层厚度。
[0223]在阻挡层104上或上方，或者如果阻挡层104是可选的:在玻璃衬底102上或上方，可以施加根据不同的设计方案的玻璃层504。
[0224]玻璃层504的其他详细说明可以从说明书和/或对图4和图5的描述中获得。
[0225]在玻璃层504上或上方，可以设置发光器件100的电有源区域106。电有源区域106可以理解为发光器件100的其中有用于驱动发光器件100的电流流动的区域。
[0226]在不同的实施例中，电有源区域106可以具有第一电极110、第二电极114和有机功能层结构112，如其在下面更详细阐述的那样。
[0227]因此，在不同的实施例中，在玻璃层504上或上方可以施加有第一电极110(例如以第一电极层110的形式)。第一电极110(在下文中也称为下部电极110)可以由导电材料形成或者是导电材料，例如由金属或透明导电氧化物(transparent conductiveoxide, TCO)形成或由相同金属的或不同金属的和/或相同TCO的或不同TCO的多个层的层堆来形成。透明导电氧化物是透明导电材料，例如金属氧化物，例如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或铟锡氧化物(ITO)。除了二元金属氧化物例如2110、31102或In2O3以外，三元金属氧化物例如 AlZnO、Zn2SnO4N CdSn03、ZnSnO3> Mgln204、Galn03、Zn2In2O5HJc In 4Sn3012或不同的透明导电氧化物的混合物也属于TCO族并且可以在不同的实施例中使用。此外，TCO并不一定符合化学计量的组分并且还可以是P型掺杂的或η型掺杂的。
[0228]在不同的实施例中，第一电极110可以具有金属；例如Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ca、Sm或L1、以及这些材料的化合物、组合或合金。
[0229]在不同的实施例中，可以由在TCO层上的金属层的组合的层堆形成第一电极110，或者反之。一个示例是施加在铟锡氧化物层(ITO)上的银层(ΙΤ0上的Ag)或ITO-Ag-1TO复层。
[0230]在不同的实施例中，替选于或附加于上述材料，第一电极110可以具有下述材料中的一种或多种:由金属的纳米线(例如由Ag构成)和纳米微粒构成的网络；由碳纳米管构成的网络；石墨微粒和石墨层；由半导体纳米线构成的网络。
[0231]此外，第一电极110可以具有导电聚合物或过渡金属氧化物或导电透明氧化物。
[0232]在不同的实施例中，第一电极110和玻璃衬底102可以构成为是半透明的或透明的。在第一电极110具有金属或由其形成的情况下，第一电极110例如可以具有小于或等于大约25nm的层厚度、例如小于或等于大约20nm的层厚度、例如小于或等于大约18nm的层厚度。此外，第一电极110例如可以具有大于或等于大约1nm的层厚度、例如大于或等于大约15nm的层厚度。在不同的实施例中，第一电极110可以具有在大约1nm至大约25nm范围内的层厚度、例如在大约1nm至大约18nm范围内的层厚度、例如在大约15nm至大约18nm范围内的层厚度。
[0233]此外，对于第一电极110具有透明导电氧化物(TCO)或由其形成的情况而言，第一电极110例如可以具有在大约50nm至大约500nm范围内的层厚度、例如在大约75nm至大约250nm范围内的层厚度、例如在大约10nm至大约150nm范围内的层厚度。
[0234]此外，对于第一电极110例如由可与导电聚合物组合的金属的纳米线(如由Ag构成)构成的网络形成、由可与导电聚合物组合的碳纳米管构成的网络形成或者由石墨层和复合材料形成的情况而言，第一电极110例如可以具有在大约Inm至大约500nm范围内的层厚度、例如在大约1nm至大约400nm范围内的层厚度、例如在大约40nm至大约250nm范围内的层厚度。
[0235]第一电极110可以构成为阳极、即构成为注入空穴的电极，或者构成为阴极、即构成为注入电子的电极。
