41] 应当理解，以上总体描述和以下详细描述这二者是示例性和说明性的，并且旨在 提供对要求保护的本发明的进一步说明。
【附图说明】
[0042] 附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入本申请并构成本申请的一 部分，附图例示了本发明的实施方式，并且与本说明书一起用来说明本发明的原理。附图 中：
[0043] 图1示意性地示出了具有第一类型包封结构的有机发光显示设备的截面表面；
[0044] 图2示意性地示出了具有第二类型包封结构的有机发光显示设备的截面表面； [0045] 图3示意性地示出了具有第三类型包封结构的有机发光显示设备的截面表面；
[0046] 图4示意性地示出了根据本发明的实施方式的有机发光显示设备的截面表面；
[0047] 图5示意性地示出了根据本发明的实施方式的TFT基板的截面表面；
[0048] 图6示意性地示出了根据本发明的另一实施方式的TFT基板的截面表面；
[0049] 图7至图9以及图11至图13是用于描述制造根据本发明的实施方式的有机发光 显示设备的方法的截面图；以及
[0050] 图10是根据本发明的实施方式的官能化石墨烯的化学结构式。
【具体实施方式】
[0051] 现在将详细地参照本发明的实施方式，其示例被例示在附图中。只要可能，相同的 附图标记可以在所有附图中用来指代相同的或相似的部分。
[0052] 下面将参考附图详细描述根据本发明的有机发光显示设备及其制造方法的实施 方式。
[0053] 在本发明的实施方式的描述中，当结构形成（或布置）在另一结构"上"时，该描 述应当理解为包括下述情况，即这些结构彼此接触以及下述情况，即第三结构被插置在这 些结构之间。然而，当使用术语"直接在...上"时，应当理解，这些结构彼此接触。
[0054] 这里使用的术语"官能化石墨烯"表示具有亲水基的石墨烯。
[0055] 图4示意性地示出了根据本发明的实施方式的有机发光显示设备的截面表面。
[0056] 根据本发明的实施方式的有机发光显示设备包括TFT基板100,其包括多个TFT ; 有机发光器件200,其位于TFT基板100上；以及包封层400,其形成在TFT基板100和有机 发光器件200上以覆盖有机发光器件200。
[0057] 根据本发明的实施方式，如图4中所示，有机发光显示设备可以进一步包括位于 有机发光器件200和包封层400之间的保护层300 ;位于包封层400上的偏光器500 ;以及 通过粘合层600粘合到偏光器500的前模块700。
[0058] 图5示意性地示出了根据本发明的实施方式的TFT基板的截面表面。
[0059] 如图5中所示，根据本发明的实施方式的TFT基板100包括聚酰亚胺膜110、位于 聚酰亚胺膜110的一个表面上的缓冲层120和布置在缓冲层120上的TFT 130和电容器 140以及通过粘合层180粘合到聚酰亚胺膜110的另一表面的后板190。
[0060] TFT 130包括半导体层131、栅电极132、源电极133和漏电极134。电容器140包 括下电极141和电容器上电极142。
[0061] 栅极绝缘层150被布置在半导体层131与栅电极132之间以及电容器下电极141 与电容器上电极142之间。层间电介质160被布置在电容器上电极141上并且布置在栅电 极131与源电极133和漏电极134之间。
[0062] 覆盖层170布置在层间电介质160以及源电极133和漏电极134上，以保护TFT130 和电容器140并且对由TFT 130引起的台阶高度进行平坦化。
[0063] 有机发光器件200的第一电极210通过形成在覆盖层170中的孔电连接到TFT130 的漏电极134。
[0064] 图5的TFT基板100具有用于实施柔性显示设备的结构并且包括其中栅电极132 布置在半导体层131上的顶栅极TFT，但是不限于此。例如，TFT基板100可以包括其中栅 电极132布置在半导体层131下面的底栅极TFT，并且具有非柔性结构。
[0065] 例如，如图6中所示，TFT基板100'包括由玻璃或塑料材料形成的基板111、位于 基板111上的栅电极113a、位于基板111和栅电极113a上的栅极绝缘层112、形成为覆盖 栅电极113a并且其间具有栅极绝缘层112的半导体层113b、形成在栅极绝缘层112和半 导体层113b上的源电极113c和漏电极113d以彼此分离；以及顺序地形成在基板111上 并且TFT 113形成在其上的无机绝缘层114和有机绝缘层115。有机发光器件200的第一 电极210通过形成在无机绝缘层114和有机绝缘层115中的孔电连接到TFT 113的漏电极 113d。
