腔室，其特征在于， 所述腔室外壳，包括: 下层腔室外壳，其具有作为其内部空间的第I内部空间； 上层腔室外壳，其位于所述下层腔室外壳的上层，具有作为其内部空间的第2内部空间，且在侧壁水平方向喷射工序气体来流到间隔层叠的基板之间后排放到外部。
3.根据权利要求2所述的处理腔室，其特征在于， 所述基板移送闸门，其形成贯通所述下层腔室外壳的一侧壁。
4.根据权利要求2所述的处理腔室，其特征在于， 所述晶舟，包括: 上部面板； 下部面板； 多个支撑杆，其连接所述上部面板与下部面板； 多个基板安装槽，其形成在所述支撑杆的侧壁。
5.根据权利要求4所述的处理腔室，其特征在于， 所述晶舟升降手段， 其在所述下层腔室外壳的第I内部空间与所述上层腔室外壳的第2内部空间之间升降所述晶舟。
6.根据权利要求5所述的处理腔室，其特征在于， 所述晶舟升降手段，若基板通过基板移送闸门安装在基板安装槽，则其分阶段逐一上升晶舟，以使另一基板安装在下一个基板安装槽。
7.根据权利要求4所述的处理腔室，其特征在于， 所述晶舟升降手段，包括: 晶舟支撑架，其支撑所述下部面板； 升降旋转驱动轴，其贯通所述下层腔室外壳的底面，来上升及下降所述晶舟支撑架。
8.根据权利要求7所述的处理腔室，其特征在于， 所述升降旋转驱动轴旋转晶舟支撑架。
9.根据权利要求2所述的处理腔室，其特征在于， 所述上层腔室外壳，包括: 上层腔室内部外壳，其收纳通过开放的下侧而上升的晶舟； 上层腔室外部外壳，其间隔包裹所述上层腔室内部外壳的上面及侧壁； 工序气体喷射手段，其在所述上层腔室内部外壳的一侧内壁喷射工序气体； 工序气体排放手段，其在所述上层腔室内部外壳的内部空间将已处理基板的工序气体排放到外部。
10.根据权利要求9所述的处理腔室，其特征在于， 所述工序气体喷射手段，包括: 工序气体流入空间体，其具有内部空间； 多个气体喷射孔，其形成在接触于所述容器的工序气体流入空间体的壁面； 工序气体供应管，其将工序气体流入所述工序气体流入空间体的内部空间。
11.根据权利要求10所述的处理腔室，其特征在于， 所述工序气体排放手段，包括: 工序气体排放空间体，其具有内部空间； 多个气体排放孔，其形成在接触于所述晶舟的工序气体排放空间体的壁面； 排放泵，其将在所述工序气体排放空间体内部空间的工序气体抽到外部； 工序气体排放管，其连接所述工序气体排放空间体的内部空间与所述排放泵。
12.根据权利要求11所述的处理腔室，其特征在于， 所述工序气体流入空间体及工序气体排放空间体形成在所述上层腔室内部外壳的壁体。
13.根据权利要求11所述的处理腔室，其特征在于， 所述工序气体流入空间体及工序气体排放空间体形成在相互相对的位置。
14.根据权利要求2所述的处理腔室，其特征在于，包括: 等离子生成手段，其将等离子电压施加于所述上层腔室外壳。
15.根据权利要求14所述的处理腔室，其特征在于， 所述等离子生成手段，其位于所述上层腔室内部外壳与上层腔室外部外壳之间。
16.根据权利要求15所述的处理腔室，其特征在于， 所述等离子生成手段由U形状的等离子天线实现。
17.根据权利要求16所述的处理腔室，其特征在于， 所述等离子天线，施加电压的其一末端及接地连接点的另一端位于上层腔室外壳的上侦U，一末端与另一末端的连接线路以U形状横跨上层腔室内部外壳与上层腔室外部外壳之间。
18.一种基板处理装置，其特征在于，包括: 处理腔室，其具有间隔层叠多个基板的晶舟，其旋转的同时将工序气体喷射到在晶舟内间隔层叠的基板之间之后排放到外部； 负载锁定腔室，其在真空状态变化为大气状态，或在大气状态变化为真空状态； 移送腔室，其将在所述负载锁定腔室内移送的基板移送到处理腔室，将从所述处理腔室移送的基板移送到负载锁定腔室。
