有机薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及薄膜晶体管领域，特别涉及一种有机薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置。
【背景技术】
[0002]有机薄膜晶体管(OTFT，Organic Thin-film Transistor)由于具有低成本、可低温制备、易于柔性和可大面积集成等优点，目前已被广泛应用于各种显示设备中。有机薄膜晶体管至少包括栅电极、栅极绝缘层、源漏电极和有机半导体层。源电极和漏电极隔开，两者之间存在间隙。其中，当制备有机半导体层之前制备的膜层上制备有修饰层时，例如，对于底接触型有机薄膜晶体管，当源漏电极和/或源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上涂覆有修饰层时，能够提高有机薄膜晶体管的综合性能。因此，为了提高有机薄膜晶体管的综合性能，需要制备一种涂覆有修饰层的有机薄膜晶体管。
[0003]相关技术在制备该类有机薄膜晶体管时，通常通过如下方式实现:在制备有机半导体层之前制备的样本结构的整个区域上制备修饰层。
[0004]在实现本发明的过程中，发明人发现相关技术至少存在以下问题:
[0005]当修饰层完全覆盖在制备有机半导体层之前制备的膜层上时，由于修饰层基于其材料决定其接触角通常比较大，在此种情况下，在修饰层上进一步制备有机半导体层时，容易导致成膜时出现半润湿现象，从而导致在修饰层上形成有机半导体层时，容易出现有机半导体层分布不均匀的问题。
【发明内容】
[0006]为了克服相关技术中的问题，本发明实施例提供了一种有机薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置。所述技术方案如下:
[0007]第一方面，提供了一种有机薄膜晶体管的制备方法，所述制备方法包括:
[0008]制备样本结构，所述样本结构包括制备有机半导体层之前制备的各个膜层；
[0009]在所述样本结构上制备图案化的修饰层；
[0010]在包括所述图案化的修饰层的样本结构上制备有机半导体层。
[0011]结合第一方面，在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述制备样本结构，包括:
[0012]依序分别制备栅电极、栅极绝缘层、源漏电极，得到样本结构；
[0013]所述在所述样本结构上制备图案化的修饰层，包括:
[0014]在所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层和所述源漏电极中的至少一个膜层上制备图案化的修饰层；
[0015]所述在包括所述图案化的修饰层的样本结构上制备有机半导体层，包括:
[0016]当所述图案化的修饰层制备于所述样本结构上的全部区域时，在所述图案化的修饰层上制备有机半导体层；
[0017]当所述图案化的修饰层制备于所述样本结构上的部分区域时，在所述图案化的修饰层上及未制备图案化的修饰层的样本结构上制备有机半导体层。
[0018]结合第一方面，在第一方面的第二种可能的实现方式中，所述制备样本结构，包括:
[0019]依序分别制备栅电极和栅极绝缘层，得到样本结构；
[0020]所述在所述样本结构上制备图案化的修饰层，包括:
[0021]在所述栅极绝缘层上制备图案化的修饰层；
[0022]所述在包括所述图案化的修饰层的样本结构上制备有机半导体层，包括:
[0023]在所述图案化的修饰层上制备有机半导体层；
[0024]所述制备方法还包括:
[0025]在所述有机半导体层上制备源漏电极。
[0026]结合第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第三种可能的实现方式中，所述在所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层和所述源漏电极中的至少一个膜层上制备图案化的修饰层，包括:
[0027]在所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上制备第一修饰层；
[0028]使用第一掩模板对所述第一修饰层进行曝光，在所述第一修饰层上形成第一图案，得到所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的图案化的修饰层。
[0029]结合第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第四种可能的实现方式中，所述在所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层和所述源漏电极中的至少一个膜层上制备图案化的修饰层，包括:
[0030]在所述源漏电极上制备第二修饰层；
[0031]使用第二掩模板对所述第二修饰层进行曝光，在所述第二修饰层上形成第二图案，得到所述源漏电极上的图案化的修饰层。
[0032]结合第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第五种可能的实现方式中，所述在所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层和所述源漏电极中的至少一个膜层上制备图案化的修饰层，包括:
[0033]在所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上制备第一修饰层；
[0034]在所述源漏电极上制备第二修饰层；
[0035]使用第一掩模板对所述第一修饰层进行曝光，在所述第一修饰层上形成第一图案，得到所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的图案化修饰层；
[0036]使用第二掩模板对所述第二修饰层进行曝光，在所述第二修饰层上形成第二图案，得到所述源漏电极上的图案化修饰层。
[0037]结合第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第六种可能的实现方式中，所述在所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层和所述源漏电极中的至少一个膜层上制备图案化的修饰层，包括:
[0038]在所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上制备第一修饰层；
[0039]在所述源漏电极上制备第二修饰层；
