06，源漏电极1004上的第二修饰层上制备有第二图案1007 ;以及在图案化后的第一修饰层和图案化后的第二修饰层上制备的有机半导体层 1005 ;
[0262]关于栅电极1002、栅极绝缘层1003、源漏电极1004及有机半导体层1005的材料和厚度可以参见图4所对应实施例中的内容，此处不再赘述。
[0263]另外，源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的第一修饰层上制备的第一图案，以及源漏电极上的第二修饰层上制备的第二图案包括但不限于为条状或块状。该条状或块状的长度和宽度可以介于50至10000纳米之间。优选地，条状或块状的长度和宽度可以介于0.1至I微米之间。
[0264]第一修饰层和第二修饰层的材料可以为通过打印、旋涂后配合光刻图形化工艺所能成膜的材料。具体可以为具有感光性的小分子化合物、自组装分子或高分子聚合物。如，如胫基化合物、HMDS、OTS等。
[0265]本发明实施例提供的有机薄膜晶体管，通过在源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上制备的第一修饰层和源漏电极上制备的第二修饰层上分别形成有第一图案和第二图案，从而能够对修饰层的接触角进行调整，可以避免在修饰层上制备有机半导体层时出现分布不均匀的现象。
[0266]本发明实施例还提供了一种有机薄膜晶体管，该有机薄膜晶体管的结构示意图如图12所示。具体地，图12所示的有机薄膜晶体管的栅极绝缘层上制备有图案化的修饰层。如图12所示，该有机薄膜晶体管包括在绝缘基板1201上制备的栅电极1202 ;在栅电极1202上制备的栅极绝缘层1203 ;在栅极绝缘层1203上制备的图案化的修饰层1206 ;在图案化后的修饰层1206上制备的有机半导体层1205 ;以及在有机半导体层1205上制备的源漏电极1204。
[0267]关于栅电极1202、栅极绝缘层1203、源漏电极1204及有机半导体层1205的材料和厚度可以参见图4所对应实施例中的内容，此处不再赘述。
[0268]另外，在栅极绝缘层上制备的修饰层的图案包括但不限于为条状或块状。该条状或块状的长度和宽度可以介于50至10000纳米之间。优选地，条状或块状的长度和宽度可以介于0.1至I微米之间。
[0269]栅极绝缘层上的修饰层的材料可以为通过打印、旋涂后配合光刻图形化工艺所能成膜的材料。具体可以为具有感光性的小分子化合物、自组装分子或高分子聚合物。如，如胫基化合物、HMDS、OTS等。
[0270]本发明实施例提供的有机薄膜晶体管，通过在栅极绝缘层上制备图案化的修饰层，能够对修饰层的接触角进行调整，可以避免在修饰层上制备有机半导体层时出现分布不均匀的现象。
[0271]本发明实施例还提供了一种阵列基板，该阵列基板包括上述图4、图7、图10或图12所示的有机薄膜晶体管。
[0272]本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括阵列基板，该阵列基板包括上述图4、图7、图10或图12所示的有机薄膜晶体管。该显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电能、台式电脑、数码相框及导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0273]本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
[0274]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括: 制备样本结构，所述样本结构包括制备有机半导体层之前制备的各个膜层； 在所述样本结构上制备图案化的修饰层； 在包括所述图案化的修饰层的样本结构上制备有机半导体层。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备样本结构，包括: 依序分别制备栅电极、栅极绝缘层、源漏电极，得到样本结构； 所述在所述样本结构上制备图案化的修饰层，包括: 在所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层和所述源漏电极中的至少一个膜层上制备图案化的修饰层； 所述在包括所述图案化的修饰层的样本结构上制备有机半导体层，包括: 当所述图案化的修饰层制备于所述样本结构上的全部区域时，在所述图案化的修饰层上制备有机半导体层； 当所述图案化的修饰层制备于所述样本结构上的部分区域时，在所述图案化的修饰层上及未制备图案化的修饰层的样本结构上制备有机半导体层。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备样本结构，包括: 依序分别制备栅电极和栅极绝缘层，得到样本结构； 所述在所述样本结构上制备图案化的修饰层，包括: 在所述栅极绝缘层上制备图案化的修饰层； 所述在包括所述图案化的修饰层的样本结构上制备有机半导体层，包括: 在所述图案化的修饰层上制备有机半导体层； 所述制备方法还包括: 在所述有机半导体层上制备源漏电极。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层和所述源漏电极中的至少一个膜层上制备图案化的修饰层，包括: 在所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上制备第一修饰层； 使用第一掩模板对所述第一修饰层进行曝光，在所述第一修饰层上形成第一图案，得到所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的图案化的修饰层。5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层和所述源漏电极中的至少一个膜层上制备图案化的修饰层，包括: 在所述源漏电极上制备第二修饰层； 使用第二掩模板对所述第二修饰层进行曝光，在所述第二修饰层上形成第二图案，得到所述源漏电极上的图案化的修饰层。6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层和所述源漏电极中的至少一个膜层上制备图案化的修饰层，包括: 在所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上制备第一修饰层； 在所述源漏电极上制备第二修饰层； 使用第一掩模板对所述第一修饰层进行曝光，在所述第一修饰层上形成第一图案，得到所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的图案化修饰层； 使用第二掩模板对所述第二修饰层进行曝光，在所述第二修饰层上形成第二图案，得到所述源漏电极上的图案化修饰层。