源层，所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域完全落入所述遮光层在所述衬底基板上的正投影区域内；
[0112]步骤127:形成栅绝缘层；
[0113]步骤128:在所述栅绝缘层上形成栅电极；
[0114]步骤129:形成层间介质层，并形成贯穿所述层间介质层的过孔，以及贯穿所述层间介质层、所述栅绝缘层以及所述缓冲层的过孔；
[0115]步骤130:通过一次构图工艺形成源电极、漏电极和第三电极层，其中，所述源电极和所述漏电极分别通过贯穿所述层间介质层的过孔与所述有源层连接，所述漏电极与所述第三电极层连接，所述第三电极层通过贯穿所述层间介质层、所述栅绝缘层以及所述缓冲层的过孔与所述第二电极层连接；
[0116]步骤131:形成第二像素隔离层，所述第二像素隔离层包括多个像素隔离体，相邻的像素隔离体之间形成开口区域；
[0117]步骤132:在所述第二像素隔离层的开口区域中形成第二发光层；
[0118]步骤133:形成第四电极层，所述第四电极层位于所述第二发光层上。
[0119]通过上述制作方法，第二电极层与遮光层通过一次构图工艺形成，同时，第三电极层与所述薄膜晶体管的源电极、漏电极通过一次构图工艺形成，进一步减少了制作工艺，降低了生产成本。
[0120]以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种有机发光二极管阵列基板，包括衬底基板以及形成在所述衬底基板上的第一电极层、第一发光层、第二电极层、薄膜晶体管、第三电极层、第二发光层和第四电极层，其中，所述薄膜晶体管的漏电极与所述第三电极层连接，所述第三电极层与所述第二电极层连接，所述第一发光层由所述第一电极层和所述第二电极层控制发光，所述第二发光层由所述第三电极层和所述第四电极层控制发光。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管阵列基板，其特征在于，还包括:用于为所述薄膜晶体管的有源层遮光的遮光层，设置于所述衬底基板与所述薄膜晶体管的有源层之间，所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域完全落入所述遮光层在所述衬底基板上的正投影区域内。3.根据权利要求2所述的有机发光二极管阵列基板，其特征在于，所述第二电极层与所述遮光层同层同材料设置。4.根据权利要求1所述的有机发光二极管阵列基板，其特征在于，所述第三电极层与所述薄膜晶体管的源电极和漏电极同层同材料设置。5.根据权利要求1所述的有机发光二极管阵列基板，其特征在于，所述第二电极层与所述第三电极层通过过孔连接。6.根据权利要求1所述的有机发光二极管阵列基板，其特征在于，具体包括: 衬底基板； 第一电极层，位于所述衬底基板上； 第一像素隔离层，位于所述第一电极层上，所述第一像素隔离层包括多个像素隔离体，相邻的像素隔离体之间形成开口区域； 第一发光层，位于所述第一像素隔离层的开口区域； 同层设置的第二电极层和遮光层，所述第二电极层位于所述第一发光层之上； 缓冲层，位于所述第二电极层和所述遮光层上； 有源层，位于所述缓冲层上，所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域完全落入所述遮光层在所述衬底基板上的正投影区域内； 栅绝缘层； 栅电极，位于所述栅绝缘层上； 层间介质层； 同层设置的源电极、漏电极和第三电极层，其中，所述源电极和所述漏电极分别通过贯穿所述层间介质层的过孔与所述有源层连接，所述漏电极与所述第三电极层连接，所述第三电极层通过贯穿所述层间介质层、所述栅绝缘层以及所述缓冲层的过孔与所述第二电极层连接； 第二像素隔离层，所述第二像素隔离层包括多个像素隔离体，相邻的像素隔离体之间形成开口区域； 第二发光层，位于所述第二像素隔离层的开口区域； 第四电极层，位于所述第二发光层上。7.一种有机发光二极管显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的有机发光二极管阵列基板。8.一种有机发光二极管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括: 提供一衬底基板； 在所述衬底基板上形成第一电极层、第一发光层、第二电极层、薄膜晶体管、第三电极层、第二发光层和第四电极层，其中，所述薄膜晶体管的漏电极与所述第三电极层连接，所述第三电极层与所述第二电极层连接，所述第一发光层由所述第一电极层和所述第二电极层控制发光，所述第二发光层由所述第三电极层和所述第四电极层控制发光。9.根据权利要求8所述的有机发光二极管阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成所述薄膜晶体管之前还包括: 在所述衬底基板上形成为所述薄膜晶体管的有源层遮光的遮光层，其中，在形成所述薄膜晶体管的有源层之后，使得所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域完全落入所述遮光层在所述衬底基板上的正投影区域内。10.根据权利要求9所述的有机发光二极管阵列基板的制作方法，其特征在于，通过一次构图工艺形成所述遮光层和所述第二电极层。11.根据权利要求8所述的有机发光二极管阵列基板的制作方法，其特征在于，通过一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的源电极、漏电极和所述第三电极层。12.根据权利要求8所述的有机发光二极管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成第一电极层、第一发光层、第二电极层、薄膜晶体管、第三电极层、第二发光层和第四电极层的步骤具体包括: 在所述衬底基板上形成第一电极层； 在所述第一电极层上形成第一像素隔离层，所述第一像素隔离层包括多个像素隔离体，相邻的像素隔离体之间形成开口区域； 在所述第一像素隔离层的开口区域中形成第一发光层； 通过一次构图工艺形成第二电极层和遮光层，所述第二电极层位于所述第一发光层之上，所述遮光层位于待形成有源层的区域； 在所述第二电极层和所述遮光层上形成缓冲层； 在所述缓冲层上形成有源层，所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域完全落入所述遮光层在所述衬底基板上的正投影区域内； 形成栅绝缘层； 在所述栅绝缘层上形成栅电极； 形成层间介质层，并形成贯穿所述层间介质层的过孔，以及贯穿所述层间介质层、所述栅绝缘层以及所述缓冲层的过孔； 通过一次构图工艺形成源电极、漏电极和第三电极层，其中，所述源电极和所述漏电极分别通过贯穿所述层间介质层的过孔与所述有源层连接，所述漏电极与所述第三电极层连接，所述第三电极层通过贯穿所述层间介质层、所述栅绝缘层以及所述缓冲层的过孔与所述第二电极层连接； 形成第二像素隔离层，所述第二像素隔离层包括多个像素隔离体，相邻的像素隔离体之间形成开口区域； 在所述第二像素隔离层的开口区域中形成第二发光层； 形成第四电极层，所述第四电极层位于所述第二发光层上。
【专利摘要】本发明提供一种有机发光二极管阵列基板及其制作方法、显示装置。所述有机发光二极管阵列基板包括衬底基板以及形成在所述衬底基板上的第一电极层、第一发光层、第二电极层、薄膜晶体管、第三电极层、第二发光层和第四电极层，其中，所述薄膜晶体管的漏电极与所述第三电极层连接，所述第三电极层与所述第二电极层连接，所述第一发光层由所述第一电极层和所述第二电极层控制发光，所述第二发光层由所述第三电极层和所述第四电极层控制发光。本发明的有机发光二极管阵列基板具有厚度薄，制作成本低的特点。
【IPC分类】H01L21/77, H01L27/32
【公开号】CN105140260
【申请号】CN201510437777
【发明人】李坤, 邱云, 白峰
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 成都京东方光电科技有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年7月23日