2硅膜55，以使槽部54成为V字状的方式进行蚀刻，之后将第2硅膜55氧化而形成第I氧化硅膜56，然后，以埋入到槽54内的方式形成第2氧化硅膜57，因此，例如，即使深宽比变大，也能够形成抑制了产生孔、裂缝的氧化硅膜。
[0070]此外，本发明并不限于所述实施方式，能够进行各种变形、应用。以下，说明能够应用于本发明的其他实施方式。
[0071]在所述实施方式中，以利用乙硅烷来形成硅膜的情况为例来说明了本发明，但例如，如图5所示，也可以是，在形成硅膜之前，吸附氨基硅烷气体而形成作为晶种层的氨基硅烷层61，然后利用乙硅烷形成硅膜62。在该情况下，能够提高所形成的硅膜62的膜质(例如面内均匀性)。对于作为晶种层吸附而成的氨基硅烷层61，存在BAS(丁基氨基硅烷)、BTBAS(双叔丁基氨基硅烷)、DMAS(二甲基氨基硅烷)、TDMAS(三二甲基氨基硅烷)、DEAS ( 二乙基氨基硅烷)、BDEAS (双二乙基氨基硅烷)、DPAS ( 二丙基氨基硅烷)以及DIPAS (二异丙基氨基硅烷)等的层。
[0072]并且，如图6所示，也可以在使作为晶种层的氨基硅烷层61吸附的工序与利用乙硅烷来形成硅膜62的工序之间追加在比利用乙硅烷来形成硅膜62的工序中的压力大的压力下利用乙娃烧来形成娃膜71的工序。在该情况下，能够缩短孵化期(incubat1n time),从而不必担心所形成的硅膜62的表面粗糙度变差。其结果，能够形成表面粗糙度和覆盖率均良好的硅膜62。通过如此形成表面粗糙度和覆盖率均良好的硅膜，能够使形成在硅膜之上的氧化硅膜的表面粗糙度和覆盖率均良好。
[0073]在所述实施方式中，以在形成有槽53的第I硅膜52上形成第I氧化硅膜56的情况为例来说明了本发明，但形成有槽的膜并不限定于硅膜，也可以是例如SiC膜、S1膜、SiN 膜。
[0074]在所述实施方式中，以使槽54成为V字状的方式进行蚀刻的情况为例来说明了本发明，但在氧化硅膜形成工序中，只要以使氧化硅膜形成到槽54的底部的方式使槽54的上部敞开即可，槽54也可以不形成为V字状。
[0075]在所述实施方式中，以作为蚀刻气体而使用氯气的情况为例来说明了本发明，但其只要是能够以使所形成的硅膜的槽54成为V字状的方式进行蚀刻的气体即可，能够使用例如氟气(F2)那样的各种蚀刻气体。
[0076]在所述实施方式中，以作为氧化气体而使用氧气的情况为例来说明了本发明，但其只要是能够将所形成的第2硅膜55氧化而形成第I氧化硅膜56的气体即可，能够使用臭氧(O3)气体那样的各种氧化气体。
[0077]在所述实施方式中，以利用CVD法的情况为例来说明了本发明，在该CVD法中使用作为第2氧化硅膜57的成膜气体的TE0S，但能够使用各种成膜用气体。另外，也可以利用ALD(Atomic Layer Deposit1n:原子层沉积)法来形成氧化娃膜。
[0078]在所述实施方式中，以在供给处理气体时仅供给处理气体的情况为例来说明了本发明，但例如，也可以在供给处理气体时供给作为稀释气体的氮气。在该情况下，使处理时间的设定等变得容易。作为稀释气体，优选非活性气体，除了氮气以外，例如能够应用氦气(He)、氖气(Ne)、氩气(Ar)、氣气(Kr)、氣气(Xe)。
[0079]在本实施方式中，以二重管构造的批量式处理装置作为处理装置I的情况为例来说明了本发明，但本发明也能应用于例如单管构造的批量式处理装置。此外，本发明也能够应用于批量式的卧式处理装置、单片式处理装置。
[0080]本发明的实施方式的控制部100不依赖专用的系统而使用普通的计算机系统就能够实现。例如，能够通过从存储有用于执行所述处理的程序的存储介质(软盘、CD —ROM (Compact Disc Read Only Memory:只读光盘)等)将该程序安装到通用计算机中而构成用于执行所述处理的控制部100。
[0081]并且，用于供给这些程序的部件是任意的。除了如上所述那样能够借助规定的存储介质供给所述程序之外，例如也可以借助通信线路、通信网络以及通信系统等供给所述程序。在该情况下，例如，也可以在通信网络的布告栏(BBS-Bulletin Board System(公告牌系统))中公布该程序，并经由网络提供该程序。而且，通过起动如此提供的程序，并在OS (Operating System:操作系统)的控制下与其他应用程序同样地执行该程序，能够执行所述处理。
[0082]采用本发明，能够抑制产生孔、裂缝。
[0083]此次记载的实施方式的所有的点均为例示，而不应认作来限定本发明。事实上，所述实施方式能够以多种多样的形态具体化。此外，所述实施方式可以在不脱离附带的权利要求书和其主旨的情况下，以各种各样的形态来进行省略、置换以及变更。本发明的范围包括在与附带的权利要求书均等的含义和范围内进行的所有的变更。