[0236]第一电极110可以具有第一电接触垫，第一电势(由能量源(未不出)、例如由电流源或电压源提供)可以施加到所述第一电接触垫上。替选地，第一电势可以施加到玻璃衬底102上或者是施加到玻璃衬底102上的，并且然后经由此间接地施加到第一电极110上或者是施加到第一电极110上的。第一电势例如可以是接地电势或者是不同地预设的参考电势。
[0237]此外，发光器件100的电有源区域106可以具有有机功能层结构112，所述有机功能层结构是施加在第一电极110上或上方的或者构成在第一电极110上或上方。
[0238]有机功能层结构112可以具有一个或多个发射器层118、例如具有发荧光的和/或发磷光的发射器的发射器层，以及一个或多个空穴传导层116 (也称作空穴传输层120)。
[0239]在不同的实施例中，替选地或附加地，可以设有一个或多个电子传导层116 (也称作电子传输层116)。
[0240]可以在根据不同实施例的发光器件100中用于发射器层118的发射器材料的实例包括:有机的或有机金属的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚亚苯基的衍生物(例如2-或2，5-取代的聚对苯乙炔);以及金属络合物，例如铱络合物，如发蓝色磷光的FIrPic (双(3，5- 二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)-铱III)、发绿色磷光的Ir (ppy) 3 (三(2-苯基吡啶)铱III)、发红色磷光的Ru (dtb-bpy) 3*2 (PF6)(三[4，4’ - 二-叔-丁基-(2，2’)-联吡啶]钌(III)络合物)、以及发蓝色荧光的DPAVBi (4，4-双[4-(二-对-甲苯氨基)苯乙烯基]联苯)、发绿色荧光的TTPA (9，10-双[队^二-(对-甲苯基)-氨基]蒽)和发红色荧光的DCM2(4- 二氰亚甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)作为非聚合物发射器。这种非聚合物发射器例如可以借助于热蒸镀来沉积。此外，可以使用聚合物发射器，所述聚合物发射器尤其可以借助于湿法化学法、例如旋涂法(也称作SpinCoating)来沉积。
[0241]发射器材料可以以适合的方式嵌在基质材料中。
[0242]需要指出的是，在其他的实施例中同样设有其他适合的发射器材料。
[0243]发光器件100的一个或多个发射器层118的发射器材料例如可以选择为，使得发光器件100发射白光。一个或多个发射器层118可以具有多种发射不同颜色(例如蓝色和黄色或者蓝色、绿色和红色)的发射器材料，替选地，一个或多个发射器层118也可以由多个子层构成，如发蓝色荧光的发射器层118或发蓝色磷光的发射器层118、发绿色磷光的发射器层118和发红色磷光的发射器层118。通过不同颜色的混合，可以得到具有白色色彩印象的光的发射。替选地，也可以设计为，在通过这些层产生的初级发射的光路中设置有转换器材料，所述转换器材料至少部分地吸收初级辐射并且发射其他波长的次级辐射，使得从(还不是白色的)初级辐射通过将初级辐射和次级辐射组合得到白色色彩印象。
[0244]有机功能层结构112通常可以具有一个或多个电致发光层。一个或多个电致发光层可以具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、非聚合物的有机小分子(“小分子(smallmolecules)")或这些材料的组合。例如，有机功能层结构112可以具有构成为空穴传输层120的一个或多个电致发光层，使得例如在OLED的情况下可以实现将空穴有效地注入到进行电致发光的层或进行电致发光的区域中。替选地，在不同的实施例中，有机功能层结构112可以具有构成为电子传输层116的一个或多个功能层，使得例如在OLED中可以实现将电子有效地注入到进行电致发光的层或进行电致发光的区域中。例如可以使用叔胺、咔唑衍生物、导电的聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩作为用于空穴传输层120的材料。在不同的实施例中，一个或多个电致发光层可以构成为进行电致发光的层。
