的第一修饰层。
[0161]具体地，由于第三修饰层通常为感光材料，因此，通过紫外线曝光即可分解掉被曝光的区域，使得未被曝光的区域保留下来。
[0162]205:在第一修饰层上形成第一图案。
[0163]关于在第一修饰层上形成第一图案的方式，可以有很多种。具体实施时，包括但不限于:使用第一掩膜板对第一修饰层进行曝光，以在第一修饰层上形成第一图案，从而得到源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的图案化的修饰层。结合使用掩膜板进行图案化的原理，在第一修饰层上形成的第一图案与第一掩膜板的形状匹配。如图3所示，其示出了一种使用第一掩膜板形成第一图案的过程示意图。其中，图3所示的有机薄膜晶体管示出了栅极绝缘层301、源漏电极302和在源漏电极之间的间隙对应的区域上制备的第一修饰层 303。
[0164]其中，在曝光时，可通过曝光设备实现。关于曝光设备的类型，可为接触式曝光设备、投影曝光设备或步进式曝光设备等。另外，在进行曝光时，可向曝光设备中通入臭氧，并使用通入臭氧的曝光设备对第一修饰层进行曝光，在第一修饰层上形成第一图案。
[0165]通过向曝光设备中通入臭氧实现曝光，能够加强第一修饰层分解的均匀性，同时能够起到表面清洁或者表面氧化作用。
[0166]需要说明的是，结合上述步骤204和步骤205中的内容，当采用对第三修饰层进行曝光，去除源漏电极对应的区域上的第三修饰层，从而得到源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的第一修饰层，并采用第一掩膜板对第一修饰层进行曝光，以在第一修饰层上形成第一图案的方式，从而实现在源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上制备图案化的修饰层时，需要采用两次曝光工艺。然而，在具体实施时，为了节省工艺流程，在源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上制备图案化的修饰层时，可以先制备第三修饰层，并对第三修饰层进行一次紫外线曝光，形成源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的图案化的修饰层，从而通过一次曝光工艺实现在源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上制备图案化的修饰层。
[0167]206:在源漏电极和图案化后的第一修饰层上制备有机半导体层。
[0168]由于在本发明实施例中，仅以在源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上制备图案化的修饰层为例进行说明，也就是说，图案化的修饰层制备于样本结构上的部分区域，此时，在制备有机半导体层时，在图案化的修饰层上(图案化后的第一修饰层上)及未制备图案化的修饰层的样本结构上(源漏电极)上制备有机半导体层。
[0169]具体地，可以在源漏电极和图案化后的第一修饰层上涂覆有机半导体材料，从而制备出有机半导体层。
[0170]如图4所示，其示出了一种有机薄膜晶体管的结构示意图。图4所示的有机薄膜晶体管即为通过上述步骤201至步骤206制备得到的源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的修饰层上具有图案的有机薄膜晶体管。由图4所示的有机薄膜晶体管可知，该种有机薄膜晶体管为一种底接触型有机薄膜晶体管。
[0171]本发明实施例提供的方法，通过在源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的第一修饰层上形成第一图案，从而能够对修饰层的接触角进行调整，可以避免在修饰层上制备有机半导体层时出现分布不均匀的现象。
[0172]图5是本发明另一实施例提供的一种有机薄膜晶体管的制备方法流程图。本发明实施例以样本结构包括依序制备的栅电极、栅极绝缘层和源漏电极，且在源漏电极上制备图案化的修饰层为例，对本发明实施例提供的有机薄膜晶体管的制备方法进行说明。如图5所示，本发明实施例提供的方法流程包括:
[0173]501:在绝缘基板上制备栅电极。
[0174]该步骤的原理同步骤201的原理一致，具体可参见上述步骤201中的内容，在此不再赘述。
[0175]502:在栅电极上制备栅极绝缘层。
