7之上的像素电极8，该像素电极8通过钝化层7中的过孔与漏电极6b相连；
[0046]如图2所示，该源电极6a在水平方向上可分为两个部分主体部分M和导接部分C ;其中主体部分M不与氧化物有源层4直接接触，而是通过导接部分C与氧化物有源层4电连接；该主体部分M包括第一电极层61a、形成在第一电极层61a之上的第二电极层62a ;这里的导接部分C和第一电极层61a同层设置，为通过同一工艺形成的整体结构。
[0047]同样的，该漏电极6b在水平方向上也可分为两个部分主体部分M和导接部分C ;其中主体部分M不与氧化物有源层4直接接触，而是通过导接部分C与氧化物有源层4电连接；该主体部分M包括第一电极层61b、形成在第一电极层61b之上的第二电极层62b ;这里的导接部分C和第一电极层61b同层设置，为通过同一工艺形成的整体结构。
[0048]本发明实施例一中，氧化物有源层4形成在源电极6a和漏电极6b中的导接部分的上方。
[0049]本发明实施例一中，由于源漏电极6a和6b的主体部分M不与氧化物有源层4直接接触，则可以采用导电率较高的材料制作该主体部分M，而采用导电率较低的材料制作导接部分C，这样既能够使得源漏电极整体具有较高的导电率，也能够避免主机部分M中的导电粒子进入到氧化物有源层影响氧化物有源层的电学性能。
[0050]同时，本发明实施例中，导接部分C和第一电极层61a同层设置，为通过同一工艺形成的整体结构。这样做的好处一方面是能够保证主体部分与导接部分能够很好的连接，避免电连接失效，另一方面，由于通过同一工艺形成第一电极层和导接部分，能够很好降低薄膜晶体管的制作难度。当然在实际应用中，导接部分C和第一电极层61a也不必同层设置，更不必设置为通过同一工艺形成的整体结构，比如单独制作导接部分C，并使导接部分C连接在第二电极层与氧化物有源层之间，也能够达到解决本发明所要解决的基本问题，相应的技术方案也应该落入本发明的保护范围。不难理解的是，当导接部分C单独制作时，这里的主体部分整体可以采用导电率较高的材料制作，而无需采用制作为包含第一电极层和第二电极层的复合层。
[0051]同时，本发明实施例一中，由于氧化物有源层4形成在源电极6a和漏电极6b中的导接部分的上方，则在制作这样的薄膜晶体管的过程中，会首先制作源电极6a和漏电极6b，之后制作氧化物有源层4，这样在刻蚀形成源电极6a和漏电极6b的过程中无需对氧化物有源层进行遮挡，也就无需设置刻蚀阻挡层。这样不但降低了制作工艺的复杂程度，也降低了薄膜晶体管的厚度，有利于相应的产品的轻薄化。当然在实际应用中，也可以不按照实施例一的方式，而是按照现有技术中的方式，首先制作氧化物有源层，之后在氧化物有源层之上制作源漏电极，此时可以首先形成导接部分与氧化物有源层接触，之后在导接部分之上形成主体部分，由于氧化物有源层位于所述导接部分的下方，主体部分位于所述导接部分的上方，此时该主体部分的面积可以与导接部分一致。
[0052]在具体实施时，这里的第二电极层62a和62b可以采用铜制作。而这里的第一电极层61a和61b以及导接部分C的材质则可以采用Ti等金属制作。
[0053]实施例二
[0054]参见图3，与实施例一不同的是，本发明实施例二提供的薄膜晶体管中，源电极6a和漏电极6b的主体部分均包含三层电极层。源电极6a的主体部分中还包括形成在第二电极层62a之上的第三电极层63a，漏电极6b的主体部分中还包含形成在第二电极层62b之上的第三电极层63b。其中第三电极层63a和63b利用适于防止所述第二电极层62a和62b被腐蚀的材料制作，用于防护第二电极层。此时漏电极6b中的第三电极层63b与像素电极8接触，而第二电极层62b不直接与像素电极8接触。
[0055]除了解决本发明所要解决的基本问题之外，本发明实施例二的设置能够避免制作钝化层和像素电极的过程对第二电极层62b造成腐蚀，并能避免后续的使用过程中，像素电极与第二电极层62b发生反应，腐蚀第二电极层62b。
