显示设备的抗静电装置及其制造方法
【专利说明】
[0001] 本申请要求2013年12月26日提交的韩国专利申请号10-2013-0164464的优先 权，在此以引用的方式包含其全部内容
技术领域
[0002] 本发明涉及显示设备的抗静电装置及其制造方法，其具有高静电放电（ESD)速 度，并降低功耗。
【背景技术】
[0003] 随着如移动通信终端、智能电话、平板电脑、笔记本电脑等各种便携式电子设备的 发展，可应用于这些便携式电子设备的平板显示（FPD)设备的需求正在增加。
[0004] 已经开发了液晶显示（IXD)设备、等离子显示面板（PDP)、场发射显示（FED)设备、 发光二极管显示设备、有机发光显示设备等，作为FH)设备。
[0005] 图1是常规LCD设备的示意图，图2是现有技术的抗静电装置的等效电路图。
[0006] 参考图1和2，IXD设备包括液晶面板10,其中多个像素设置成矩阵型以显示图像； 驱动电路单元（未示出），提供信号和用于驱动液晶面板10的电源。
[0007] 在IXD设备中，当静电被产生并输入至像素时，图像无法正常显示，像素和线路可 能会受损。因此，抗静电装置20被并行连接到数据线DL的输入端和栅线GL的输入端。
[0008] 当产生静电时，抗静电装置20分散静电以保护有源区的像素。当产生高电压静电 时，抗静电装置20首先感测到静电信号，并且由于多个内部薄膜晶体管（TFT)中每一个TFT 的绝缘层被损坏，所以抗静电装置20保护形成在有源区中的像素。
[0009] 现有技术的抗静电装置20包括两个开关TFT 22和24,以及一个均衡器TFT 26。
[0010] 因为栅极以二极管连接方式连接到源极，所以第一开关TFT 22和第二开关TFT 24作为二极管来工作，并防止电流在两个方向上流动。
[0011] 在现有技术的抗静电装置20中，第一开关TFT 22、第二开关TFT 24以及均衡器 TFT 26全都由一种有源层形成。
[0012] 当第一开关TFT 22、第二开关TFT 24以及均衡器TFT 26中的每一 TFT都是氧化 物半导体TFT时，基于静电流入的工作速度高。但另一方面，在氧化物半导体TFT中，大量 电流被泄漏，因此，功耗增加。
[0013] 当第一开关TFT 22、第二开关TFT 24以及均衡器TFT 26中的每一 TFT都是非晶 硅（a-Si) TFT时，泄漏电流量小。但另一方面，在a-Si TFT中，基于静电流入的响应时间慢， 因此，无法快速地阻止静电。
【发明内容】
[0014] 因此，本发明旨在提供一种显示设备的抗静电装置及其制造方法，基本上克服现 有技术的局限和不足导致的一个或多个问题。
[0015] 本发明的一个方面旨在提供一种抗静电装置，其中通过使用对静电脉冲作出快速 响应的开关TFT，提高ESD性能。
[0016] 本发明的另一方面旨在提供一种抗静电装置，其中通过使用泄露电流数量小的均 衡器TFT，降低功耗。
[0017] 本发明的另一方面旨在提供一种抗静电装置的制造方法，所述抗静电装置包括对 静电脉冲作出快速响应的开关TFT。
[0018] 本发明的另一方面旨在提供一种抗静电装置的制造方法，所述抗静电装置包括泄 露电流数量小的均衡器TFT。
[0019] 除了本发明的上述目标之外，下面对本发明的其它特征和优点进行描述，本领域 技术人员从下面的描述可以清楚地理解这些特征和优点。
[0020] 本发明附加的优点和特征一部分在下面的说明中提出，一部分本领域技术人员在 审查时可以明显看出，或者在实施本发明时得知。本发明的目标和其它优点可以通过说明 书和权利要求以及附图中特别指出的结构实现和获得。
[0021] 为了实现这些和其它的优点，根据本发明的目的，正如在此具体和广义地描述的 那样，提供一种显示设备的抗静电装置，该抗静电装置包括：第一开关薄膜晶体管（TFT)， 其中有源层由氧化物形成；第二开关TFT，其中有源层由氧化物形成，均衡器TFT，其中有源 层由非晶硅形成。
