一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法。
【背景技术】
[0002]在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无福射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。
[0003]目前，TFT-LCD的显示模式主要有TN(Twisted Nematic,扭曲向列)模式、VA (VerticalAlignment，垂直取向)模式、IPS (In-Plane-Switching，平面方向转换)模式和AD-SDS (ADvanced Super Dimens1n Switch，高级超维场转换技术，简称ADS)模式等。
[0004]其中，ADS模式已发展到0+4次构图工艺，其优点是可以将第一透明电极和栅极金属通过一次光刻工艺制作，即首先在基板上沉积第一透明电极和栅极金属，然后涂覆光刻胶，进行半曝光和显影，之后进行湿法刻蚀以及干法刻蚀，这样通过一次光刻就将两层金属制作到基板上，大大降低了成本。
[0005]为检测阵列基板制作过程中的不良缺陷，现有的阵列基板中往往在阵列基板的周边区域设置两个短路环，分别为第一短路环和第二短路环，第一短路环与源漏极位于同一层，并由制作数据线的数据金属制作，与奇数序列数据线连接，第二检测短路环与栅极位于同一层，并由制作栅极的栅极金属制作，然后通过过孔与偶数序列数据线连接。
[0006]在现有技术中使用铜作为栅极金属的阵列基板的制作工艺中，由于铜具有活性强、易氧化的性质，在制作栅极金属上方的第一绝缘层时，往往需要300°C以上的高温，温度升高后，铜表面易被氧化；在进行钝化层沉积后，会使用大功率等离子体进行干法刻蚀，这样会使铜表面进一步遭到轰击；并且在栅极金属与透明电极接触后的制作工艺中存在高温退火，高温退火易使过孔边缘的透明电极被氧化腐蚀，产生信号断裂。图1所示为目前铜作为栅极金属的阵列基板的制作工艺中过孔处存在的问题。
【发明内容】
[0007]本发明提供了一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法，用以提高阵列基板上连接短路环的过孔处的信号传导的可靠性。
[0008]本发明实施例提供了一种阵列基板，包括交叉设置的一组数据线和一组栅线，以及位于所述阵列基板周边区域的第一短路环和第二短路环，所述第一短路环与所述一组数据线同层设置，所述第二短路环与所述一组栅线同层设置；所述一组数据线中，相邻的两根所述数据线分别连接所述第一短路环和所述第二短路环，所述第二短路环与对应的所述数据线的连接结构包括:
[0009]位于衬底基板之上的第一透明电极；
[0010]位于所述第一透明电极之上的栅连接线；
[0011]位于所述第一透明电极和所述栅连接线之上的第一绝缘层，与第二短路环连接的数据线位于所述第一绝缘层之上；
[0012]位于所述与第二短路环连接的数据线之上的第二绝缘层，所述第二绝缘层在所述与第二短路环连接的数据线上方具有第一过孔；所述第一绝缘层和所述第二绝缘层在所述第一透明电极的上方具有第二过孔；
[0013]位于所述第二绝缘层之上的第二透明电极，所述第二透明电极通过所述第一过孔与所述与第二短路环连接的数据线连接，并通过所述第二过孔与所述第一透明电极连接。
[0014]在本发明实施例的技术方案中，栅连接线位于第一透明电极之上，两者的接触面积较大，导电连接较为可靠；第二过孔通向第一透明电极，而非通向栅连接线，因此，在制作第二过孔时，栅连接线所受影响较小；第二透明电极通过第二过孔与所述第一透明电极连接，而不是直接与栅连接线连接，因此，阵列基板在制作时，该过孔处的金属不易被氧化，从而大大提高了阵列基板上连接短路环的过孔处信号传导的可靠性。
[0015]可选的，所述第一短路环连接奇数序列的所述数据线，所述第二短路环连接偶数序列的所述数据线；或者所述第一短路环连接偶数序列的所述数据线，所述第二短路环连接奇数序列的所述数据线。
[0016]在本发明实施例的技术方案中，对第一短路环和第二短路环分别施加不同电压可以检测阵列基板的显示区域是否存在线不良缺陷，如短接缺陷、断接缺陷等。
[0017]优选的，所述阵列基板为高级超维场转换模式阵列基板，所述第一透明电极与所述阵列基板的板状电极同层设置，所述第二透明电极与所述阵列基板的狭缝状电极同层设置。
[0018]本发明实施例还提供了一种显示面板，包括前述任一技术方案所述的阵列基板。该显示面板的阵列基板上连接短路环的过孔处的信号线接触可靠，因此，信号传导可靠。
[0019]本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括如下步骤:
[0020]在衬底基板之上形成第一透明电极、栅连接线和第二短路环，其中，所述栅连接线位于所述第一透明电极之上，栅连接线与第二短路环连接，且栅连接线与第一透明电极上表面搭接；
[0021]在所述栅连接线和所述第二短路环的层结构之上形成第一绝缘层；
[0022]在所述第一绝缘层之上形成数据线和第一短路环，其中奇数序列的所述数据线或偶数序列的所述数据线连接所述第一短路环；
[0023]在所述数据线和所述第一短路环的层结构之上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层在未与所述第一短路环连接的所述数据线上方具有第一过孔；所述第一绝缘层和所述第二绝缘层在所述第一透明电极的上方具有第二过孔；
[0024]在所述第二绝缘层之上形成第二透明电极，所述第二透明电极通过所述第一过孔与对应的所述数据线连接，通过所述第二过孔与所述第一透明电极连接。
[0025]在本发明实施例的技术方案中，栅连接线位于第一透明电极之上，两者的接触面积较大，导电连接较为可靠；第二过孔通向第一透明电极，而非通向栅连接线，因此，在制作第二过孔时，栅连接线所受影响较小；第二透明电极通过第二过孔与所述第一透明电极连接，而不是直接与栅连接线连接，因此，阵列基板在制作时，该过孔处的金属不易被氧化，从而大大提高了阵列基板上连接短路环的过孔处信号传导的可靠性。
[0026]优选的，所述方法还包括:
[0027]在形成所述第一透明电极时，形成与所述第一透明电极同层设置的板状电极；
[0028]在形成所述栅连接线和所述第二短路环时，形成与所述栅连接线和所述第二短路环同层设置的栅线；
[0029]在形成所述第一绝缘层之后，在所述第一绝缘层之上形成半导体层；
[0030]在形成所述第二透明电极时，形成与所述第二透明电极同层设置的狭缝状电极。
[0031]优选的，在所述衬底基板之上形成所述第一透明电极、所述栅连接线和所述第二短路环，包括:通过半掩模构图工艺形成所述第一透明电极、所述栅连接线和所述第二短路环。
[0032]在本发明实施例的技术方案中，通过一次半掩模构图工艺即可将第一透明电极和栅连接线两层金属制作到衬底基板上，制作成本较低。
[0033]优选的，在所述第一绝缘层之上形成所述半导体层、所述数据线和所述第一短路环，包括:通过半掩模构图工艺形成所述半