[0040]使用第三掩模板对所述第一修饰层和所述第二修饰层进行曝光，在所述第一修饰层上形成第一图案，在所述第二修饰层上形成第二图案，分别得到所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的图案化的修饰层和所述源漏电极上的图案化的修饰层。
[0041]结合第一方面的第三种、第五种或第六种可能的实现方式，在第一方面的第七种可能的实现方式中，所述在所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上制备第一修饰层，包括:
[0042]将所述样本结构浸泡在溶液浓度为指定值的十八烷基三氯硅烷(0TS，Octadecyltrichlorosilane)或者六甲基二娃胺(HMDS，Hexamethyldisilazane)中指定时长后，使用酒精冲洗并烘干，在所述样本结构上形成第三修饰层；
[0043]对所述第三修饰层进行一次紫外线曝光，去除所述源漏电极对应的区域上的第三修饰层，得到所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的第一修饰层。
[0044]结合第一方面的第四种、第五种或第六种可能的实现方式，在第一方面的第八种可能的实现方式中，所述在所述源漏电极上制备第二修饰层，包括:
[0045]将所述样本结构浸泡在溶液浓度为指定值的十八烷基三氯硅烷或者六甲基二硅胺中指定时长后，使用酒精冲洗并烘干，在所述样本结构上形成第三修饰层；
[0046]对所述第三修饰层进行一次紫外线曝光，去除所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的第三修饰层，得到所述源漏电极上的第二修饰层。
[0047]结合第一方面的第五种或第六种可能的实现方式，在第一方面的第九种可能的实现方式中，所述在所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上制备第一修饰层，在所述源漏电极上制备第二修饰层，包括:
[0048]将所述样本结构浸泡在溶液浓度为指定值的十八烷基三氯硅烷或者六甲基二硅胺中指定时长后，使用酒精冲洗并烘干，在所述样本结构上形成第三修饰层；其中，位于所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的第三修饰层为第一修饰层，位于所述源漏电极上的第三修饰层为第二修饰层。
[0049]结合第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第十种可能的实现方式中，所述在所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层和所述源漏电极中的至少一个膜层上制备图案化的修饰层，包括:
[0050]将所述样本结构浸泡在溶液浓度为指定值的十八烷基三氯硅烷或者六甲基二硅胺中指定时长后，使用酒精冲洗并烘干，在所述样本结构上形成第三修饰层；
[0051]对所述第三修饰层进行一次紫外线曝光，得到所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层和所述源漏电极中的至少一个膜层上的图案化的修饰层。
[0052]结合第一方面的第二种可能的实现方式，在第一方面的第^^一种可能的实现方式中，所述在所述栅极绝缘层上制备图案的化修饰层，包括:
[0053]将所述样本结构浸泡在溶液浓度为指定值的十八烷基三氯硅烷或者六甲基二硅胺中指定时长后，使用酒精冲洗并烘干，在所述样本结构上形成第四修饰层；
[0054]对所述第四修饰层进行一次紫外线曝光，得到所述栅极绝缘层上的图案化的修饰层。
[0055]结合第一方面，在第一方面的第十二种可能的实现方式中，所述在所述样本结构上制备图案化的修饰层，包括:
[0056]向曝光设备中通入臭氧，并使用通入臭氧的曝光设备对样本结构上制备的修饰层进行一次紫外线曝光，得到所述样本结构上的图案化的修饰层。
[0057]第二方面，提供一种有机薄膜晶体管，所述有机薄膜晶体管包括:
[0058]样本结构，所述样本结构包括制备有机半导体层之前制备的各个膜层；
[0059]在所述样本结构上制备的图案化的修饰层；
[0060]在包括所述图案化的修饰层的样本结构上制备的有机半导体层。
[0061]结合第二方面，在第二方面的第一种可能的实现方式中，
[0062]所述样本结构包括在绝缘基板上制备的栅电极、在所述栅电极上制备的栅极绝缘层及在所述栅极绝缘层上制备的源漏电极；
[0063]所述图案化的修饰层制备于所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层和所述源漏电极中的至少一个膜层上。
[0064]结合第二方面，在第二方面的第二种可能的实现方式中，
[0065]所述样本结构包括在绝缘基板上制备的栅电极以及在所述栅电极上制备的栅极绝缘层；
[0066]所述图案化的修饰层制备于所述栅极绝缘层上；
[0067]所述有机半导体层上还制备有源漏电极。
[0068]结合第二方面，在第二方面的第三种可能的实现方式中，所述图案化的修饰层的图案为条状或块状。
[0069]结合第二方面的第三种可能的实现方式，在第二方面的第四种可能的实现方式中，每个条状或块状的长度和宽度介于0.1至I微米之间。
[0070]结合第二方面，在第二方面的第五种可能的实现方式中，所述修饰层的材料为具有感光性的有机小分子化合物或高分子聚合物。
[0071]第三方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括上述第二方面至第二方面的第五种可能的实现方式中任一种可能的实现方式所述的有机薄膜晶体管。
[0072]第四方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括上述第三方面所述的阵列基板。
[0073]本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
[0074]通过在制备有机半导体层之前制备得到的样本结构上制备图案化的修饰层，能够对修饰层的接触角进行调整，可以避免在修饰层上制备有机半导体层时出现分布不均匀的现象。
【附图说明】
[0075]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0076]图1是本发明一实施例提供的一种有机薄膜晶体管的制备方法流程图；
[0077]图2是本发明另一实施例提供的一种有机薄膜晶体管的制备方法流程图；
[0078]图3是本发明另一实施例提供的一种形成第一图案的过程示意图；
[0079]图4是本