0并且到达阱接触区域35和源极区域40的接触孔。
[0化3] 接下来，在通过瓣射法等形成W Ni为主成分的金属膜之后，进行600?llOOC的 温度的热处理，使W Ni为主成分的金属膜、和接触孔内的碳化娃层发生反应，在碳化娃层 与金属膜之间形成娃化物。接下来，通过利用硫酸、硝酸、盐酸中的某一个、或者它们和过氧 化氨水的混合液等的湿法蚀刻，去除在反应得到的娃化物W外的层间绝缘膜55上残留了 的金属膜。由此，形成源极欧姆电极70。
[0化4] 接下来，通过在基板10的背面（第2主面）形成WNi为主成分的金属并进行热 处理，在基板10的背侧形成背面欧姆电极71。
[0化5] 接下来，采用利用光致抗蚀剂等的图案化，去除第一隔开区域22上的层间氧化膜 55和栅极绝缘膜50、W及成为栅极接触孔的位置的层间绝缘膜55。作为去除的方法，优选 是对第一隔开区域22的表面不造成损伤的湿法蚀刻。
[0056] 接下来，通过瓣射法等，沉积肖特基电极75。作为肖特基电极75，优选沉积Ti、Mo、 Ni等。
[0化7] 之后，在此前处理了的基板10的表面，通过瓣射法或者蒸锻法，形成A1等的布线 金属，通过光刻技术，加工为规定的形状，从而形成与源极欧姆电极70和肖特基电极75接 触的源极电极80、和与栅极电极60接触的栅极焊盘W及栅极布线。进而，如果在基板10的 背面形成了的背面欧姆电极71的表面上形成作为金属膜的漏极电极85,则图1示出其剖面 图并且图2示出一部分的俯视图的半导体装置完成。
[005引接下来，将作为本实施方式中的半导体装置的SBD内置MOSFET的动作分成3个状 态来简单说明。
[0059] 关于第1个状态，在相比于源极电极80而对漏极电极85施加更高的电压、并且对 栅极电极60施加阔值W上的正的电压的情况下，W下称为"导通状态"。在该导通状态下， 在沟道区域中形成反转沟道，在n型的源极区域40与n型的第二隔开区域21之间形成作为 载流子的电子所流过的路径。另一方面，对在第一隔开区域22和肖特基电极75的接触部 处形成的肖特基结，施加对于肖特基连接来说不易流过电流的方向、即反方向的电场（反 向偏置），所W不流过电流。从源极电极80流入到漂移电极85的电子依照由对漏极电极 85施加的正电压形成的电场，从源极电极80经由源极欧姆电极70、源极区域40、沟道区域、 第二隔开区域21、漂移层20 W及基板10到达漏极电极85。因此，通过对栅极电极60施加 正电压，从漏极电极85向源极电极80流过导通电流。此时，将对源极电极80与漏极电极 85之间施加的电压称为导通电压，将导通电压除W导通电流的密度而得到的值称为导通电 阻，等于上述电子流过的路径的电阻的合计。导通电阻与导通电流的平方之积等于MOSFET 在通电时消耗的通电损失，所W导通电阻优选为低。
[0060] 关于第2个状态，在相比于源极电极80而对漏极电极85施加更高的电压、并且 对栅极电极60施加阔值W下的电压的情况下，W下称为"截止状态"。在该状态下，在沟道 区域中不存在反转载流子，所W不流过导通电流，在导通状态下对负载施加的高电压被施 加到MOSFET的源极电极80与漏极电极85之间。对在第一隔开区域22和肖特基电极75 的接触部中形成的肖特基结，施加与"导通状态"相同的方向的电场，所W理想地说，不流过 电流，但由于施加远高于"导通状态"的电场，所W可能发生漏电流。如果漏电流大，则使 MOSFET的发热增大，有时MOSFET W及使用了 MOSFET的模块被热破坏，所W为了降低漏电 流，优选将对肖特基结施加的电场抑制得较低。