[0176]该步骤的原理同步骤202的原理一致，具体可参见上述步骤202中的内容，在此不再赘述。
[0177]503:在栅极绝缘层上分离地制备源电极和漏电极，得到源漏电极。
[0178]该步骤的原理同步骤203的原理一致，具体可参见上述步骤203中的内容，在此不再赘述。
[0179]504:在源漏电极上制备第二修饰层。
[0180]在本发明实施例中，源漏电极上制备的修饰层定义为第二修饰层。在制备第二修饰层时，可以在由栅电极、栅极绝缘层和源漏电极构成的样本结构上制备第三修饰层，并对第三修饰层进行一次紫外线曝光，去除源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的第三修饰层，得到源漏电极上的第二修饰层。
[0181]该步骤中形成第三修饰层的原理同步骤204中形成第三修饰层的原理一致，形成第三修饰层的方式具体可参见上述步骤204中的内容，在此不再赘述。
[0182]在本发明实施例在形成第二修饰层时，可以对第三修饰层进行一次紫外线曝光，去除源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的第三修饰层，得到源漏电极上的第二修饰层。具体地，对第三修饰层进行一次紫外线曝光的原理同上述步骤204中的原理一致，具体可参见上述步骤204中的内容，此处不再赘述。
[0183]505:在第二修饰层上形成第二图案。
[0184]关于在第二修饰层上形成第二图案的方式，可以有很多种。具体实施时，包括但不限于:使用第二掩膜板对第二修饰层进行曝光，在第二修饰层上形成第二图案，从而得到源漏电极上的图案化的修饰层。结合使用掩膜板进行图案化的原理，在第二修饰层上形成的第二图案与第二掩膜板的形状匹配。
[0185]如图6所示，其示出了一种使用第二掩膜板对第二修饰层进行曝光，在第二修饰层上形成第二图案的过程示意图。图6示出的有机薄膜晶体管包括栅极绝缘层601、源漏电极602和源漏电极602上制备的第二修饰层603。
[0186]其中，在曝光时，可以通过曝光设备实现。关于曝光设备的类型，可以为接触式曝光设备、投影曝光设备或步进式曝光设备等。另外，在进行曝光时，可以向曝光设备中通入臭氧，并使用通入臭氧的曝光设备对第二修饰层进行曝光，以在第二修饰层上形成第二图案。
[0187]通过向曝光设备中通入臭氧实现曝光，能够加强第二修饰层分解的均匀性，同时能够起到表面清洁或者表面氧化作用。
[0188]需要说明的是，结合上述步骤504和步骤505中的内容，当采用对第三修饰层进行曝光，去除源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的第三修饰层，从而得到源漏电极上的第二修饰层，并采用第二掩膜板对第二修饰层进行曝光，以在第二修饰层上形成第二图案的方式，在源漏电极上制备图案化的修饰层时，需要采用两次曝光工艺。然而，在具体实施时，为了节省工艺流程，在源漏电极上制备图案化的修饰层时，可以先制备第三修饰层，并对第三修饰层进行一次紫外线曝光，形成源漏电极上的图案化的修饰层，从而实现通过一次曝光工艺在源漏电极上制备得到图案化的修饰层。
[0189]506:在源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层和图案化后的第二修饰层上制备有机半导体层。
[0190]由于在本发明实施例中，仅以在源漏电极上制备图案化的修饰层为例进行说明，也就是说，图案化的修饰层制备于样本结构上的部分区域，此时，在制备有机半导体层时，在图案化的修饰层上(图案化后的第二修饰层上)及未制备图案化的修饰层的样本结构上(源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层)上制备有机半导体层。
[0191]具体地，可以在源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层和图案化后的第二修饰层上涂覆有机半导体材料，从而制备出有机半导体层。
[0192]如图7所示，其示出了一种有机薄膜晶体管的结构示意图。图7所示的有机薄膜晶体管即为通过上述步骤501至步骤506制备得到的源漏电极上的修饰层上具有图案的有机薄膜晶体管。由图7所示的有机薄膜晶体管可知，该种有机薄膜晶体管为一种底接触型有机薄膜晶体管。