[0056]在具体实施时，这里的第三电极层63a和63b具体可以采用Mo或者MoNb制作。
[0057]实施例三
[0058]参见图4，与实施例一不同的是，本发明实施例三提供的薄膜晶体管中，第二电极层62a和62b直接形成在钝化层3上，第一电极层61a和61b覆盖在第二电极层62a和62b的上方。像素电极8直接通过第一电极层61b连接漏电极6b。
[0059]除了解决本发明所要解决的基本问题之外，本发明实施例三的设置也能够避免制作钝化层和像素电极的过程对第二电极层62b造成腐蚀，并能避免后续的使用过程中，像素电极与第二电极层62b发生反应，腐蚀第二电极层62b。同时与实施例二的方案相比，还减少了一层电极层。
[0060]实施例四
[0061]参见图5，与实施例二不同的是，本发明实施例四提供的薄膜晶体管为顶栅形薄膜晶体管，包括:基底1、形成在基底I之上的源漏电极6a和6b、形成在源漏电极6a和6b以及基底I之上的氧化物有源层4、形成在源漏电极6a和6b以及氧化物有源层4之上的栅绝缘层3、形成在栅绝缘层3之上的栅极2、形成在栅极2之上的钝化层7、形成在钝化层7之上的像素电极8，栅绝缘层3和钝化层7形成有过孔，像素电极8通过栅绝缘层3和钝化层7中的过孔连接漏电极6b。
[0062]本发明实施例四提供的薄膜晶体管同样可以解决本发明所要解决的基本问题。结合实施例一和四可以看出，薄膜晶体管具体为顶栅型还是底栅型不会影响本发明的实施，相应的技术方案均应落入本发明的保护范围。
[0063]另一方面，本发明还提供了一种薄膜晶体管的制作方法，可用于制作上述实施例一到四中的任一项薄膜晶体管，该方法包括:
[0064]形成氧化物有源层和与所述氧化物有源层相连的源漏电极；其中，所述源漏电极包括主体部分和导接部分，所述主体部分与所述有源层相互隔离，并通过所述导接部分与所述有源层电连接；所述导接部分的电阻率大于所述主体部分的电阻率。
[0065]本发明提供的薄膜晶体管的制作方法所制作的薄膜晶体管中，源漏电极包括主体部分和导接部分，所述主体部分与所述有源层相互隔离，并通过所述导接部分与所述有源层电连接；所述导接部分的电阻率大于所述主体部分的电阻率，由于主体部分不与氧化物有源层接触，可以采用导电性较高的金属作为源漏电极，而不会对有源层的电学性能产生较大影响。
[0066]具体的，当所制作的薄膜晶体管为上述实施例一到四中的任一项薄膜晶体管时，上述的方法中，形成所述源漏电极的步骤包括:
[0067]利用第一导电材料并通过同一工艺形成连接为整体结构的第一电极层和导接部分；利用第二导电材料形成第二电极层；其中，所述第二电极层和第一电极层层叠在一起构成所述主体部分，所述第一导电材料的电阻率大于所述第二导电材料的电阻率。
[0068]进一步的，当所制作的薄膜晶体管为实施例一、二和四中的薄膜晶体管时，利用第一导电材料并通过同一工艺形成连接为整体结构的第一电极层和导接部分，利用第二导电材料形成第二电极层，可以包括:
[0069]沉积第一导电材料层，在沉积的第一导电材料层之上沉积第二导电材料层；
[0070]对第二导电材料层刻蚀形成第二电极层，之后对第一导电材料层进行刻蚀形成第一电极层和导接部分。
[0071]再进一步的，当所制作的薄膜晶体管为实施例二和四中的薄膜晶体管时，
[0072]在对第二导电材料层刻蚀形成主体部分的第二电极层之前，所述方法还可以包括:
[0073]在第二导电材料层之上沉积第三导电材料层；以及对所述第三导电材料层进行刻蚀形成用于防护所述第二电极层的第三电极层；所述第三电极层与所述第一电极层和所述第二电极层层叠在一起构成所述主体部分。
[0074]更进一步的，这里的所述第一导电材料可以为Ti，所述第二导电材料可以为Cu，所述第三导电材料可以为Mo或者MoNb ;此时，
[0075]对第一导电材料层刻蚀形成第一电极层和导接部分、对第二导电材料层刻蚀形成第二电极层和第三导电材料层刻蚀