅(Si3N4)或二氧化硅(S12)的氧化物基材料。
[0043]14.根据方案11所述的方法，其中使用第一蚀刻物质来实施所述划片区域的蚀亥IJ，所述第一蚀刻物质对所述划片区域的蚀刻选择性比对所述掩模层的蚀刻选择性高，
[0044]所述第一蚀刻物质包括BC13、Cl2, HBr和Ar中的至少一种，并且所述掩模层包括选自由Si02、Ti0jP ITO组成的组中的氧化物基材料或选自由Cr、T1、Al、Au、Ni和Pt组成的组中的金属材料。
[0045]15.根据方案11所述的方法，其中使用第二蚀刻物质来实施所述掩模层的移除，所述第二蚀刻物质对所述掩模层的蚀刻选择性比对所述半导体层的蚀刻选择性高，所述第二蚀刻物质包括缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)和氢氟酸(HF)中的至少一种。
[0046]16.根据方案11所述的方法，其中使用第二蚀刻物质来实施所述掩模层的移除，所述第二蚀刻物质对所述掩模层的蚀刻选择性比对所述半导体层的蚀刻选择性高，所述第二蚀刻物质包括02和CF 4中的至少一种。
[0047]17.根据方案12所述的方法，其中所述支撑元件包括以下物质中的至少一种:胶带、可湿蚀刻或干蚀刻的材料、金属材料和晶片衬底。
[0048]18.一种发光二极管，包括:
[0049]衬底；
[0050]在所述衬底上的半导体层；和
[0051]在所述半导体层上的电极，
[0052]其中所述衬底或所述半导体层具有至少一个具有预定倾角的蚀刻后的侧表面。
[0053]19.根据方案18所述的发光二极管，其中所述半导体层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，并且所述电极包括分别在所述半导体层和所述衬底之间的第一电极以及在所述半导体层上的第二电极，所述衬底包括导电衬底。
[0054]20.根据方案18所述的发光二极管，其中所述半导体层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，并且所述电极包括在所述第一半导体层上的第一电极和在所述第二半导体层上的第二电极。
[0055]在附图和以下的描述中阐述了一个或更多个实施方案的细节。其它特征会通过说明和附图以及通过权利要求而变得显而易见。
[0056]有益效果
[0057]实施方案可提供发光二极管(LED)及其制造方法。
[0058]实施方案可提供具有改善的光效率的LED及其制造方法。
【附图说明】
[0059]图1?6是说明根据第一实施方案的发光二极管(LED)及其制造方法的截面图。
[0060]图7?11是说明根据第二实施方案的LED及其制造方法的截面图。
【具体实施方式】
[0061]现在将详述发光二极管(LED)及其制造方法，在附图中对其示例进行说明。
[0062]图1?6是说明根据第一实施方案的LED及其制造方法的截面图。
[0063]参考图1，在衬底10上形成半导体层20、第一电极31和第二电极41，以形成LED。
[0064]衬底10可包括例如蓝宝石衬底。半导体层20具有化合物半导体的多堆叠结构，下面将在图6中对其进行更完全的描述。
[0065]可选择性地蚀刻半导体层20的一部分，并且在半导体层20的蚀刻后的部分上形成第一电极31。因此，即使在相同的半导体层20上形成第一和第二电极31和41，它们也具有彼此不同的高度。
[0066]为描述方便起见，图1?6的实施方案说明截面图，该截面图说明形成第一、第二和第三LED 51、52和53的工艺。
[0067]参考图2，在半导体层20、第一电极31和第二电极41上形成掩模层60。
[0068]在划片工艺期间，掩