[0061] 关于第3个状态，在相比于源极电极80而对漏极电极85施加更低的电压、即对 MOSFET施加反电动势的状态下，从源极电极80朝向漏极电极85流过回流电流。W下，将该 状态称为"回流状态"。在回流状态下，对在第一隔开区域22和肖特基电极75的接触部中 形成的肖特基结施加正向的电场（正向偏置），从肖特基电极75朝向n型的第一隔开区域 22流过由电子电流构成的单极电流。此时，回流二极管的回流电流分量仅为该单极分量。 如果通过肖特基电极75而流过的电子电流密度变大，则第一隔开区域22中的压降变大，漂 移层20相对于源极电极80的电位变低。另外，源极电极80和阱区域30经由源极欧姆电 极70成为相同的电位。其结果，对P型的阱区域30和漂移层20之间的pn结施加正向偏 置。该正向偏置变大，在其超过了 pn结的扩散电位时，产生从阱区域30朝向漂移层20的 空穴化ole)的注入。即，基于P型的阱区域30和n型的漂移层20的pn二极管进行动作， 产生少数载流子的注入（双极动作）。即，作为回流二极管的电流分量，对单极电流施加双 极电流。
[0062] 如果产生少数载流子的注入，则产生接下来的两个问题。第1个问题是，在从回流 状态变化成截止状态或者导通状态时，需要抽出作为少数载流子而注入了的空穴，所W产 生恢复电流，并发生由此导致的电力损失、即恢复损失。目P，如果对回流二极管的电流分量 加上双极电流，则电力损失变大。
[0063] 第2个问题是，通过由于作为少数载流子而注入了的空穴的一部分与电子复合而 产生的复合能量，有时对半导体的晶体造成损伤。例如，在碳化娃的情况下，已知由于复合 能量而产生层叠缺陷。该层叠缺陷使电流难W流过，使器件的电阻增大，导致器件特性的随 时间劣化成为问题。
[0064] 为了避免该两个问题，并且W相同的巧片面积得到尽可能大的回流电流，期望实 现不引起双极动作而仅W单极电流流过的最大电流密度（最大单极电流密度）、即回流二 极管分量仅为单极电流、并且其最大单极电流密度大的SBD内置M0SFET。
[00化]根据从上述说明可知，为了使最大单极电流密度增大，通过使第1区域的杂质浓 度高于漂移层20的第1杂质浓度，降低第一隔开区域22的电阻，即抑制第一隔开区域22 的压降，从而抑制对阱区域30与漂移层20之间的pn结施加的正向偏置而防止产生双极动 作是有效的。
[0066] 在本实施方式中，通过使处于第一隔开区域22的第1区域的n型杂质浓度高于漂 移层20的第1杂质浓度，降低第一隔开区域22的电阻，所W能够抑制对pn结施加的正向 偏置。即，提高不发生少数载流子的注入的状态的回流二极管的电流密度、即单极电流密度 的最大值，所W能够增大回流二极管的最大单极电流密度。
[0067] 另外，在本实施方式中，能够提高在作为漂移层20的碳化娃中不发生少数载流子 的注入的状态的回流二极管的单极电流密度、即最大单极电流，所W具有增大回流电流，同 时不发生层叠缺陷，能够抑制器件特性的随时间劣化该样的效果。
[0068] 但是，如果使第1区域的n型杂质浓度大于阱区域30的第2杂质浓度，则在截止 状态下从阱区域30向第一隔开区域22的耗尽层不充分扩展，对肖特基结施加的电场变大 而漏电流变大，所W重要的是第1区域的n型（第1导电类型）杂质浓度低于阱区域30的 P型（第2导电类型）的第2杂质浓度。
[0069] 当在阱区域30内的第2杂质浓度中有深度方向的浓度分布的情况下，来自阱区域 30的耗尽层的扩展方式简单，所W考虑向与pn结面正交的方向的伸展即可，即，即使阱区 域30的第2杂质浓度根据深度而不同，只要第1区域内的杂质浓度比阱区域30的相同的 深度的第2杂质浓度低即可。
[0070] 目P，只要第1区域内的某个深度处的杂质浓度比相同的深度处的阱区域30内的第 2杂质浓度低、并且比漂移层20的第1杂质浓度高即可。
[0071] 在不使用本实施方式的情况、即第一隔开区域22整体的n型杂质浓度等于漂移层 20的第1杂质浓度的情况下，作为使最大单极电流密度增大的方法，考虑扩大第一隔开区 域22的宽度的方法。在该情况下，产生W下的两个问题。
[0072] 第1个问题是，在图1中与基板10的横方向的长度相当的单元间距、即构成 MOSFET的最小周期（组件单元）的长度伴随第一隔开区域22