[0193]本发明实施例提供的方法，通过在源漏电极上的第二修饰层上形成第二图案，从而能够对修饰层的接触角进行调整，可以避免在修饰层上制备有机半导体层时出现分布不均匀的现象。
[0194]图8是本发明另一实施例提供的一种有机薄膜晶体管的制备方法流程图。本发明实施例以样本结构包括依序制备的栅电极、栅极绝缘层和源漏电极，且在源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层和源漏电极上均制备图案化的修饰层为例，对本发明实施例提供的有机薄膜晶体管的制备方法进行说明。如图8所示，本发明实施例提供的方法流程包括:
[0195]801:在绝缘基板上制备栅电极。
[0196]该步骤的原理同步骤201的原理一致，具体可参见上述步骤201中的内容，在此不再赘述。
[0197]802:在栅电极上制备栅极绝缘层。
[0198]该步骤的原理同步骤202的原理一致，具体可参见上述步骤202中的内容，在此不再赘述。
[0199]803:在栅极绝缘层上分离地制备源电极和漏电极，得到源漏电极。
[0200]该步骤的原理同步骤203中的原理一致，具体可参见上述步骤201中的内容，在此不再赘述。
[0201]804:在源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上制备第一修饰层，在源漏电极上制备第二修饰层。
[0202]具体地，在源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上制备第一修饰层的原理，可以与上述步骤204中的原理一致，具体可参见上述步骤204中的内容，此处不再赘述。在源漏电极上制备第二修饰层的原理，可以与上述步骤504中的原理一致，具体可参见上述步骤504中的内容，此处不再赘述。
[0203]需要说明的是，步骤204和步骤504仅以分别制备源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的第一修饰层和源漏电极上的第二修饰层为例进行了说明，然而，在具体实施时，也可以同时制备第一修饰层和第二修饰层，具体地，可以在由栅电极、栅极绝缘层和源漏电极构成的样本结构上制备第三修饰层，其中，将位于源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的第三修饰层为第一修饰层，位于源漏电极上的第三修饰层为第二修饰层。
[0204]其中，在样本结构上制备第三修饰层的原理，同步骤204中制备第三修饰层的原理一致，具体可参见上述步骤204中制备第三修饰层的内容，在此不再赘述。
[0205]805:在第一修饰层上形成第一图案，在第二修饰层上形成第二图案。
[0206]关于在第一修饰层上形成第一图案的方式，以及在第二修饰层上形成第二图案的方式，可以有很多种。具体实施时，可以通过掩膜板在第一修饰层形成第一图案在第二修饰层上形成第二图案。另外，在借助掩膜板形成第一修饰层和第二修饰层上的图案时，可以使用一个掩膜板，也可以使用两个掩膜板。结合该内容，形成第一图案和第二图案的方式包括但不限于有如下两种:
[0207]第一种方式:使用第一掩模板对第一修饰层进行曝光，在第一修饰层上形成第一图案，从而得到源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的图案化的修饰层；使用第二掩模板对第二修饰层进行曝光，在第二修饰层上形成第二图案，从而得到源漏电极上的图案化的修饰层。
[0208]在该种方式下，在形成第一图案和第二图案时，通过不同的掩膜板实现。
[0209]第二种方式:使用第三掩模板对第一修饰层和第二修饰层进行曝光，在第一修饰层上形成第一图案，在第二修饰层上形成第二图案，分别得到源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的图案化的修饰层和源漏电极上的图案化的修饰层。
[0210]在该种方式下，在形成第一图案和第二图案时，通过同一掩膜板实现。如图9所示，其示出了一种形成第一图案和第二图案的过程示意图。图9所示的方式通过同一掩膜板在第一修饰层和第二修饰层上分别形成第一图案和第二图案。图9所示的有机薄膜晶体管示出了栅极绝缘层901、源漏电极902、制备于源漏电极之间的间隙处对应的栅极绝缘层上的第一修饰层903和制备于源漏电极902上的第二修饰层904。
[0211]结合上述两种形成第一图案和第二图案的方式，在曝光