有机发光二极管阵列基板及其制作方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光二极管阵列基板及其制作方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]作为以薄膜晶体管为控制元件，OLED (有机发光二极管)为光发射介质的显示技术具有高清晰度、广视角、易实现弯曲柔性化显示等优势得到越来越多的重视，相关厂家也投入了大量的研究开发。
[0003]随着有机发光二极管显示的应用，越来越多的场合需要采用双面显示的效果。请参考图1，图1是现有技术中的双面显示的有机发光二极管阵列基板的结构示意图，该双面显示的有机发光二极管阵列基板由两个单面显示的有机发光二极管阵列基板贴合而成，其中，第一个有机发光二极管阵列基板包括:衬底基板101，遮光层102，缓冲层103，有源层104，栅绝缘层105，栅电极106，层间介质层107，源电极108a，漏电极108b，阳极109，像素隔离层110，有机发光层111以及阴极112。第二个有机发光二极管阵列基板包括:衬底基板201，遮光层202，缓冲层203，有源层204，栅绝缘层205，栅电极206，层间介质层207，源电极208a，漏电极208b，阳极209，像素隔离层210，有机发光层211以及阴极212。两个单面显示的有机发光二极管阵列基板的发光方向如图1中箭头所示。
[0004]上述双面显示的有机发光二极管阵列基板具有厚度大，制作成本高的问题。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，本发明提供一种有机发光二极管阵列基板及其制作方法、显示装置，以解决现有技术中的双面显示的有机发光二极管阵列基板厚度大，制作成本高的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本发明提供一种有机发光二极管阵列基板，包括衬底基板以及形成在所述衬底基板上的第一电极层、第一发光层、第二电极层、薄膜晶体管、第三电极层、第二发光层和第四电极层，其中，所述薄膜晶体管的漏电极与所述第三电极层连接，所述第三电极层与所述第二电极层连接，所述第一发光层由所述第一电极层和所述第二电极层控制发光，所述第二发光层由所述第三电极层和所述第四电极层控制发光。
[0007]优选地，所述有机发光二极管阵列基板还包括:用于为所述薄膜晶体管的有源层遮光的遮光层，设置于所述衬底基板与所述薄膜晶体管的有源层之间，所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域完全落入所述遮光层在所述衬底基板上的正投影区域内。
[0008]优选地，所述第二电极层与所述遮光层同层同材料设置。
[0009]优选地，所述第三电极层与所述薄膜晶体管的源电极和漏电极同层同材料设置。
[0010]优选地，所述第二电极层与所述第三电极层通过过孔连接。
[0011]优选地，所述有机发光二极管阵列基板具体包括:
[0012]衬底基板；
[0013]第一电极层，位于所述衬底基板上；
[0014]第一像素隔离层，位于所述第一电极层上，所述第一像素隔离层包括多个像素隔离体，相邻的像素隔离体之间形成开口区域；
[0015]第一发光层，位于所述第一像素隔离层的开口区域；
[0016]同层设置的第二电极层和遮光层，所述第二电极层位于所述第一发光层之上；
[0017]缓冲层，位于所述第二电极层和所述遮光层上；
[0018]有源层，位于所述缓冲层上，所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域完全落入所述遮光层在所述衬底基板上的正投影区域内；
[0019]栅绝缘层；
[0020]栅电极，位于所述栅绝缘层上；
[0021]层间介质层；
[0022]同层设置的源电极、漏电极和第三电极层，其中，所述源电极和所述漏电极分别通过贯穿所述层间介质层的过孔与所述有源层连接，所述漏电极与所述第三电极层连接，所述第三电极层通过贯穿所述层间介质层、所述栅绝缘层以及所述缓冲层的过孔与所述第二电极层连接；
[0023]第二像素隔离层，所述第二像素隔离层包括多个像素隔离体，相邻的像素隔离体之间形成开口区域；
[0024]第二发光层，位于所述第二像素隔离层的开口区域；
[0025]第四电极层，位于所述第二发光层上。
[0026]本发明还提供一种有机发光二极管显示装置，包括上述有机发光二极管阵列基板。
[0027]本发明还提供一种有机发光二极管阵列基板的制作方法，包括:
[0028]提供一衬底基板；
[0029]在所述衬底基板上形成第一电极层、第一发光层、第二电极层、薄膜晶体管、第三电极层、第二发光层和第四电极层，其中，所述薄膜晶体管的漏电极与所述第三电极层连接，所述第三电极层与所述第二电极层连接，所述第一发光层由所述第一电极层和所述第二电极层控制发光，所述第二发光层由所述第三电极层和所述第四电极层控制发光。
[0030]优选地，在形成所述薄膜晶体管之前还包括:
[0031]在所述衬底基板上形成为所述薄膜晶体管的有源层遮光的遮光层，其中，在形成所述薄膜晶体管的有源层之后，使得所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域完全落入所述遮光层在所述衬底基板上的正投影区域内。
[0032]优选地，通过一次构图工艺形成所述遮光层和所述第二电极层。
[0033]优选地，通过一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的源电极、漏电极和所述第三电极层。
[0034]优选地，所述在所述衬底基板上形成第一电极层、第一发光层、第二电极层、薄膜晶体管、第三电极层、第二发光层和第四电极层的步骤具体包括:
[0035]在所述衬底基板上形成第一电极层；
[0036]在所述第一电极层上形成第一像素隔离层，所述第一像素隔离层包括多个像素隔离体，相邻的像素隔离体之间形成开口区域；
[0037]在所述第一像素隔离层的开口区域中形成第一发光层；
[0038]通过一次构图工艺形成第二电极层和遮光层，所述第二电极层位于所述第一发光层之上，所述遮光层位于待形成有源层的区域；
[0039]在所述第二电极层和所述遮光层上形成缓冲层；
[0040]在所述缓冲层上形成有源层，所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域完全落入所述遮光层在所述衬底基板上的正投影区域内；
[0041]形成栅绝缘层；
[0042]在所述栅绝缘层上形成栅电极；
[0043]形成层间介质层，并形成贯穿所述层间介质层的过孔，以及贯穿所述层间介质层、所述栅绝缘层以及所述缓冲层的过孔；
[0044]通过一次构图工艺形成源电极、漏电极和第三电极层，其中，所述源电极和所述漏电极分别通过贯穿所述层间介质层的过孔与所述有源层连接，所述漏电极与所述第三电极层连接，所述第三电极层通过贯穿所述层间介质层、所述栅绝缘层以及所述缓冲层的过孔与所述第二电极层连接；
[0045]形成第二像素隔离层，所述第二像素隔离层包括多个像素隔离体，相邻的像素隔离体之间形成开口区域；
[0046]在所述第二像素隔离层的开口区域中形成第二发光层；
[0047]形成第四电极层，所述第四电极层位于所述第二发光层上。
[0048]本发明的上述技术方案的有益效果如下:
[0049]双面显示的有机发光二极管的每一像素单元中的两有机发光二极管都由一薄膜晶体管驱动发光，与现有技术中的双面显示的有机发光二极管阵列基板相比，减少了一个薄膜晶体管，厚度和制作成本也随之减少。此外，由于减少了一个薄膜晶体管，还可以增大双面显示的有机发光二