7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层和所述源漏电极中的至少一个膜层上制备图案化的修饰层，包括: 在所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上制备第一修饰层； 在所述源漏电极上制备第二修饰层； 使用第三掩模板对所述第一修饰层和所述第二修饰层进行曝光，在所述第一修饰层上形成第一图案，在所述第二修饰层上形成第二图案，分别得到所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的图案化的修饰层和所述源漏电极上的图案化的修饰层。8.根据权利要求4、6或7所述的制备方法，其特征在于，所述在所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上制备第一修饰层，包括: 将所述样本结构浸泡在溶液浓度为指定值的十八烷基三氯硅烷或者六甲基二硅胺中指定时长后，使用酒精冲洗并烘干，在所述样本结构上形成第三修饰层； 对所述第三修饰层进行一次紫外线曝光，去除所述源漏电极对应的区域上的第三修饰层，得到所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的第一修饰层。9.根据权利要求5、6或7所述的制备方法，其特征在于，所述在所述源漏电极上制备第二修饰层，包括: 将所述样本结构浸泡在溶液浓度为指定值的十八烷基三氯硅烷或者六甲基二硅胺中指定时长后，使用酒精冲洗并烘干，在所述样本结构上形成第三修饰层； 对所述第三修饰层进行一次紫外线曝光，去除所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的第三修饰层，得到所述源漏电极上的第二修饰层。10.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，所述在所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上制备第一修饰层，在所述源漏电极上制备第二修饰层，包括: 将所述样本结构浸泡在溶液浓度为指定值的十八烷基三氯硅烷或者六甲基二硅胺中指定时长后，使用酒精冲洗并烘干，在所述样本结构上形成第三修饰层；其中，位于所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层上的第三修饰层为第一修饰层，位于所述源漏电极上的第三修饰层为第二修饰层。11.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层和所述源漏电极中的至少一个膜层上制备图案化的修饰层，包括: 将所述样本结构浸泡在溶液浓度为指定值的十八烷基三氯硅烷或者六甲基二硅胺中指定时长后，使用酒精冲洗并烘干，在所述样本结构上形成第三修饰层； 对所述第三修饰层进行一次紫外线曝光，得到所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层和所述源漏电极中的至少一个膜层上的图案化的修饰层。12.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述在所述栅极绝缘层上制备图案的化修饰层，包括: 将所述样本结构浸泡在溶液浓度为指定值的十八烷基三氯硅烷或者六甲基二硅胺中指定时长后，使用酒精冲洗并烘干，在所述样本结构上形成第四修饰层； 对所述第四修饰层进行一次紫外线曝光，得到所述栅极绝缘层上的图案化的修饰层。13.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述样本结构上制备图案化的修饰层，包括: 向曝光设备中通入臭氧，并使用通入臭氧的曝光设备对样本结构上制备的修饰层进行一次紫外线曝光，得到所述样本结构上的图案化的修饰层。14.一种有机薄膜晶体管，其特征在于，所述有机薄膜晶体管包括: 样本结构，所述样本结构包括制备有机半导体层之前制备的各个膜层； 在所述样本结构上制备的图案化的修饰层； 在包括所述图案化的修饰层的样本结构上制备的有机半导体层。15.根据权利要求14所述的有机薄膜晶体管，其特征在于， 所述样本结构包括在绝缘基板上制备的栅电极、在所述栅电极上制备的栅极绝缘层及在所述栅极绝缘层上制备的源漏电极； 所述图案化的修饰层制备于所述源漏电极之间的间隙对应的栅极绝缘层和所述源漏电极中的至少一个膜层上。16.根据权利要求14所述的有机薄膜晶体管，其特征在于， 所述样本结构包括在绝缘基板上制备的栅电极以及在所述栅电极上制备的栅极绝缘层； 所述图案化的修饰层制备于所述栅极绝缘层上；所述有机半导体层上还制备有源漏电极。17.根据权利要求14所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述图案化的修饰层的图案为条状或块状。18.根据权利要求17所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，每个条状或块状的长度和宽度介于0.1至I微米之间。19.根据权利要求14所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述修饰层的材料为具有感光性的有机小分子化合物或高分子聚合物。20.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括权14至权19中任一权利要求所述的有机薄膜晶体管。21.—种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权20所述的阵列基板。
【专利摘要】本发明公开一种有机薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置，属于薄膜晶体管领域，所述制备方法包括：制备样本结构，所述样本结构包括制备有机半导体层之前制备的各个膜层；在所述样本结构上制备图案化的修饰层；在包括所述图案化的修饰层的样本结构上制备有机半导体层。有机薄膜晶体管包括：样本结构，所述样本结构包括制备有机半导体层之前制备的各个膜层；在所述样本结构上制备的图案化的修饰层；在包括所述图案化的修饰层的样本结构上制备的有机半导体层。本发明通过在制备有机半导体层之前制备得到的样本结构上制备图案化的修饰层，能够对修饰层的接触角进行调整，可以避免在修饰层上制备有机半导体层时出现分布不均匀的现象。
【IPC分类】H01L27/32, H01L51/05, H01L51/40
【公开号】CN105140261
【申请号】CN201510451019
【发明人】刘则
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年7月28日