[0245]在不同的实施例中，空穴传输层120可以施加例如沉积在第一电极110上或上方，并且发射器层118可以施加例如沉积在空穴传输层120上或上方。在不同的实施例中，电子传输层116可以施加例如沉积在发射器层118上或上方。
[0246]在不同的实施例中，有机功能层结构112(即例如空穴传输层120和发射器层118和电子传输层116的厚度的总和)具有最大为大约1.5 μπι的层厚度、例如最大为大约
1.2 μπι的层厚度、例如最大为大约Iym的层厚度、例如最大为大约800nm的层厚度、例如最大为大约500nm的层厚度、例如最大为大约400nm的层厚度、例如最大为大约300nm的层厚度。在不同的实施例中，有机功能层结构112例如可以具有多个直接相叠设置的有机发光二极管(OLED)的堆，其中每个OLED例如可以具有最大为大约1.5 ym的层厚度、例如最大为大约1.2 μπι的层厚度、例如最大为大约I μπι的层厚度、例如最大为大约800nm的层厚度、例如最大为大约500nm的层厚度、例如最大为大约400nm的层厚度、例如最大为大约300nm的层厚度。在不同的实施例中，有机功能层结构112例如可以具有两个、三个或四个直接彼此相叠设置的OLED的堆，在此情况下，有机功能层结构112例如可以具有最大为大约3 μπι的层厚度。
[0247]发光器件100可选地通常可以具有另外的有机功能层，所述另外的有机功能层例如设置在一个或多个发射器层118上或上方或者设置在一个或多个电子传输层116上或上方，其用于进一步改进发光器件100的功能性并由此进一步改进效率。
[0248]在有机功能层结构110上或上方或者必要时在一个或多个另外的有机功能层结构上或上方可以施加有第二电极114 (例如以第二电极层114的形式)。
[0249]在不同的实施例中，第二电极114可以具有与第一电极110相同的材料或者由其形成，其中在不同的实施例中金属是特别适合的。
[0250]在不同的实施例中，第二电极114(例如对于金属的第二电极114的情况而言)例如可以具有例如小于或等于大约50nm的层厚度、例如小于或等于大约45nm的层厚度、例如小于或等于大约40nm的层厚度、例如小于或等于大约35nm的层厚度、例如小于或等于大约30nm的层厚度、例如小于或等于大约25nm的层厚度、例如小于或等于大约20nm的层厚度、例如小于或等于大约15nm的层厚度、例如小于或等于大约1nm的层厚度。
[0251 ] 第二电极114通常可以以与第一电极110相似的或不同的方式构成或者是这样构成的。第二电极114在不同的实施例中可以由材料中的一种或多种并且以相应的层厚度构成或者是这样构成的，如在上面结合第一电极110所描述的那样。在不同的实施例中，第一电极110和第二电极114这两者都透明地或半透明地构成。因此，在图1中示出的发光器件100可以构建成顶部和底部发射器(换言之作为透明的发光器件100)。
[0252]第二电极114可以构成为阳极、即构成为注入空穴的电极，或者构成为阴极、即构成为注入电子的电极。
[0253]第二电极114可以具有第二电端子，由能量源提供的第二电势(所述第二电势与第一电势不同)可以施加到所述第二电端子上。第二电势例如可以具有一定数值，使得与第一电势的差具有在大约1.5V至大约20V范围内的数值、例如在大约2.5V至大约15V范围内的数值、例如在大约3V至大约12V范围内的数值。
[0254]在第二电极114上或上方并进而在电有源区域106上或上方可选地还可以形成或形成有封装件108，例如阻挡薄层/薄层封装件108的形式的封装件。
[0255]“阻挡薄层”108或“阻挡薄膜”108在本申请的范围内例如可以理解成下述层或层结构，所述层或层结构适合于形成对化学杂质或大气物质、尤其对水(湿气)和氧的阻挡。换言之:阻挡薄层108构成为，使得其不可以或至多极其少部分被损坏OLED的物质例如水、氧或溶剂穿过。
