太阳能电池组件的制造方法、透光基板的制造方法和太阳能电池组件的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及太阳能电池组件的制造方法、透光基板的制造方法和太阳能电池组件。
【背景技术】
[0002]现有技术中，作为将光能转换为电能的光电转换装置，太阳能电池组件的开发进展中。由于太阳能电池组件能够将无穷尽的太阳能直接转换为电，与用化石燃料进行发电相比，环境负荷小且清洁，所以作为新的能源而受到期待。
[0003]这种太阳能电池组件例如采用在玻璃基板与背罩(back cover)之间用填充材料将作为光电转换部的太阳能电池单元密封的结构。在太阳能电池组件中，为了吸取更多的光，存在在受光侧的玻璃基板的表面还形成有防反射膜(Anti Reflect1n Coat)的情况。
[0004]例如在专利文献I中公开了如下的薄膜太阳能电池组件:为了获得良好的光封闭效果，在形成于玻璃基板的防反射层的表面还形成有多层防反射膜。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:日本特开2012-124386号公报
【发明内容】
[0008]发明要解决的课题
[0009]然而，在形成有防反射膜的太阳能电池组件中，存在当防反射膜上附着油脂成分等污垢时不容易除去该污垢的问题。在这种情况下，即使为了除去附着的污垢而清洁防反射膜的表面，也不容易除去暂时附着在防反射膜上的污垢。这样，如果防反射膜因附着有油脂成分等而保持不干净的状态，则太阳能电池组件的性能下降。
[0010]本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够容易地除去附着在防反射膜上的油脂成分等污垢的太阳能电池组件的制造方法、透光基板的制造方法和太阳能电池组件。
[0011]用于解决课题的方法
[0012]为了解决上述问题，本发明的太阳能电池组件的制造方法的一个实施方式中，该太阳能电池组件具有透光基板，该透光基板包括:具有透光性的基板和形成于上述基板的表面的防反射膜，所述太阳能电池组件的制造方法包括:在上述防反射膜的表面形成硅氧烷层的硅氧烷涂敷工序。
[0013]此外，本发明的透光基板的制造方法的一个实施方式中，该透光基板包括:具有透光性的基板和形成于上述基板的表面的防反射膜，所述透光基板的制造方法包括:在上述防反射膜的表面形成硅氧烷层的工序。
[0014]此外，本发明的太阳能电池组件的一个实施方式中，其为在受光侧具有透光基板的太阳能电池组件，上述透光基板包括:具有透光性的基板；形成于上述基板的表面的防反射膜；和形成于上述防反射膜的表面的硅氧烷层。
[0015]此外，本发明的透光性基板的一个实施方式中，其为设置在太阳能电池组件的受光侧的透光性基板，包括:具有透光性的基板；形成于上述基板的表面的防反射膜；和形成于上述防反射膜的表面的硅氧烷层。
[0016]发明的效果
[0017]根据本发明，能够容易地除去附着在防反射膜上的油脂成分等污垢。
【附图说明】
[0018]图1为本发明的实施方式的透光基板的一部分的截面图。
[0019]图2为表示硅氧烷化合物的一个例子的图。
[0020]图3为用于说明本发明的实施方式的透光基板的制造方法的图。
[0021]图4为用于说明关于本发明的实施方式的透光基板为了确认硅氧烷层覆盖在防反射膜上而进行的实验的工序的图。
[0022]图5A为表示在本发明的实施方式的透光基板配置有遮光部件的区域内的表面层(露出层)的由飞行时间式二次离子质谱分析进行的(TOF-SIMS:Time of FlightSecondary 1n Mass Spectrometry)测量结果的图。
[0023]图5B为表示在本发明的实施方式的透光基板没有配置遮光部件的区域内的表面层(露出层)的由TOF-SIMS进行的测量结果的图。
[0024]图6为示意性表示图4中的配置有遮光部件的区域内的表面反应的图。
[0025]图7为用于说明本发明的实施方式的透光基板的作用效果的图。
[0026]图8A为用于说明附着在本发明的实施方式的透光基板上的污垢的评价方法的图。
[0027]图SB为表示在进行图8A所示的评价时使用的透光基板的反射率分布的一个例子的图。
[0028]图9为本发明的实施方式的太阳能电池组件的俯视图。
[0029]图10为图9的A-A’线的该太阳能电池组件的一部分放大截面图。
[0030]图11为用于说明本发明的实施方式的太阳能电池组件的制造方法的图。
[0031]图12为用于说明在安装于组件之前的基板形成硅氧烷层时的状况的图。
