极管阵列基板的开口率。
【附图说明】
[0050]图1为现有技术中的双面显示的有机发光二极管阵列基板的结构示意图；
[0051]图2为本发明实施例的双面显示的有机发光二极管阵列基板的结构示意图；
[0052]附图标记说明:
[0053]图1:
[0054]101，201 衬底基板;102，202 遮光层;103，203 缓冲层;104，204 有源层;105，205 栅绝缘层;106，206栅电极;107，207层间介质层;108a，208a源电极;108b，208b漏电极;109，209阳极;110，210像素隔离层;111，211有机发光层;112，212阴极;
[0055]图2:
[0056]301衬底基板；302第一电极层；303第一像素隔离层；304第一发光层；3051遮光层；3052第二电极层；306缓冲层；307有源层；308栅绝缘层；309栅电极；310层间介质层；3111源电极；3112漏电极；3113第三电极层；312第二像素隔离层；313第二发光层；314第四电极层。
【具体实施方式】
[0057]为解决现有技术中的双面显示的有机发光二极管阵列基板厚度大，制作成本高的问题，本发明实施例提供一种有机发光二极管阵列基板，包括衬底基板以及形成在所述衬底基板上的第一电极层、第一发光层、第二电极层、薄膜晶体管、第三电极层、第二发光层和第四电极层，其中，所述薄膜晶体管的漏电极与所述第三电极层连接，所述第三电极层与所述第二电极层连接，所述第二发光层由所述第三电极层和所述第四电极层控制发光。
[0058]所述第一发光层由所述第一电极层和所述第二电极层控制发光，即，所述第一电极层、第一发光层、第二电极层组成第一有机发光二极管，所述第一电极层为第一有机发光二极管的阴极，所述第二电极层为第一有机发光二极管的阳极，所述第一有机发光二极管为单侧发光，阴极采用透明或半透明导电材料制成，阳极采用不透明导电材料制成。
[0059]所述第二发光层由所述第三电极层和所述第四电极层控制发光，即所述第三电极层、第二发光层和第四电极层组成第二有机发光二极管，所述第三电极层为所述第二有机发光二极管的阳极，所述第四电极层为所述第二有机发光二极管的阴极，所述第二有机发光二极管为单侧发光，阴极采用透明或半透明导电材料制成，阳极采用不透明导电材料制成。
[0060]所述第三电极层与薄膜晶体管的漏电极连接，接收薄膜晶体管发送的驱动信号，所述第二电极层与所述第三电极层连接，通过所述第三电极层与所述薄膜晶体管的漏电极连接，接收所述薄膜晶体管发送的驱动信号。
[0061]本发明实施例中的有机发光二极管阵列基板可以包括多个像素单元，每一像素单元中均包括上述第一电极层、第一发光层、第二电极层、薄膜晶体管、第三电极层、第二发光层和第四电极层。由第一电极层、第一发光层、第二电极层组成的第一有机发光二极管用于正面或反面显示，由第三电极层、第二发光层和第四电极层组成的第二有机发光二极管可用于反面或正面的显示。
[0062]通过上述连接关系，双面显示的有机发光二极管的每一像素单元中的两有机发光二极管都由一薄膜晶体管驱动发光，与现有技术中的双面显示的有机发光二极管阵列基板相比，减少了一个薄膜晶体管，厚度和制作成本也随之减少。此外，由于减少了一个薄膜晶体管，还可以增大双面显示的有机发光二极管阵列基板的开口率。
[0063]本发明实施例中的薄膜晶体管可以为顶栅型薄膜晶体管，即栅电极位于有源层和源电极/漏电极之间，所述薄膜晶体管也可以为底栅型薄膜晶体管，即有源层位于栅电极和源电极/漏电极之间。
[0064]有源层采用半导体材料制成，对光线比较敏感，尤其是半导体材料为低温多晶硅时。当所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管时，金属材料的栅电极会对外界光线具有一定的遮挡作用，有源层较少受到外界光线影响。而，当所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管时，由于衬底基板与有源层之间不再具有栅电极，因此需要增加遮光层，为所述有源层遮光。即，所述有机发光二极管阵列基板还可以包括:一遮光层，设置于所述衬底基板与所述薄膜晶体管的有源层之间，用于为所述薄膜晶体管的有源层遮光，为了能够使得所述遮光层完全遮挡有源层，所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域完全落入所述遮光层在所述衬底基板上的正投影区域内。所述遮光层采用不透明材料制成，例如不透明金属材料。
[0065]优选地，当所述有机发光二极管阵列基板包括所述遮光层，且遮光层采用导电材料制成时，所述第二电极层可以与所述遮光层同层设置，以减小有机发光二极管阵列基板的厚度。进一步优选地，所述第二电极层可以与所述遮光层同层同材料设置，从而可采用一次构图工艺形成所述第二电极层和所述遮光层，以减少有机发光二极管阵列基板的制作工
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[0066]本发明实施例中，所述第三电极层采用不透明导电材料制成，例如金属材料，且第三电极层还需要与所述薄膜晶体管的漏电极连接。当所述第三电极层与所述薄膜晶体管的漏电极异层设置时，两者之间需要设置绝缘层，并通过绝缘层上的过孔连接，这种结构使得有机发光二极管阵列基板的厚度较大，且制作工艺复杂。因此，优选地，所述第三电极层可以与所述薄膜晶体管的源电极和漏电极同层设置，此时不需要刻蚀过孔，第三电极层和薄膜晶体管的漏电极可直接连接，在减小有机发光二极管阵列基板的厚度的同时，也减少了制作工艺。进一步优选地，所述第三电极层还可以与所述薄膜晶体管的源电极和漏电极同层同材料设置，从而可采用一次构图工艺形成所述第三电极层和所述薄膜晶体管的源电极和漏电极，以进一步减少有机发光二极管阵列基板的制作工艺。
[0067]上述各实施例中，第二电极层与所述第三电极层通过过孔连接，所述过孔贯穿所述第二电极层和所述第三电极层之间的所有膜层。
[0068]下面将结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0069]请参考图2，图2为本发明实施例的有机发光二极管阵列基板的结构示意图，所述有机发光二极管阵列基板用于实现双面显示，包括:
[0070]衬底基板301;
[0071]第一电极层302，位于所述衬底基板301上；
[0072]第一像素隔离层303，位于所述第一电极层302上，所述第一像素隔离层303包括多个像素隔离体，相邻的像素隔离体之间形成开口区域；所述第一像素隔离层用于限定不同的像素单元；
[0073]第一发光层304，位于所述第一像素隔离层303的开口区域；
[0074]同层设置的第二电极层3052和遮光层3051，所述第二电极层3052位于所述第一发光层304之上；优选的，所述第二电极层3052和所述遮光层3051同层同材料，可采用一次构图工艺形成。
[0075]缓冲层306，位于所述第二电极层3052和所述遮光层3051上；
[0076]有源层307，位于所述缓冲层306上，所述有源层307在所述衬底基板301上的正投影区域完全落入所述遮光层3051在所述衬底基板301上的正投影区域内；本发明实施例中，所述有源层307为低温多晶硅有源层。
[0077]栅绝缘层308 ；
[0078]栅电极309，位于所述栅绝缘层308上；本发明实施例中，薄膜晶体管包括两个栅电极。原因在于:有源层为低温多晶硅有源层，低温多晶硅有源层的漏电流会比传统的非晶硅有源层等有源层的漏电流大，所以采用两个栅电极来控制有源层的导通，以减小漏电流对显示稳定性的