[0084]本发明基于2014年3月19日申请的日本特许出愿第2014-056207号的优先权的利益，将该日本申请的全部内容作为参照文献引入于此。
【主权项】
1.一种氧化硅膜的形成方法，其是以将氧化硅膜埋入到表面形成有槽的被处理体的所述槽内的方式形成氧化硅膜的方法，其中， 该氧化硅膜的形成方法包括: 硅膜形成工序，在该硅膜形成工序中，使硅膜形成于所述被处理体的槽； 蚀刻工序，在该蚀刻工序中，对由所述硅膜形成工序形成了的硅膜进行蚀刻； 氧化工序，在该氧化工序中，将由所述蚀刻工序蚀刻了的硅膜氧化而形成第I氧化硅膜；以及 埋入工序，在该埋入工序中，以覆盖由所述氧化工序形成了的所述第I氧化硅膜且埋入到所述被处理体的槽内的方式形成第2氧化硅膜。2.根据权利要求1所述的氧化硅膜的形成方法，其中， 在所述蚀刻工序中，以形成V字状的槽部的方式对所述硅膜进行蚀刻。3.根据权利要求1所述的氧化硅膜的形成方法，其中， 在所述硅膜形成工序中，在使氨基硅烷吸附于所述被处理体的槽之后形成所述硅膜。4.根据权利要求3所述的氧化硅膜的形成方法，其中， 所述硅膜形成工序包括: 第I硅膜形成工序，在该第I硅膜形成工序中，在第I压力下，在被处理体的吸附有所述氨基硅烷的槽内形成所述硅膜；以及 第2硅膜形成工序，在该第2硅膜形成工序中，在比所述第I压力低的第2压力下，在由所述第I硅膜形成工序形成了的硅膜上形成其他硅膜。5.一种氧化硅膜的形成装置，其用于在被收纳于反应室内且其表面形成有槽的被处理体的所述槽内形成氧化硅膜，其中， 该氧化硅膜的形成装置包括: 硅膜成膜用气体供给部件，其用于向所述反应室内供给硅膜成膜用气体； 蚀刻用气体供给部件，其用于向所述反应室内供给用于对硅膜进行蚀刻的蚀刻用气体； 氧化用气体供给部件，其用于向所述反应室内供给用于将所述硅膜氧化而形成第I氧化硅膜的氧化用气体； 氧化硅膜成膜用气体供给部件，其用于向所述反应室内供给氧化硅膜成膜用气体；以及 控制部件，其用于控制所述硅膜成膜用气体供给部件、所述蚀刻用气体供给部件、所述氧化用气体供给部件以及所述氧化硅膜成膜用气体供给部件， 所述控制部件控制所述硅膜成膜用气体供给部件而在所述被处理体的槽内形成所述硅膜，控制所述蚀刻用气体供给部件而对形成了的所述硅膜进行蚀刻，控制所述氧化用气体供给部件而将被蚀刻了的所述硅膜氧化并形成第I氧化硅膜，控制所述氧化硅膜成膜用气体供给部件而以覆盖被形成了的所述第I氧化硅膜且埋入到所述被处理体的槽内的方式形成第2氧化硅膜。6.根据权利要求5所述的氧化硅膜的形成装置，其中， 所述控制部件控制所述蚀刻用气体供给部件而以在形成了的所述硅膜上形成V字状的槽部的方式对该硅膜进行蚀刻。7.根据权利要求5所述的氧化硅膜的形成装置，其中， 该氧化硅膜的形成装置还包括用于向所述反应室内供给氨基硅烷气体的氨基硅烷气体供给部件， 所述控制部件控制所述氨基硅烷气体供给部件而使氨基硅烷吸附于所述被处理体的槽，之后，控制所述硅膜成膜用气体供给部件而在吸附有所述氨基硅烷的槽内形成所述硅膜。8.根据权利要求7所述的氧化硅膜的形成装置，其中，该氧化硅膜的形成装置还包括用于对所述反应室内的压力进行设定的压力设定部件，所述控制部件在控制所述压力设定部件而将所述反应室内设定为第I压力的状态下控制所述硅膜成膜用气体供给部件而在吸附有所述氨基硅烷的槽内形成所述硅膜，之后，所述控制部件在控制所述压力设定部件而将所述反应室内设定为比所述第I压力低的第2压力的状态下控制所述硅膜成膜用气体供给部件而在所述硅膜上形成其他硅膜。
【专利摘要】本发明提供氧化硅膜的形成方法和氧化硅膜的形成装置，该氧化硅膜的形成方法是以将氧化硅膜埋入到表面形成有槽的被处理体的所述槽内的方式形成氧化硅膜的方法，其中，该氧化硅膜的形成方法包括：硅膜形成工序，在该硅膜形成工序中，使硅膜形成于所述被处理体的槽；蚀刻工序，在该蚀刻工序中，对由所述硅膜形成工序形成了的硅膜进行蚀刻；氧化工序，在该氧化工序中，将由所述蚀刻工序蚀刻了的所述硅膜氧化而形成氧化硅膜；以及埋入工序，在该埋入工序中，以覆盖由所述氧化工序形成了的所述氧化硅膜且埋入到所述被处理体的槽内的方式形成氧化硅膜。
【IPC分类】H01L21/02, H01L21/316
【公开号】CN104934299
【申请号】CN201510122874
【发明人】冈田充弘
【申请人】东京毅力科创株式会社
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2015年3月19日
【公告号】US20150270160