[0022] 根据本发明的另一方面，提供一种制造抗静电装置的制造方法，所述抗静电装置 包括多个开关薄膜晶体管（TFT)，并且包括均衡器TFT，所述方法包括：在基板上形成的缓 冲层上，用非晶硅形成光屏蔽部；形成第一栅绝缘层以覆盖光屏蔽部；在第一栅绝缘层上 的开关TFT区中，用氧化物形成的有源层；形成第二栅绝缘层以覆盖有源层；在第二栅绝缘 层上形成多个开关TFT中的每一 TFT的栅极，在第一栅绝缘层上的均衡器TFT区中形成均 衡器TFT的栅极；形成层间绝缘部以覆盖多个开关TFT中的每一 TFT的栅极以及均衡器TFT 的栅极；对层间绝缘部的一部分进行蚀刻以形成多个接触孔，所述接触孔暴露有源层的顶 部和光屏蔽部的顶部；形成多个开关TFT中的每一 TFT的将要与有源层相连的源极和漏极， 形成均衡器TFT的将要与光屏蔽部相连的源极和漏极；形成钝化层以覆盖多个开关TFT和 均衡器TFT。
[0023] 应该理解的是，上述对本发明的一般性描述和下面的详细说明是示例性的和解释 性的，旨在对要求保护的本发明作进一步说明。
【附图说明】
[0024] 附图用于进一步理解本发明，包含在本申请中，构成本申请的一部分，图解发明的 实施例，并且和说明书一起解释本发明的原理。图中：
[0025] 图1是常规IXD设备的示意图；
[0026] 图2是现有技术的抗静电装置的等效电路图；
[0027] 图3是根据本发明实施例的抗静电装置的等效电路图；
[0028] 图4是根据本发明实施例的抗静电装置的平面布置图；
[0029] 图5是开关TFT的沿图4的线A1-A2的横截面图，以及均衡器TFT的沿图4的线 B1-B2的横截面图；
[0030] 图6是a-Si TFT和氧化物TFT中的每一 TFT的直流（DC)特性图；
[0031] 图7是a-Si TFT和氧化物TFT中的每一 TFT的电子迀移率特性图；以及
[0032] 图8-14是根据本发明实施例的抗静电装置的图形。
【具体实施方式】
[0033] 现在详细参考本发明的实施方式，其例子在附图中示出。只要可能，对于相同或者 相似的部件在附图中采用同一附图标记。
[0034] 在说明书中，在给每个附图中的元件添加附图标记时，应该注意的是，只要有可 能，采用已经用于指代其它附图中的同一元件的同样的附图标记。
[0035] 说明书中的术语应该如下理解。
[0036] 单数形式"一个"也包括复数形式，除非上下文清楚地指出。术语"第一"、"第二" 用于将一个元件和另一个元件区分开来。这些元件不应该受到这些术语的限制。
[0037] 在对本发明的实施例进行说明时，当结构（例如电极、线路、配线、层或者接点）被 描述为形成在另一结构的上部/下部或者在另一结构上/下时，这种描述应该被理解为包 括该结构彼此接触的情形和第三结构设置在其间的情形。
[0038] 术语"上部/下部"和"上/下"用于参考附图描述根据本发明实施例的具有内置 接触传感器的LCD设备及其制造方法。因此，在生产过程中和在生产结束之后，术语"上部 /下部"和"上/下"在结构上可能会不同。
[0039] 下面，参考附图对根据本发明实施例的抗静电装置进行详细描述。本发明提供一 种抗静电装置及其驱动方法，该抗静电装置包括具有快速响应时间的多个开关TFT和泄漏 电流数量小的均衡器TFT。
[0040] 图3是根据本发明实施例的抗静电装置的等效电路图。
[0041] 参考图3,根据本发明实施例的抗静电装置100包括第一开关TFT 110、第二开关 TFT 120 和均衡器 TFT 130。
[0042] 因为栅极以二极管连接方式连接到源极，所以第一开关TFT 110和第二开关TFT 120作为二极管来工作，电流仅仅在一个方向上流动。
[0043] 这里，第一开关TFT 110和第二开关TFT 120由对信号具有快速响应时间的氧化 物半导体TFT形成，因而当静电流入线路时，第一开关TFT 110和第二开关TFT 120对静电 脉冲作出快速响应。均衡器TFT 130由a-Si TFT形成，a-Si TFT的工作速度比氧化物半 导体TFT慢，但具有优秀的漏电流特性。
[0044] 第一开关TFT 110的源极连接到被施加数据电压Vdata的数据线，漏极连接到第 二开关TFT 120的漏极和均衡器TFT 130的栅极。
[0045] 第二开关TFT 120的源极连接到低电平电源Vss，漏极连接到第一开关TFT 110的 漏极和均衡器TFT 130的栅极。
[0046] 均衡器TFT 130的源极连接到第一开关TFT 110的源极，漏极连接到第二开关TFT 120的源极。均衡器TFT 130的栅极连接到第一开关TFT 110和第二开关TFT 12