半导体装置及半导体装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体装置。
【背景技术】
[0002]在专利文献I中，公开了一种半导体装置。在该半导体装置中，半导体芯片的下表面被钎焊接合于下侧散热装置上。半导体芯片的上表面被钎焊接合于上侧散热装置上。半导体芯片与软钎料通过模压树脂而被密封。
[0003]在先技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:日本特开2006-165534号公报
【发明内容】
[0006]发明所要解决的课题
[0007]在如专利文献I这样的于散热板上钎焊接合有半导体基板的半导体装置中，期望散热性的进一步提尚。
[0008]用于解决课题的方法
[0009]本发明的半导体装置具有:半导体基板；焊料，其被接合于所述半导体基板上；散热板，其为经由所述焊料而与所述半导体基板连接的散热板，并具有突起部，所述突起部被形成在所述散热板的经由所述焊料而与所述半导体基板连接的区域的外侧并且与所述焊料接触；树脂，其将所述半导体基板、所述焊料、和所述突起部密封。
[0010]在该半导体装置中，在半导体基板上所产生的热量经由焊料而被传递到散热板上。此外，由于焊料与突起部接触，因此，在从焊料起经由突起部的路径上热量也被传递到散热板上。由此，在该半导体装置中，热量从半导体基板被传到散热板上的路径较宽。因此，根据该半导体装置，能够更适当地对半导体基板的温度上升进行抑制。
[0011]此外，本発明提供一种制造半导体装置的方法。该方法具有通过树脂而对如下的半成品进行模压的工序，所述半成品具有半导体基板、被接合于所述半导体基板上的焊料和经由所述焊料而与所述半导体基板连接的散热板。所述散热板具有突起部，所述突起部被形成在所述散热板经由焊料而与所述半导体基板连接的区域的外侧。在所述工序中，通过所述树脂而将所述半导体基板、所述焊料和所述突起部密封。在所述工序中，通过被所述树脂按压而使所述突起部倾斜，从而使所述突起部与所述焊料接触。
[0012]根据该方法，能够制造出半导体基板的散热路径较宽的半导体装置。
【附图说明】
[0013]图1为实施方式中的半导体装置10的纵剖视图。
[0014]图2为实施方式中的半导体装置10的制造工序的说明图。
[0015]图3为实施方式中的半导体装置10的制造工序的说明图。
[0016]图4为改变例中的半导体装置的纵剖视图。
【具体实施方式】
[0017]图1所示的实施方式的半导体装置10具有半导体基板20、下侧散热板30、垫块40、上侧散热板50和树脂层70。
[0018]半导体基板20具有半导体层、被形成在半导体层的下表面上的下部电极(图示省略)和被形成在半导体层的上表面上的上部电极(省略图示)。下部电极被形成在半导体层的下表面全部区域内。上部电极被形成在半导体层的上表面的中央部处。即，上部电极的面积小于半导体层的上表面的面积。
[0019]下侧散热板30被配置于半导体基板20的下侧。下侧散热板30由Cu等热传导率较高的金属而构成。下侧散热板30通过软钎料层62 (即，焊料)而与半导体基板20的下部电极连接。即，软钎料层62被接合于半导体基板20的下部电极上，并且被接合于下侧散热板30的上表面上。
[0020]垫块40被配置于半导体基板20的上侧。垫块40由Cu等热传导率较高的金属而构成。垫块40通过软钎料层64而与半导体基板20的上部电极连接。即，软钎料层64被接合于半导体基板20的上部电极上，并且被接合于垫块40的下表面上。
[0021]上侧散热板50被配置于垫块40的上侧。上侧散热板50由Cu等热传导率较高的金属而构成。上侧散热板50具有主体52和两个突起部54。两个突起部54从主体52的下表面52a向下侧突出。下表面52a之中被两个突起部54夹着区域成为用于安装垫块40的安装面56。安装面56通过软钎料层66而与垫块40的上表面连接。即，软钎料层66被接合于垫块40的上表面上，并且被接合于上侧散热板50的安装面56上。各突起部54向垫块40侧倾斜。各突起部54的顶端与软钎料层64及垫块40接触。另外，虽然未图示，但在半导体基板20的上表面上，除了上述的上部电极之外，还形成有未图示的信号输入输出用的电极。如上文所述，通过经由垫块40而使上侧散热板50与半导体基板20的上部电极连接，从而能够防止上侧散热板50与信号输入输出用的电极或配线接触的情况。
[0022]树脂层70对下侧散热板30的上表面、软钎料层62、半导体基板20、软钎料层64、垫块40、软钎料层66、以及上侧散热板50的下表面进行覆盖。
[0023]下侧散热板30与上侧散热板50兼作为用于向半导体基板20通电的电极。当向半导体基板20通电时，半导体基板20将会发热。在半导体基板20上所产生的热量以图1的箭头标记100所示的路径而被传递到下侧散热板30上。由于半导体基板20的下部电极被形成在半导体基板20的下表面全部区域内，因此，如箭头标记100所示，热量从半导体基板20朝向下侧散热板30在扩散的同时进行传递。因此，热量被有效地从半导体基板20传递至下侧散热板30。
[0024]此外，在半导体基板20上所产生的热量以图1的箭头标记102所示的路径而被传递到上侧散热板50上。并且，由于突起部54与软钎料层64及垫块40接触，因此，通过箭头标记104所示的路径也使热量从半导体基板20被传递到上侧散热板50上。由此，在半导体装置10中，上侧的散热路径并不限定于垫块40，通过经由了突起部54的路径也将使热量被传递到上侧散热板50上。因此，如箭头标记102、104所示，热量从半导体基板20朝向上侧散热板50而在扩散的同时被进行传递。因此，热量被有效地从半导体基板20传递到上侧散热板50。
[0025]如上文所说明的那样，在该半导体装置10中，即使半导体基板20的上部电极的面积较小，也能够有效地从半导体基板20向上侧散热板50传递热量。因此，在该