发光二极管承载装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种发光装置的挡墙结构改进，尤其涉及一种以发光二极管作为发光源的发光装置的挡墙结构改进。
【背景技术】
[0002]发光二极管(light emitting d1de, LED)为一种半导体元件,主要通过半导体化合物将电能转换为光能以达到发光效果，因此具有寿命长、稳定性高及耗电量小等优点，目前已被广泛地应用于居家、办公、室外与行动照明，以取代灯管及白炽灯泡等传统的非指向性发光源。
[0003]传统一般在制作发光二极管元件时，为了保护发光二极管芯片，多会再发光二极管芯片外围包覆封装胶材，以防止发光二极管芯片受水气或撞击而损坏。在传统工艺中，多只是直接地将封装胶材直接点注在发光二极管芯片上，如此一来，无法有效地限制封装胶材的外型，造成发光二极管元件的光型产生差异性，且此发光二极管元件的光型较不集中，如图1所示。其次，需使用较多用量的封装胶体才能够有效地包覆发光二极管芯片。
【发明内容】
[0004]鉴于现有技术所示，本发明界式内容主要在于提供一种发光二极管承载装置，所述发光二极管承载装置可以限制设置于其上的波长转换层或封装胶层的形状，使具有此发光二极管承载装置的发光系统的光性更为集中，进而使具有前述发光二极管承载装置的发光系统的亮度提高，同时减少波长转换层或封装胶层的设置量。
[0005]为达前述目的，本发明提供一种发光二极管承载装置，所述发光二极管承载装置用以承载多个发光二极管芯片。发光二极管承载装置包含一基板、一第一电路层及一绝缘挡墙；基板包含一上表面及一相对于上表面的下表面，第一电路层设置于上表面，发光二极管芯片设置于第一电路层上并与第一电路层形成电性连接，绝缘挡墙设置于上表面，绝缘挡墙构成至少一区域，绝缘挡墙包含一第一胶层及一设置于第一胶层上的第二胶层，第一胶层相异于第二胶层。
[0006]在本发明的一个实施方式中，第一胶层选用环氧树脂，第二胶层选用硅树脂，当然，第一胶层及第二胶层的材质并不仅仅局限是环氧树脂及硅树脂，也可以选用其他适当的树脂材料。
[0007]其次，在本发明的一个实施方式中，绝缘挡墙包含一圆形环状部分及一位于圆形环状部分所环绕范围内部的十字部分，圆形环状部分及十字部分配合界定多个区域。所述圆形环状部分及十字部分主要用来限制设置于发光二极管芯片及第一电路层上并包覆发光二极管芯片及第一电路层的波长转换层或封装胶层的形状，藉以提供适当的光型。当然，在实施实施时，绝缘挡墙的形状并不以此为限。
[0008]再者，在本发明的一个实施方式中，发光二极管承载装置更包含一第三胶层，设置于基板的上表面并位于第一胶层所环绕范围内部，并且，第二胶层设置于第一胶层及第三胶层上，并填注于第一胶层及第三胶层之间的间隙内。第三胶层可例如是硅树脂；当然，在实际实施时，第三胶层并不局限是硅树脂。
[0009]另外，在本发明的一个实施方式中，发光二极管承载装置更包含一第二电路层，设置于下表面，第二电路层电连接于第一电路层，第一电路层及第二电路层分别都是用来传递发光二极管芯片点亮时所需的电力。
[0010]本发明更提供一种发光二极管承载装置，供承载多个发光二极管芯片，发光二极管承载装置包含一基板、一第一电路层、一第一胶层及一绝缘挡墙，基板包含一上表面及一相对于上表面的下表面，第一电路层设置于上表面，发光二极管芯片设置于第一电路层上，并与第一电路层形成电性连接，第一胶层覆盖上表面，第一胶层形成有一环形凹槽，绝缘挡墙设置于凹槽中，绝缘挡墙的设置高度大于凹槽的设置高度，藉以有效地限制用以包覆发光二极管芯片及第一电路层的封装胶层或波长转换层的设置范围，避免封装胶层或波长转换层发生溢胶的情形。
[0011]在本发明的一个实施方式中，第一胶层的设置高度可例如为30至40微米；当然，在实际实施时，第一胶层的设置高度并不以此为限。
[0012]其次，凹槽供露出部分的第一表面。且发光二极管承载装置更可以包含一第二电路层，设置于下表面，第二电路层电连接于第一电路层，用以作为电力的传导路径。
[0013]以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
【附图说明】
[0014]图1为对应现有的发光系统的配光曲线图；
[0015]图2为本发明揭示内容第一实施方式的发光系统的立体图；
[0016]图3为本发明揭示内容第一实施方式的发光系统的剖视图；
[0017]图4为本发明揭示内容第一实施方式的发光二极管承载装置的立体图；
[0018]图5为本发明揭示内容第一实施方式的发光二极管承载装置的剖视图；
[0019]图6为对应图1的发光系统的配光曲线图；
[0020]图7为本发明揭示内容第二实施方式的发光系统的剖视图；
[0021]图8为本发明揭示内容第二实施方式的发光二极管承载装置的立体图；
[0022]图9为本发明揭示内容第二实施方式的发光二极管承载装置的剖视图；
[0023]图10为本发明揭示内容第三实施方式的发光系统的剖视图；
[0024]图11为本发明揭示内容第三实施方式的发光二极管承载装置的立体图；
[0025]图12为本发明揭示内容第三实施方式的发光二极管承载装置的剖视图；
[0026]图13为本发明揭示内容第四实施方式的发光系统的剖视图；
[0027]图14为本发明揭示内容第四实施方式的发光二极管承载装置的立体图。
[0028]其中，附图标记
[0029]1、la、lb、Ic 发光系统
[0030]2、2a、2b、2c发光二极管承载装置
[0031]20、20c 基板
[0032]200、200c 上表面
[0033]202、202c 下表面
[0034]22、22c 第一电路层
[0035]24、24c 第二电路层
[0036]26、26a、26b、28c 绝缘挡墙
[0037]260、260a、260b、26c 第一胶层
[0038]262、262a、262b 第二胶层
[0039]264,2640a,2640b 圆形环状部分
[0040]266、2642a、2642b 十字部分
[0041]268、2644a、2644b 区域
[0042]29、264a、264b 第三胶层
[0043]3发光二极管芯片
[0044]4波长转换层
[0045]5封装胶层
【具体实施方式】
[0046]请参考随附图示,本揭示内容的以上及额外目的、特征及优点将通过本揭示内容的较佳实施例的以下阐释性及非限制性详细描叙予以更好地理解。
[0047]配合参阅图2及图3，分别为本发明第一实施方式的发光系统的立体图及剖视图。发光系统I包含一发光二极管承载装置2、多个发光二极管芯片3、一波长转换层4及一封装胶层5。发光二极管承载装置2用以承载发光二极管芯片3，波长转换层4用以与发光二极管芯片3发出的光线发生波长转换并产生波长转换光线，封装胶层5包覆波长转换层4，藉以避免发光二极管芯片3及波长转换层4受水气及外力冲击而损坏。
[0048]配合参阅图4及图5，分别为本发明第