[0066] 下面，将参考图4更详细地描述TFT基板100上的有机发光器件200。
[0067] 根据本发明的实施方式的有机发光器件200包括位于TFT基板100上的第一电极 210 ;环岸层220,其形成在TFT基板100上并且第一电极210形成在其上，并且包括暴露第 一电极210的对应于发光区域的至少一部分；发光有机层230,其形成在第一电极210的通 过环岸层220的环岸孔暴露的部分；第二电极240,其位于发光有机层230上；以及覆盖层 250,其位于第二电极240上。
[0068] 第一电极210电连接到TFT基板100的TFT 130(更详细地，漏电极134)。第一电 极210是阳电极，并且可以由具有高功函数的透明导电材料形成，这些透明导电材料例如 为铟锡氧化物（ITO)、铟锌氧化物（IZO)、铟锡锌氧化物（ITZO)、铟铯氧化物（ICO)或ΖΝ0。 [0069] 环岸层220的环岸孔通过暴露第一电极210的至少一部分来限定发光区域。
[0070] 布置在第一电极210和环岸层220中的每一个的通过环岸层220的环岸孔暴露的 部分上的发光有机层230可以包括发光层、位于第一电极210与发光层之间的空穴注入层 和/或空穴传输层以及位于第二电极240和发光层之间的电子注入层和/或电子传输层。
[0071] 布置在发光有机层230上的第二电极240是阴电极，并且可以由具有低功函数的 铝（Al)、镁（Mg)、钙（Ca)、银（Ag)或其合金形成。
[0072] 根据本发明的有机发光显示设备可以是底发光型，其中，从发光有机层230发射 的光通过TFT基板100,或者是顶发光型，其中，从发光有机层230发射的光通过前模块 700。
[0073] 在底发光型中，第二点击240具有使得光能够反射的足够的厚度。
[0074] 另一方面，在顶发光型中，第二点击240具有使得光能够发射的薄的厚度（例如， IA至50A )，并且由Al、Ag或镍（Ni)形成的反射层（未示出）布置在第一电极210下方。 同样，如图4中所例示的，覆盖层250可以形成在第二电极240上。覆盖层250用来防止 从发光有机层230发射的光在第二电极240上方全反射，并且可以由导电无机材料和有机 材料的混合物形成。导电无机材料可以使用例如过渡金属、碱金属、碱土金属、稀土金属和 它们的两个或更多个金属的合金。有机材料可以使用具有良好空穴迁移率的有机材料（例 如，可以用作空穴传输层的基质材料的材料）或者具有良好电子迁移率的有机材料（例如， 可以用作电子传输层的基质材料的材料）。导电无机材料在覆盖层250中产生表面等离子 体共振来增加光的散射和光的吸收，以防止光在第二电极240上方全反射，由此增强有机 发光显示设备的光提取效果。
[0075] 如图4中所例示的，根据本发明的有机发光显示设备包括形成在TFT基板100和 有机发光器件200上以覆盖有机发光元件200的包封层400。包封层400用于防止水或氧 渗透进入发光有机层230,并且因此，可以整体地覆盖有机发光器件200。
[0076] 包封层400包括由嵌段共聚物和官能化石墨烯形成的混合材料。如上所述，官能 化石墨稀表不具有未水基的石墨稀。
[0077] 石墨烯具有由Sp2碳原子构成的二维（2D)蜂巢结构。石墨烯具有非常稳定的结 构，其中，单键和双键共轭，并且具有良好的机械强度、柔性和光透射性。因此，石墨烯是适 合于有机发光显示设备的包封结构。重要的是，石墨烯的碳链大小小于水分子的直径，并且 因此，石墨烯具有非常优异的水/氧切断特性。
[0078] 嵌段共聚物具有用于最小化热动力学能量的自组装特性。块的均匀的微相位分离 是由自组装引起的，并且形成了具有几 nm至几十nm的大小的微区。包括层状结构的适合 于有机发光显示设备的包封结构的各种类型的微结构可以通过嵌段共聚物的自组装来形 成。通过自组装形成的嵌段共聚物的微结构的类型可以通过调整形成每个块的均聚物的体 积分数来控制。即，自组装为某一类型的微结构的嵌段共聚物可以通过调整均聚物的体积 分数来获得。
[0079] 本发明的特征在于包封层400由通过官能化石墨烯和嵌段共聚物的化学键合形 成的混合材料形成，并且因此，对于嵌段共聚物的自组装获得技术施加了非常好的石墨烯 的阻挡特性。
[0080] 可以通过下述方式来形成具有多层结构（即，层状结构）的包封层，即，对于适合 于有机发光显示设备的包