将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。
【具体实施方式】
[0055]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
[0056]本发明实施例提供了一种阵列基板的制造方法，如图2所示，该方法包括:
[0057]步骤201、在衬底基板上依次形成栅极金属图案和栅极绝缘层。
[0058]步骤202、在形成栅极绝缘层的衬底基板上形成由预设金属制成的源漏极金属图案，该源漏极金属图案包括:源极和漏极，该预设金属至少包括铜。
[0059]步骤203、在形成有源漏极金属图案的衬底基板上依次形成氮化硅层和氧化硅层，氮化硅层和氧化硅层组成钝化层。
[0060]步骤204、在钝化层上，源极和漏极的间隙上方形成沟道，其中，氧化硅层上的沟道的宽度小于氮化硅层上的沟道的宽度，且氧化硅层上的沟道的宽度大于或等于源极和漏极的间隙的距离。
[0061]步骤205、在源漏极金属图案上形成氧化物沟道图案，该氧化物沟道图案与氮化硅层不接触。
[0062]步骤206、在形成氧化物沟道图案的衬底基板上形成有机膜。
[0063]综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，通过在源漏极金属图案上先形成钝化层，然后形成氧化物沟道图案，再通过改变钝化层的结构，使氮化硅层位于下层，氧化硅层位于上层，避免Cu金属层完全暴露在富氧的环境中被氧化，保证纯Cu层不与氧化硅层接触，降低Cu金属层被氧化的程度。在钝化层上，源极和漏极的间隙上方形成沟道，其中，氧化硅层上的沟道的宽度小于氮化硅层上的沟道的宽度，且氧化硅层上的沟道的宽度大于或等于源极和漏极的间隙的距离，保证氧化物沟道图案不与氮化硅层接触，避免阵列基板的显示特性受到影响，因此，降低了 Cu金属层被氧化的程度，且提高了阵列基板的显示特性。
[0064]本发明实施例提供了另一种阵列基板的制造方法，如图3所示，该方法包括:
[0065]步骤301、在衬底基板上依次形成栅极金属图案和栅极绝缘层。
[0066]如图4所示，在衬底基板401上依次形成栅极金属图案402和栅极绝缘层403。示例的，可以使用磁控溅射方法，在衬底基板401上形成一层金属薄膜层，金属材料可以为钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬或铜等金属，也可以使用上述几种材料薄膜的组合结构。然后，用掩模板通过曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺处理，在衬底基板401上形成栅极金属图案402。可以利用化学气相沉淀法在形成有栅极金属图案402的衬底基板401上形成栅极绝缘层403，栅极绝缘层的材料通常为氮化硅，也可以为氧化硅或和氮氧化硅等。
[0067]步骤302、在形成栅极绝缘层的衬底基板上形成由预设金属制成的源漏极金属图案，源漏极金属图案包括:源极和漏极，预设金属至少包括铜。
[0068]如图5所示，在形成栅极绝缘层403的衬底基板401上沉积双层结构的金属，作为源漏极和所需要的导线，形成由预设金属制成的源漏极金属图案404。图5中的402为栅极金属图案。
[0069]具体的，步骤302可以包括:在形成栅极绝缘层的衬底基板上形成阻挡层；在形成阻挡层的衬底基板上形成铜金属层；在阻挡层和铜金属层形成源漏极金属图案。示例的，阻挡层可以由钼铌合金制成。
[0070]步骤303、在形成有源漏极金属图案的衬底基板上依次形成氮化硅层和氧化硅层，氮化硅层和氧化硅层组成钝化层。
[0071]如图6所示，在形成有源漏极金属图案404的衬底基板401上直接沉积氮化硅层4051和氧化硅层4052，氮化硅层4051和氧化硅层4052组成钝化层405。
[0072]步骤304、在形成有钝化层的衬底基板上涂覆光刻胶。
[0073]如图7所示，沉积完钝化层之后，在形成有钝化层405的衬底基板401上涂敷光刻胶406。图7中的其他标识可以参考图6中的标识进行说明。
[0074]步骤305、对光刻胶上，源极和漏极的间隙上方进行曝光、显影得到沟道图案。