19.根据权利要求18所述的基板处理装置，其特征在于， 所述处理腔室，包括: 晶舟，其间隔层叠多个基板； 下层腔室外壳，其以开放上侧的状态具有第I内部空间； 上层腔室外壳，其以开放下侧的状态具有第2内部空间，在其一侧内壁将工序气体喷射到在晶舟内间隔层叠的基板之间，通过另一侧内壁排放到外部； 晶舟升降手段，其在所述上层腔室外壳的第I内部空间与所述上层腔室外壳的第2内部空间之间，上升及下降移动所述晶舟； 基板移送闸门，其形成贯通所述下层腔室外壳一侧壁。
20.根据权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于 所述晶舟，包括: 上部面板； 下部面板； 多个支撑杆，其连接所述上部面板与下部面板； 多个基板安装槽，其形成在所述支撑杆的侧壁。
21.根据权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于 所述上层腔室外壳，包括: 上层腔室内部外壳，其收纳通过开放的下侧而上升的晶舟； 上层腔室外部外壳，其间隔包裹所述上层腔室内部外壳的上侧及侧壁； 工序气体喷射手段，其在所述上层腔室内部外壳的一侧内壁向另一侧内壁流动工序气体； 工序气体排放手段，其将到达所述另一侧内壁的工序气体排放到外部。
22.根据权利要求21所述的基板处理装置，其特征在于， 所述工序气体喷射手段，包括: 工序气体流入空间体，其具有内部空间； 多个气体喷射孔，其形成在接触于所述晶舟的工序气体流入空间体的壁面； 工序气体供应管，其将工序气体流入所述工序气体流入空间体的内部空间。
23.根据权利要求21所述的基板处理装置，其特征在于， 所述工序气体排放手段，包括: 工序气体排放空间体，其具有内部空间； 多个气体排放孔，其形成在接触于所述晶舟的工序气体排放空间体的壁面； 排放泵，其将在所述工序气体排放空间体的内部空间的工序气体抽到外部； 工序气体排放管，其连接所述工序气体排放空间体的内部空间与所述排放泵。
24.根据权利要求21所述的基板处理装置，其特征在于， 施加等离子电压的等离子生成手段，位于所述上层腔室内部外壳与上层腔室外部外壳之间。
25.根据权利要求24所述的基板处理装置，其特征在于， 所述等离子生成手段由U形状的等离子天线实现。
26.根据权利要求25所述的基板处理装置，其特征在于， 所述等离子天线，施加电压的其一末端及接地连接点的另一末端位于上层腔室外壳的上侧，并且其一末端与另一末端的连接线路以U形状横跨上层腔室内部外壳与上层腔室外部外壳之间。
【专利摘要】本发明涉及处理腔室及基板处理装置，本发明实施形态的处理腔室，包括：晶舟，其上下间隔层叠多个基板；腔室外壳，其上升所述晶舟来位于其内部空间，在侧壁水平方向喷射工序气体来流到间隔层叠的基板之间后排放到外部；晶舟升降手段，其将所述晶舟升降到所述腔室外壳的内部；基板移送闸门，其贯通所述腔室外壳的一侧壁。另外，本发明实施形态的基板处理装置，包括：处理腔室，其具有间隔层叠多个基板的晶舟，其旋转的同时将工序气体喷射到在晶舟内间隔层叠的基板之间之后排放到外部；负载锁定腔室，其在真空状态变化为大气状态，或在大气状态变化为真空状态；移送腔室，其将在所述负载锁定腔室内移送的基板移送到处理腔室，将从所述处理腔室移送的基板移送到负载锁定腔室。
【IPC分类】H01L21-02, H01L21-205
【公开号】CN104620353
【申请号】CN201380041764
【发明人】尹松根, 李种华, 高赫俊, 李障赫
【申请人】新意技术股份有限公司
【公开日】2015年5月13日
【申请日】2013年4月3日
【公告号】US20150197851, WO2014003296A1