[0032]图13为用于说明在安装于组件之后的基板形成硅氧烷层时的状况的图。
【具体实施方式】
[0033]以下，关于本发明的【具体实施方式】，参照附图进行说明。下面说明的实施方式均表示本发明的优选的一个具体例。因此，以下实施方式中所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置位置和连接方式等仅为一个示例，并非限定本发明的内容。由此，对于以下实施方式的结构要素中的、没有记载在表示本发明的最上位概念的独立权利要求中的结构要素，作为任意的结构要素进行说明。
[0034]另外，各图仅为示意图，并非严密地图示。此外，在各图中，对实质上相同的结构标注相同的符号，并省略或简化重复的说明。
[0035](实施方式)
[0036][透光基板]
[0037]首先，使用图1说明本发明的实施方式的透光基板10的结构。图1为本发明的实施方式的透光基板的一部分的截面图。
[0038]如图1所不，透光基板10包括:具有透光性的基板11 ;在基板11的一个表面形成的防反射膜12 ;和在防反射膜12的表面形成的硅氧烷层13。
[0039]透光基板10为在基板11的表面形成有防反射膜12的低反射基板，例如用作太阳能电池组件的表面保护部件。以下对透光基板10的各构成部件进行详述。
[0040]基板11例如为由透明玻璃材料构成的玻璃基板(透明玻璃基板)。
[0041]此外，基板11不限于玻璃基板，也可以是由透明树脂材料等透光性树脂材料构成的树脂基板等。
[0042]防反射膜12是为了容易地将接收的光(例如太阳光等可见光)吸取到基板11的内部而形成的。通过在基板11形成防反射膜12，能够减少入射光在透光基板10的受光面(露出面)上反射。
[0043]防反射膜12可以通过使用低反射材料等对原材料本身下功夫来实现低反射结构，也可以通过对透光性材料的表面施加凹凸加工或者在内部设置多个空隙等对表面形状或内部形状下功夫来实现低反射结构。在本实施方式中，防反射膜12的表面是凹凸结构。此外，在本实施方式中，防反射膜12的表面为亲水性。作为防反射膜12的材料，能够使用3102类材料、T12类材料或亲水性丙烯酸单体等。此外，作为一例，防反射膜12的膜厚为10nm左右。
[0044]这样构成的防反射膜12将例如被基板11的大致整个面覆膜。另外，防反射膜12
可以是单层结构，也可以是层叠结构。
[0045]硅氧烷层13是通过用硅氧烷覆盖防反射膜12的表面而形成的层(硅氧烷涂层)。硅氧烷是以硅原子(Si)和氧原子(O)为骨架的化合物，具有S1-O-Si键(硅氧烷键)。作为一例，硅氧烷是图2所示的化合物。硅氧烷层13的膜厚为5nm以下的数nm程度。
[0046]由于硅氧烷为疏水性，所以硅氧烷层13的表面为疏水性。在本实施方式中，硅氧烷层13在防反射膜12的大致整个面上形成。也就是说，硅氧烷覆盖防反射膜12的大致整个面。因此，透光基板10的受光面(露出面)为疏水面。另外，硅氧烷层13在防反射膜12的大致整个面上形成的情况，除了包含硅氧烷层13在防反射膜12的整个表面上无间隙地形成的情况以外，还包含虽然稍稍存在没有形成的部位，但是硅氧烷层13形成为防反射膜12的整个表面的情况。
[0047]此外，在本实施方式中，硅氧烷层13在防反射膜12的大致整个面上形成，但是也可以不是在防反射膜12的大致整个面、而是在防反射膜12的一部分表面形成。例如硅氧烷层13可以在防反射膜12的表面的一半以下的区域中形成，如果硅氧烷层13是所需要的部位为很小的区域，则可以在防反射膜12的表面的很小的区域形成。
[0048]接着，使用图3说明本实施方式的透光基板10的制造方法。
[0049]图3为用于说明本实施方式的透光基板的制造方法的图。
[0050]首先，如图3(a)所示，准备在表面形成有防反射膜12的基板11 (基板准备工序)。[0051 ] 接着，在防反射膜12的表面覆盖硅氧烷(硅氧烷涂敷工序)。由此，如图3 (b)所示，在防反射膜12的表面形成硅氧烷层13。
[0052]在这种情况下，例如如图3(a)所示，通过配置收纳有硅酮(silicon) 13a的容器100，能够使用从硅酮13a自然挥发(脱离)的硅氧烷(硅氧烷气体)而在防反射膜12的表面涂敷硅氧烷。此时，需要以硅氧烷挥发到容器100之外的状态配置硅酮13a。例如通过将容器100的盖一直打开，使得从娃酮13a挥发的娃氧烧附着在防反射膜12的表面上。
[0053]娃酬13a是以在娃氧烧(娃氧烧键)上带有有机基团的有机多晶娃作为基础的材料，耐油性、耐氧化性和耐热性较高，并且具