[0075]对图7中所示的光刻胶上，源极和漏极的间隙上方进行曝光、显影得到沟道图案。
[0076]步骤306、通过对钝化层进行刻蚀，使钝化层上形成沟道。
[0077]其中，氧化硅层上的沟道的宽度小于氮化硅层上的沟道的宽度，且氧化硅层上的沟道的宽度大于或等于源极和漏极的间隙的距离。
[0078]如图8所示，对钝化层进行刻蚀。示例的，可以对钝化层进行干刻工艺，使钝化层上形成沟道。由于钝化层405的下层为氮化硅层4051，上层为氧化硅层4052，而氮化硅和氧化硅高的刻蚀选择比，使得钝化层被干刻后呈现出倒T型结构，如图8所示，氧化硅层4052上的沟道的宽度dl小于氮化硅层4051上的沟道的宽度d2。单位时间内腐蚀的深度称为刻蚀速度，由于不同材料对刻蚀气体等的敏感度不同，所以不同材料的刻蚀速率也不同。刻蚀的选择比定义为对于不同材质的薄膜间的刻蚀速率比。由于产品需求，如图8所示，氧化硅层4052上的沟道的宽度dl大于或等于源极和漏极的间隙的距离d3。图8中的其他标识可以参考图7中的标识进行说明。
[0079]对钝化层进行的刻蚀技术，是指将显影后所产生的光阻图案忠实地转印到光阻下的材质上，形成由光刻技术定义的图形。刻蚀技术可以分为干刻和湿刻两种，其中，干刻通常是指利用辉光放电方式，产生包含离子、电子等带电粒子以及具有高度化学活性的中性原子、分子及自由基的电浆，来进行图案转印的刻蚀技术。
[0080]需要说明的是，由于钝化层只是刻蚀出了沟道区，其余位置仍为一整层的钝化层，因此钝化层具有平整等作用。同时由于先制作的钝化层，且钝化层的下层为致密的氮化硅，防止了常规共面结构直接在源漏极金属图案上沉积作为氧化物沟道图案的氧化物有源层——铟镓锌氧(英文:InGaZnO ;简称:IGZO)将铜氧化。
[0081]步骤307、在源漏极金属图案上形成氧化物沟道图案，氧化物沟道图案与氮化硅层不接触。
[0082]如图9所示，干刻出沟道区之后，在光刻胶406存在的情况下直接制作氧化物有源层IGZO，在源漏极金属图案404上形成氧化物沟道图案407。由于钝化层405结构干刻后所形成的倒T型结构，沉积氧化物有源层时，直接与钝化层405的上层氧化硅层4052干刻出的沟道的宽度相一致，即氧化物沟道图案407与氮化硅层4051无法接触，因此保证了氮化硅层4051不会对氧化物沟道图案407造成影响。图9中位于光刻胶406之上的4071为IGZO0
[0083]步骤308、剥离光刻胶。
[0084]如图10所示，通过剥离工艺将钝化层405之上的光刻胶剥离，同时一并去掉光刻胶上的IGZ0。图10中的其他标识可以参考图9中的标识进行说明
[0085]步骤309、在形成氧化物沟道图案的衬底基板上形成有机膜。
[0086]如图11所示，在剥离的光刻胶之后的钝化层405上再涂覆有机膜408，使表面平坦化，便于后续制造掺锡氧化铟(英文:Indium Tin Oxide ;简称:ΙΤ0)像素电极不易发生断裂。至此完成整个阵列基板的制造工艺。图11中的其他标识可以参考图10中的标识进行说明。
[0087]需要补充说明的是，现有的阵列基板的共面结构是先形成源漏极金属图案，再形成氧化物沟道图案，所以该结构与传统的刻蚀阻挡层(英文:Etch Stop Layer ;简称:ESL)结构相比省去一道光刻工艺，该结构与传统的背沟道刻蚀(英文:Back Channel Etch ；简称:BCE)型结构相似，但是比起BCE型结构，该结构对氧化物沟道图案材料的选择性较高，该结构不需用一定选择可以承受源漏金属刻蚀液的氧化物材料例如铟锡锌氧(英文:InSnZnO ;简称:ΙΤΖ0)，所以该结构在保证了减少工艺复杂度的同时，常规的IGZO材料就可以适用。由于本发明实施例提供的阵列基板的制造方法是在现有的阵列基板的结构的基础上进行的改进，因此，本发明实施例提供的阵列基板的结构在工艺复杂度和方便性上也是优于传统的ESL结构和BCE型结构的。
[0088]本发明实施例提出的阵列基板的制造方法，在源漏极金属图案上直接形成钝化层，钝化层的下层为氮化硅层，上层为氧化硅，随后利用干刻工艺刻蚀出沟道区，再制作形成氧化物沟道图案，这样利用了钝化层的氮化硅保护了 Cu金属层不被氧化，同时又没有增加工艺步骤。且对