[0256]根据一个设计方案，阻挡薄层108可以构成为单独的层(换言之，构成为单层)。根据一个替选的设计方案，阻挡薄层108可以具有多个彼此相叠构成的子层。换言之:根据一个设计方案，阻挡薄层108可以构成为层堆(Stack)。阻挡薄层108或阻挡薄层108的一个或多个子层例如可以借助于适合的沉积方法来形成，例如根据一个设计方案借助于原子层沉积方法(Atomic Layer Deposit1n (ALD))来形成，例如为等离子体增强的原子层沉积方法(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposit1n (PEALD))或无等离子体的原子层沉积方法(Plasma-less Atomic Layer Deposit1n (PLALD))，或根据另一个设计方案借助于化学气相沉积方法(Chemical Vapor Deposit1n (CVD))来形成，例如为等离子体增强的气相沉积方法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n (PECVD))或无等离子体的气相沉积方法(Plasma-less Chemical Vapor Deposit1n (PLCVD))，或者替选地借助于另外适合的沉积方法来形成。
[0257]通过应用原子层沉积方法(ALD)可以沉积极其薄的层。尤其地，可以沉积层厚度在原子层范围内的层。
[0258]根据一个设计方案，在具有多个子层的阻挡薄层108中，可以借助于原子层沉积方法形成全部子层。仅具有ALD层的层序列也可以称作为“纳米叠层(Nanolaminat) ”。
[0259]根据一个替选的设计方案，在具有多个子层的阻挡薄层108中，可以借助于不同于原子层沉积方法的沉积方法来沉积阻挡层108的一个或多个子层，例如借助于气相沉积方法来沉积。
[0260]阻挡层108根据一个设计方案可以具有大约0.1nm ( 一个原子层)至大约100nm的层厚度，例如根据一个设计方案为大约1nm至大约10nm的层厚度、例如根据一个设计方案为大约40nm的层厚度。
[0261]根据阻挡薄层108具有多个子层的设计方案，全部子层可以具有相同的层厚度。根据另一个设计方案，阻挡薄层108的各个子层可以具有不同的层厚度。换言之:子层中的至少一个子层可以具有不同于子层中的一个或多个其他子层的层厚度。
[0262]根据一个设计方案，阻挡薄层108或阻挡薄层108的各个子层可以构成为半透明的或透明的层。换言之:阻挡薄层108(或阻挡薄层108的各个子层)可以由半透明的或透明的材料(或半透明的或透明的材料混合物)构成。
[0263]根据一个设计方案，阻挡薄层108或(在具有多个子层的层堆的情况下)阻挡薄层108的子层中的一个或多个子层具有下述材料中的一种或由下述材料中的一种构成:氧化铝、氧化锌、氧化错、氧化钛、氧化給、氧化钽、氧化镧、氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝掺杂的氧化锌、以及它们的混合物和合金。在不同的实施例中，阻挡薄层108或(在具有多个子层的层堆的情况下)阻挡薄层108的子层中的一个或多个子层具有一种或多种高折射率的材料，换言之具有一种或多种具有高折射率的材料，例如具有至少为2的折射率的材料。
[0264]在一个设计方案中，例如由玻璃构成的覆盖件126例如可以借助于通过玻璃焊料的玻璃料连接(英语为，glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding)施加到有机光电子器件100的具有阻挡薄层108的几何的边缘区域中。
[0265]在不同的实施例中，可以在阻挡薄层108上或上方设有粘接剂和/或保护漆124，借助于所述粘接剂和/或保护漆例如将覆盖件126 (例如玻璃覆盖件126)固定例如粘贴在阻挡薄层108上。在不同的实施例中，由粘接剂和/或保护漆124构成的光学半透明层可以具有大于I μπι的层厚度，例如数微米的层厚度。在不同的实施例中，粘接剂可以具有层压粘接剂或是层压粘接剂