0V，但本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
[0069]在本发明上述实施例中任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述源极可以为单层金属结构，也可以为多层金属结构，还可以为掺杂半导体层与金属的复合结构；同理，在本发明上述实施例中任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述漏极可以为单层金属结构，也可以为多层金属结构，还可以为掺杂半导体层与金属的复合结构，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
[0070]优选的，在本发明的一个具体实施例中，所述栅极可以为Al电极，Cr电极或者MoN电极，所述源极可以为Al电极，MoN电极或者MoN/Al/MoN的复合结构电极，所述漏极也可以为Al电极，MoN电极或者MoN/Al/MoN的复合结构电极，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
[0071]需要说明的是，所述沟道层的材料可以为a-Si (即非晶硅)，LTPS(即低温多晶硅)，IZGO (即铟镓锌氧化物)或有机TFT材料等，本发明对此也不做限定，具体视情况而定。
[0072]在本发明上述实施例中任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述发光层不完全覆盖所述N型半导体层，所述漏极位于所述N型半导体层朝向所述发光层一侧的表面，从而使得所述LED显示面板中，所述晶体管与所述发光二极管可以共用所述LED显示面板中沿所述N型半导体层至P型半导体层方向的面积，即所述晶体管沿所述P型半导体层至N型半导体层方向上的投影，完全落入所述发光二极管沿所述P型半导体层至N型半导体层方向上的投影之内，而无需所述晶体管单独占据一定的尺寸，进而提高了所述LED显示面板的开口率。
[0073]需要说明的是,在本实施例中，当所述晶体管为NPN型晶体管时,如图1所示,所述沟道层位于所述P型半导体层表面，所述源极位于沟道层表面，所述漏极位于所述N型半导体层朝向所述发光层一侧的表面；当所述晶体管为PNP型晶体管时，如图2所示，所述源极位于所述P型半导体层表面，所述沟道层位于所述N型半导体层朝向所述发光层一侧的表面，所述漏极位于所述沟道层表面。
[0074]在本发明的一个优选实施例中，所述栅极至少覆盖所述沟道层沿所述N型半导体层至P型半导体层方向的一个侧面，以保证在所述栅极施加电压时，所述沟道层沿所述P型半导体层至N型半导体层方向上均匀出现耗尽层，使得所述源极与所述P型半导体层之间导通性能较好，但本发明对此并不做限定，只要保证所述栅极能够覆盖所述沟道层，以保证在所述栅极施加电压时，所述沟道层中能够出现耗尽层，使得所述源极与所述P型半导体层之间导通即可。
[0075]更优选的，所述栅极完全覆盖所述沟道层沿所述N型半导体层至P型半导体层方向的侧面，且部分覆盖所述沟道层朝向所述源极一侧的表面。
[0076]而且，本发明实施例所提供的LED显示面板中，所述栅极位于所述沟道层沿所述P型半导体层至N型半导体层方向上的侧面，从而可以进一步缩小所述晶体管的宽度，理论上本发明实施例所提供的LED显示面板中，所述晶体管的宽度可以降低0.5μπι以下，进而进一步增大了所述LED显示面板的开口率。
[0077]在本发明上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述LED显示面板还包括:位于所述P型半导体层表面的ITO电流扩展层。由于所述发光二极管中P型半导体层的横向导电能力较弱，而ITO导电层的横向导电能力较强,故本发明实施例中，在所述P型半导体层表面增加ITO电流扩展层，以便增加所述发光二极管的横向导电能力，提高所述发光二极管的发光强度。
[0078]需要说明的是，当所述晶体管为NPN型晶体管时，所述ITO电流扩展层位于所述P型半导体层与所述沟道层之间，当所述晶体管为PNP型晶体管时，所述ITO电流扩展层位于所述P型半导体层与源极之间。
[0079]在本发明上述任一实施例的基础上，在本发明的另一个实施例中，所述LED显示面板还包括:绝缘层，所述绝缘层完全覆盖所述晶体管、发光二极管和衬底，从而对所述述晶体管、发光二极管和衬底进行保护。
[0080]相应的，本发明实施例还提供了一种包括上述任一实施例所提供的LED显示面板的显示装置。
[0081]综上所述，本发明实施例所提供的LED显示面板及包括该LED显示面板的显示装置，功耗较小，开口率较高。而且，由于发光二极管发光亮度较强，色域较宽，因此，本发明实施例所提供的LED显示面板及包括该LED显示面板的显示装置也具有发光亮度强，色域宽的特点。
[0082]实施例二
[0083]本发明实施例提供了一种LED显示面板制作方法，该方法包括:
[0084]提供衬底；
[0085]在衬底表面形成发光二极管，所述发光二极管包括:位于所述衬底表面的N型半导体层，位于所述N型半导体层表面的发光层,位于所述发光层表面的P型半导体层；
[0086]在所述发光二极管表面形成晶体管，所述晶体管的源极位于所述P型半导体层表面，漏极位于所述N型半导体层的表面，沟道层位于所述源极与所述P型半导体层之间或者所述漏极与所述N型半导体层之间，栅极位于所述沟道层表面。
[0087]需要说明的是，本实施例所提供的制作方法适用于本发明实施例一中任一实施例所提供的LED显示面板的制作。
[0088]在本发明的一个实施例中，在所述衬底表面形成发光二极管包括:在所述衬底表面形成N型半导体层；在所述N型半导体层表面形成发光层；在所述发光层表面形成P型半导体层。
[0089]在该实施例的一个实施例中，在所述N型半导体层表面形成发光层包括:在所述N型半导体层表面形成发光层，所述发光层不完全覆盖所述N型半导体层。在该实施例的另一个实施例中，在所述N型半导体层表面形成发光层包括:在所述N型半导体层表面形成发光层，所述发光层完全覆盖所述N型半导体层；对所述发光层进行刻蚀，去除部分所述发光层，使得所述发光层不完全覆盖所述N型半导体层，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
[0090]在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述晶体管为NPN型晶体管，在本实施例中，在所述发光二极管表面形成晶体管包括:在所述P型半导体层表面形成沟道层；在所述沟道层表面形成源极和栅介质层；在所述栅介质层表面形成栅极；在所述N型半导体朝向所述P型半导体一侧的表面形成漏极。其中，所述沟道层优选为N型掺杂半导体层或非掺杂半导体层。
[0091]在上述实施例的基础上，在本发明的另一个实施例中，所述晶体管为PNP型晶体管，在本实施例中，在所述发光二极管表面形成晶体管包括:在所述P型半导体层表面形成源极；在所述N型半导体朝向所述P型半导体一侧的表面形成沟道层；在所述沟道层表面形成漏极和栅介质层；在所述栅介质层表面形成栅极。其中，所述沟道层优选为P型掺杂半导体层或非掺杂半导体层。
[0092]在本发明的一个具体实施例中，所述沟道层的形成工艺优选为沉积，所述源极和漏极的形成工艺也优选为沉积，但本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
[0093]在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，在所述发光二极管表面形成晶体管之前还包括:在P型半导体层表面形成ITO电流扩展层，当所述晶体管为NPN型晶体管时，即在所述P型半导体层表面形成沟道层之前，在所述P型半导体层表面形成ITO电流扩展层，再在所述ITO电流扩展层表面形成沟道层；当所述晶体管为PNP型晶体管时，即在所述P型半导体层表面形成源极之前，在所述P型半导体层表面形成ITO电流扩展层，再在所述ITO电流扩展层表面形成源极。
[0094]在上述任一实施例的基础上