发明另一实施例提供的一种有机薄膜晶体管的结构示意图；
[0080]图5是本发明另一实施例提供的一种有机薄膜晶体管的制备方法流程图；
[0081]图6是本发明另一实施例提供的一种形成第二图案的过程示意图；
[0082]图7是本发明另一实施例提供的一种有机薄膜晶体管的结构示意图；
[0083]图8是本发明另一实施例提供的一种有机薄膜晶体管的制备方法流程图；
[0084]图9是本发明另一实施例提供的一种形成第一图案和第二图案的过程示意图；
[0085]图10是本发明另一实施例提供的一种有机薄膜晶体管的结构示意图；
[0086]图11是本发明另一实施例提供的一种有机薄膜晶体管的制备方法流程图；
[0087]图12是本发明另一实施例提供的一种有机薄膜晶体管的结构示意图。
【具体实施方式】
[0088]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
[0089]图1是本发明一实施例提供的一种有机薄膜晶体管的制备方法流程图。如图1所示，本发明实施例提供的方法流程包括:
[0090]101:制备样本结构，其中，样本结构包括制备有机半导体层之前制备的各个膜层。
[0091]102:在样本结构上制备图案化的修饰层。
[0092]103:在包括图案化的修饰层的样本结构上制备有机半导体层。
[0093]本发明实施例提供的方法，通过在制备有机半导体层之前制备得到的样本结构上制备图案化的修饰层，能够对修饰层的接触角进行调整，可以避免在修饰层上制备有机半导体层时出现分布不均匀的现象。
[0094]在另一个实施例中，所述制备样本结构，包括:
[0095]依序分别制备栅电极、栅极绝缘层、源漏电极，得到样本结构；
[0096]在样本结构上制备图案化的修饰层，包括:
[0097]在源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层和源漏电极中的至少一个膜层上制备图案化的修饰层；
[0098]在包括图案化的修饰层的样本结构上制备有机半导体层，包括:
[0099]当图案化的修饰层制备于样本结构上的全部区域时，在图案化的修饰层上制备有机半导体层；
[0100]当图案化的修饰层制备于样本结构上的部分区域时，在图案化的修饰层上及未制备图案化的修饰层的样本结构上制备有机半导体层。
[0101]在另一个实施例中，制备样本结构，包括:
[0102]依序分别制备栅电极和栅极绝缘层，得到样本结构；
[0103]在样本结构上制备图案化的修饰层，包括:
[0104]在栅极绝缘层上制备图案化的修饰层；
[0105]在包括图案化的修饰层的样本结构上制备有机半导体层，包括:
[0106]在图案化的修饰层上制备有机半导体层；
[0107]制备方法还包括:
[0108]在有机半导体层上制备源漏电极。
[0109]在另一个实施例中，在源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层和源漏电极中的至少一个膜层上制备图案化的修饰层，包括:
[0110]在源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上制备第一修饰层；
[0111]使用第一掩模板对第一修饰层进行曝光，在第一修饰层上形成第一图案，得到源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的图案化的修饰层。
[0112]在另一个实施例中，在源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层和源漏电极中的至少一个膜层上制备图案化的修饰层，包括:
[0113]在源漏电极上制备第二修饰层；
[0114]使用第二掩模板对第二修饰层进行曝光，在第二修饰层上形成第二图案，得到源漏电极上的图案化的修饰层。
[0115]在另一个实施例中，在源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层和源漏电极中的至少一个膜层上制备图案化的修饰层，包括:
[0116]在源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上制备第一修饰层；
[0117]在源漏电极上制备第二修饰层；
[0118]使用第一掩模板对第一修饰层进行曝光，在第一修饰层上形成第一图案，得到源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的图案化修饰层；
[0119]使用第二掩模板对第二修饰层进行曝光，在第二修饰层上形成第二图案，得到源漏电极上的图案化修饰层。
[0120]在另一个实施例中，在源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层和源漏电极中的至少一个膜层上制备图案化的修饰层，包括:
[0121]在源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上制备第一修饰层；
[0122]在源漏电极上制备第二修饰层；
[0123]使用第三掩模板对第一修饰层和第二修饰层进行曝光，在第一修饰层上形成第一图案，在第二修饰层上形成第二图案，分别得到源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的图案化的修饰层和源漏电极上的图案化的修饰层。
[0124]在另一个实施例中，在源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上制备第一修饰层，包括:
[0125]将样本结构浸泡在溶液浓度为指定值的十八烷基三氯硅烷或者六甲基二硅胺中指定时长后，使用酒精冲洗并烘干，在样本结构上形成第三修饰层；
[0126]对第三修饰层进行一次紫外线曝光，去除源漏电极对应的区域上的第三修饰层，得到源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的第一修饰层。
[0127]在另一个实施例中，在源漏电极上制备第二修饰层，包括:
[0128]将样本结构浸泡在溶液浓度为指定值的十八烷基三氯硅烷或者六甲基二硅胺中指定时长后，使用酒精冲洗并烘干，在样本结构上形成第三修饰层；
[0129]对第三修饰层进行一次紫外线曝光，去除源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的第三修饰层，得到源漏电极上的第二修饰层。
