层表面的发光层，位于所述发光层表面的P型半导体层；
[0042]位于所述发光二极管表面的晶体管，所述晶体管的源极位于所述P型半导体层表面，漏极位于所述N型半导体层的表面，沟道层位于所述源极与所述P型半导体层之间或者所述漏极与所述N型半导体层之间，栅极位于所述沟道层表面。
[0043]相应的，本发明实施例还提供了一种包括上述LED显示面板的显示装置。
[0044]此外，本发明实施例还提供了一种LED显示面板制作方法，包括:
[0045]提供衬底；
[0046]在衬底表面形成发光二极管，所述发光二极管包括:位于所述衬底表面的N型半导体层，位于所述N型半导体层表面的发光层,位于所述发光层表面的P型半导体层；
[0047]在所述发光二极管表面形成晶体管，所述晶体管的源极位于所述P型半导体层表面，漏极位于所述N型半导体层的表面，沟道层位于所述源极与所述P型半导体层之间或者所述漏极与所述N型半导体层之间，栅极位于所述沟道层表面。
[0048]本发明实施例所提供的技术方案，将所述发光二极管插入所述晶体管的源极与漏极之间，即将所述晶体管的源极设置于所述P型半导体层表面，漏极设置于所述N型半导体层的表面，沟道层设置于所述源极与所述P型半导体层之间或者所述漏极与所述N型半导体层之间，栅极设置于所述沟道层表面，从而当所述晶体管处于打开状态时，其相应的发光二极管导通开始发光，相应的像素显示，当所述晶体管处于关闭状态时，其相应的发光二极管不导通不发光，相应的像素不显示。由此可见，本发明实施例所提供的技术方案中，只有在晶体管打开时，其相应的发光二极管才导通发光，反之，其相应的发光二极管不导通，从而降低了所述显示屏的功耗。
[0049]而且，发光二极管的工作电压很小，工作电流很低，从而使得所述发光二极管的功耗很小，进一步降低了本发明实施例所提供的LED显示面板的功耗。
[0050]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的【具体实施方式】做详细的说明。
[0051]在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
[0052]实施例一
[0053]如图1所示,本发明实施例提供了一种LED显示面板,包括:
[0054]衬底101 ;
[0055]位于所述衬底101表面的发光二极管，所述发光二极管包括:位于所述衬底101表面的N型半导体层102，位于所述N型半导体层102表面的发光层103，位于所述发光层103表面的P型半导体层104 ；
[0056]位于所述发光二极管表面的晶体管，所述晶体管的源极105位于所述P型半导体层104表面，漏极106位于所述N型半导体层102的表面，沟道层107位于所述源极105与所述P型半导体层104之间，栅极108位于所述沟道层107表面。其中，所述栅极108与所述沟道层107之间形成有栅介质层109。优选的，所述栅介质层109为二氧化硅层，但本发明对此并不做限定，只要能起到绝缘作用即可。
[0057]在本实施例中，所述晶体管为NPN型晶体管，所述沟道层为N型掺杂半导体层或非掺杂半导体层。在本实施例的一个实施例中，当所述LED显示面板工作时，所述晶体管的源极和漏极两端需要保持一定的工作电压，并给所述晶体管的栅极施加一定的负电压，当所述栅极上施加的负电压达到阈值时，所述沟道层中出现耗尽层，从而使得所述晶体管的源极与所述发光二极管的P型半导体层之间导通，即所述晶体管的源极-沟道层-所述发光二极管的P型半导体层-发光层-N型半导体层-所述晶体管的漏极之间的通路导通，此时，所述晶体管打开，所述发光二极管开始发光，其相应的像素进行显示。
[0058]在所述晶体管栅极上施加的负电压达到阈值之前，所述沟道层不导通，相当于绝缘层，所述晶体管的源极与所述发光二极管的P型半导体层之间绝缘，即所述晶体管的源极-沟道层-所述发光二极管的P型半导体层-发光层-N型半导体层-所述晶体管的漏极之间的通路不导通，此时，所述晶体管关闭，所述发光二极管不发光，其相应的像素不显示。
[0059]如图2所示,本发明实施例提供了另一种LED显示面板,包括:
[0060]衬底201 ；
[0061]位于所述衬底201表面的发光二极管,所述发光二极管包括:位于所述衬底201表面的N型半导体层202，位于所述N型半导体层202表面的发光层203，位于所述发光层203表面的P型半导体层204 ；
[0062]位于所述发光二极管表面的晶体管，所述晶体管的源极205位于所述P型半导体层204表面,漏极206位于所述N型半导体层202的表面,沟道层207位于所述漏极206与所述N型半导体层202之间，栅极208位于所述沟道层207表面。其中，所述栅极208与所述沟道层207之间形成有栅介质层209。优选的，所述栅介质层209为二氧化硅层，但本发明对此并不做限定，只要能够起到绝缘作用即可。
[0063]在本实施例中，所述晶体管为PNP型晶体管，所述沟道层为P型掺杂半导体层或非掺杂半导体层，在本实施例的一个实施例中，当所述LED显示面板工作时，所述晶体管的源极和漏极两端需要保持一定的工作电压，并给所述晶体管的栅极施加一定的正电压，当所述栅极上施加的正电压达到阈值时，所述沟道层中出现耗尽层，从而使得所述晶体管的漏极与所述发光二极管的N型半导体层之间导通，即所述晶体管的漏极-沟道层-所述发光二极管的N型半导体层-发光层-P型半导体层-所述晶体管的源极之间的通路导通，此时，所述晶体管打开，所述发光二极管开始发光，其相应的像素进行显示。
[0064]在所述晶体管栅极上的正电压达到阈值之前，所述沟道层不导通，相当于绝缘层，所述晶体管的漏极与所述发光二极管的N型半导体层之间绝缘，即所述晶体管的漏极-沟道层-所述发光二极管的N型半导体层-发光层-P型半导体层-所述晶体管的源极之间的通路不导通，此时，所述晶体管关闭，所述发光二极管不发光，其相应的像素不显示。
[0065]由此可见，本发明实施例所提供的LED显示面板，只有在晶体管打开时，其相应的发光二极管才导通发光，反之，其相应的发光二极管不导通，即所述发光二极管不工作，从而降低了所述LED显示面板的功耗。
[0066]而且，发光二极管的工作电压很小，工作电流很低，从而使得所述发光二极管的功耗很小，进一步降低了本发明实施例所提供的LED显示面板的功耗。
[0067]在本发明上述实施例中任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述发光层优选为多量子阱发光层，即MQWs发光层；所述P型半导体层优选为P型In-GaN层或P型GaN层；所述N型半导体层优选为N型In-GaN层或N型GaN层，但本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
[0068]在本发明的一个具体实施例中，所述发光二极管为In-GaN LED或GaNLED，即所述P型半导体层为P型In-GaN层，所述N型半导体层为N型In-GaN层；或，所述P型半导体层为P型GaN层；所述N型半导体层为N型GaN层。由于In-GaN LED或GaN LED的工作电压一般为3V-3.5V，晶体管工作时源极与漏极之间的电压差需要2V-3V，故在本实施例中，所述晶体管源极与漏极两端施加的工作电压优选为5V-7V。又由于不定型硅的阈值一般为5V-10V，故在本发明的一个具体实施例中，当晶体管栅极上施加的阈值电压优选为5V-1