[0130]在另一个实施例中，在源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上制备第一修饰层，在源漏电极上制备第二修饰层，包括:
[0131 ] 将样本结构浸泡在溶液浓度为指定值的十八烷基三氯硅烷或者六甲基二硅胺中指定时长后，使用酒精冲洗并烘干，在样本结构上形成第三修饰层；其中，位于源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的第三修饰层为第一修饰层，位于源漏电极上的第三修饰层为第二修饰层。
[0132]在另一个实施例中，在源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层和源漏电极中的至少一个膜层上制备图案化的修饰层，包括:
[0133]将样本结构浸泡在溶液浓度为指定值的十八烷基三氯硅烷或者六甲基二硅胺中指定时长后，使用酒精冲洗并烘干，在样本结构上形成第三修饰层；
[0134]对第三修饰层进行一次紫外线曝光，得到源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层和源漏电极中的至少一个膜层上的图案化的修饰层。
[0135]在另一个实施例中，在栅极绝缘层上制备图案的化修饰层，包括:
[0136]将样本结构浸泡在溶液浓度为指定值的十八烷基三氯硅烷或者六甲基二硅胺中指定时长后，使用酒精冲洗并烘干，在样本结构上形成第四修饰层；
[0137]对第四修饰层进行一次紫外线曝光，得到栅极绝缘层上的图案化的修饰层。
[0138]在另一个实施例中，在样本结构上制备图案化的修饰层，包括:
[0139]向曝光设备中通入臭氧，并使用通入臭氧的曝光设备对样本结构上制备的修饰层进行一次紫外线曝光，得到样本结构上的图案化的修饰层。
[0140]上述所有可选技术方案，可以采用任意结合形成本发明的可选实施例，在此不再
--赘述。
[0141]图2是本发明另一实施例提供的一种有机薄膜晶体管的制备方法流程图。本发明实施例以样本结构包括依序制备的栅电极、栅极绝缘层和源漏电极，且在源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上制备图案化的修饰层为例，对本发明实施例提供的有机薄膜晶体管的制备方法进行说明。如图2所示，本发明实施例提供的方法流程包括:
[0142]201:在绝缘基板上制备栅电极。
[0143]其中，绝缘基板为设置于栅电极底部的基板，本发明实施例不对绝缘基板的材料及厚度进行限定。
[0144]具体地，可以通过热蒸镀法或溅射法在绝缘基板上制备图形化的栅电极。其中，在制备栅电极上的图形时，可以使用曝光、显影、刻蚀等光刻方法实现。
[0145]例如，当栅电极的材料为铝时，可以使用热蒸镀制备铝材料的栅电极；然后，利用正性光刻胶通过掩膜板进行365nm曝光，再用2.38 % TMAH(TetramethylammoniumHydroxide，四甲基氢氧化铵)进行显影。使用通用铝刻蚀液进行刻蚀，完成栅极图形。
[0146]202:在栅电极上制备栅极绝缘层。
[0147]具体地，可以通过CVD(Chemical Vapor Deposit1n，化学气相沉积)法、派射法或溶液法在栅电极上制备栅极绝缘层。
[0148]例如，当栅极绝缘层的材料为S1x绝缘层时，可以通过PECVD (Plasma EnhancedChemical Vapor Deposit1n，等离子体增强化学气相沉积法)，使用等常用S1x生长用的工艺气体，完成栅极绝缘层的制备。
[0149]203:在栅极绝缘层上分离地制备源电极和漏电极，得到源漏电极。
[0150]具体地，可以通过热蒸镀法或者溅射法在栅极绝缘层上分离地制备源电极和漏电极，从而得到源漏电极。具体地，可以使用掩膜板，并使用曝光、显影、刻蚀等光刻方法完成图形化的源电极和漏电极的制作。
[0151]例如，在制备源漏电极时，包括但不限于通过如下两种方式实现:
[0152]第一种方式:采用Lift-off (剥离)法制备源漏电极。
[0153]具体地，在该种方式下，可以在栅极绝缘层上，进行源漏电极金属层镀膜，利用负性光刻胶曝光与显影形成源漏电极图案，再进行源漏电极金属层与其表面的修饰。其中，在进行表面修饰时，可以用NMP (N-甲基吡咯烷酮)溶剂在60度进行脱胶，再用酒精冲洗、风干。
[0154]第二种方式:采用刻蚀法制备源漏电极。
[0155]具体地，在该种方式下，在栅极绝缘层上进行源漏电极金属层镀膜，利用正性光刻胶进行365nm曝光、用2.38% TMAH进行显影形成源漏电极图案，再用蚀刻工艺同时刻蚀源漏电极以外的金属层，用60-70度NMP试剂脱胶，再用弱碱与纯水冲洗、80度热板烘烤或风干。
[0156]204:在源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上制备第一修饰层。
[0157]在本发明实施例中，源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上制备的修饰层定义为第一修饰层。在制备第一修饰层时，可以在由栅电极、栅极绝缘层和源漏电极构成的样本结构上制备第三修饰层，并对第三修饰层进行一次紫外线曝光，以去除源漏电极对应的区域上的第三修饰层，得到源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的第一修饰层。
[0158]其中，在制备第三修饰层时，包括但不限于将样本结构浸泡在溶液浓度为指定值的OTS或者HMDS中指定时长后，使用酒精冲洗并烘干，以在样本结构上形成第三修饰层。
[0159]关于溶液浓度的指定值的具体数值，以及指定时长的具体数值，本发明实施例均不作具体限定。具体实施时，可以根据需要设定。例如:0TS稀释在酒精中，溶液浓度可以为ImM(0.001mol/L);或者，HMDS稀释在PGMEA(1，2-丙二醇甲醚乙酸酯)中，溶液浓度ImM。指定时长可以为I小时。具体地，可以在I小时后进行酒精冲洗，并在100度烘烤10分钟，从而完成第三修饰层的制备过程。
[0160]进一步地，当在样本结构上制备好第三修饰层时，为了得到源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的第一修饰层，可以使用紫外线对第三修饰层进行一次紫外线曝光，去除源漏电极对应的区域上的第三修饰层，从而得到源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上